Развит Q,G-метод для изучения нестационарных процессов в бесстолкновительной плазме с релятивистскими частицами. Предложен способ расчета концентрации заряженных частиц, которые вылетают с эмиттера и движутся без столкновений в нестационарном электрическом поле произвольного вида. Получены аналитические выражения для концентрации частиц и тока при малом возмущении электрического поля. На основе полученных выражений построена теория устойчивости стационарных состояний релятивистского диода Бурсиана в отсутствие отражения электронов от потенциальных барьеров. Ключевые слова: плазменный диод, релятивистские пучки электронов и позитронов, устойчивость решений.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.