Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 22 » Статья стр. 7
<<<>>>
Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb
Russian Science Foundation and St. Petersburg Science Foundation , 24-29-20018
Сорокина С.В. 1, Малевская А.В. 1, Нахимович М.В. 1, Хвостиков В.П. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: svsorokina@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 25 июня 2024 г.
Принята к печати: 13 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 5 ноября 2024 г.
PDF версия
Исследовано влияние материала, толщины и условий формирования проводящего слоя контакта на морфологию токосборных шин, фактор заполнения вольт-амперных характеристик и эффективность фотоэлектрического преобразователя на основе антимонида галлия. Ключевые слова: омический контакт, проводящий слой, электрохимическое осаждение, фотоэлектрический преобразователь.
  1. K. Ikossi, M. Goldenberg, J. Mittereder, Solid-State Electron., 46 (10), 1627 (2002). DOI: 10.1016/S0038-1101(02)00116-8
  2. N. Rahimi, A.A. Aragon, O.S. Romero, D.M. Shima, T.J. Rotter, S.D. Mukherjee, L.F. Lester, APL Mater., 1 (6), 062105 (2013). DOI: 10.1063/1.4842355
  3. J.A. Robinson, S.E. Mohney, J. Appl. Phys., 98 (3), 033703 (2005). DOI: 10.1063/1.1989429
  4. R.K. Huang, C.A. Wang, C.T. Harris, M.K. Connors, D.A. Shiau, J. Electron. Mater., 33 (11), 1406 (2004). DOI: 10.1007/s11664-004-0171-1
  5. T.-N. Tran, S.K. Patra, M. Breivik, B.-O. Fimland, J. Vac. Sci. Technol. B, 34 (6), 061207 (2016). DOI: 10.1116/1.4967300
  6. J.A. Robinson, S.E. Mohney, Solid-State Electron., 48 (9), 1667 (2004). DOI: 10.1016/j.sse.2004.02.022
  7. K.-L. Lin, S.-H. Chen, Appl. Phys. Lett., 105 (14), 141603 (2014). DOI: 10.1063/1.4896570
  8. Ф.Ю. Cолдатенков, С.В. Сорокина, Н.Х. Тимошина, В.П. Хвостиков, Ю.М. Задиранов, М.Г. Растегаева, А.А. Усикова, ФТП, 45 (9), 1266 (2011). [F.Y. Soldatenkov, S.V. Sorokina, N.Kh. Timoshina, V.P. Khvostikov, Y.M. Zadiranov, M.G. Rastegaeva, A.A. Usikova, Semiconductors, 45 (9), 1219 (2011). DOI: 10.1134/S1063782611090193]
  9. N.-T. Tran, S.K. Patra, M. Breivik, B.-O. Fimland, J. Vac. Sci. Technol. B, 33 (6), 061210 (2015). DOI: 10.1116/1.4935883
  10. N. Iqbal, D.J. Colvin, E.J. Schneller, T.S. Sakthivel, R. Ristau, B.D. Huey, B.X.J. Yu, J.-N. Jaubert, A.J. Curran, M. Wang, S. Seal, R.H. French, K.O. Davis, Solar Energy Mater. Solar Cells, 235, 111468 (2022). DOI: 10.1016/j.solmat.2021.111468
  11. N. Iqbal, M. Li, T.S. Sakthivel, K. Mikeska, K. Mikeska, M. Lu, N. Nandakumar, Sh. Duttagupta, M. Dhamrin, K. Tsuji, S. Bowden, A. Augusto, Y. Guan, S. Seal, K.O. Davis, Solar Energy Mater. Solar Cells, 250 (5), 112089 (2023). DOI: 10.1016/j.solmat.2022.112089
  12. М.И. Черных, Г.А. Велигура, В.А. Буслов, В.А. Кожевников, А.Н. Цоцорин, Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, вып. 3 (234), 35 (2014). https://www.niiet.ru/wp-content/uploads/pub13.pdf
  13. П. Жуковский, Ч. Карват, М. Колясик, М. Козак, Перспективные материалы, N 2, 81 (2007). http://j-pm.imet-db.ru/?archive\&a=833
  14. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, Ф.Ю. Cолдатенков, Н.Х. Тимошина, ФТП, 48 (9), 1280 (2014). http://journals.ioffe.ru/articles/40822 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, F.Yu. Soldatenkov, N.Kh. Timoshina, Semiconductors, 48 (9), 1248 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614090115]
  15. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина, Н.С.Потапович, Б.Я. Бер, Д.Ю. Казанцев, В.М. Андреев, ФТП, 47 (2), 273 (2013). [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, O.A. Khvostikova, N.Kh. Timoshina, N.S. Potapovich, B.Ya. Ber, D.Yu. Kazantsev, V.M. Andreev, Semiconductors, 47 (2), 307 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613020139]
  16. А.В. Малевская, Н.Д. Ильинская, Д.А. Малевский, П.В. Покровский, ФТП, 56 (3), 376 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.03.52127.9774 [A.V. Malevskaya, N.D. Il'inskaya, D.A. Malevskii, P.V. Pokrovskii, Semiconductors, 56, 18 (2022). DOI: 10.1134/S1063782622020117].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme