Зависимость длины волны генерации от оптических потерь в лазере на квантовых точках
Российский научный фонд, 22-72-10002
НИУ Высшая школа экономики, Программа фундаментальных исследований
Крыжановская Н.В.1, Махов И.С.1, Надточий А.М.1,2, Иванов К.А.1, Моисеев Э.И.1, Мельниченко И.А.1, Комаров С.Д.1, Минтаиров С.А.2, Калюжный Н.А.2, Максимов М.В.3, Шерняков Ю.М.2, Жуков А.Е.1
1Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: zhukale@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 июня 2024 г.
В окончательной редакции: 11 июля 2024 г.
Принята к печати: 12 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 14 октября 2024 г.
Исследована зависимость положения линии лазерной генерации от оптических потерь в полосковых лазерах, содержащих различное число слоев плотных массивов квантовых точек InGaAs/GaAs (квантовых ям-точек). Получено аналитическое выражение, устанавливающее в явном виде связь положения максимума спектра усиления с величиной усиления в максимуме для массива с гауссовской плотностью состояний. Продемонстрировано хорошее согласие предсказаний модели с экспериментальными данными. Насыщенное модовое усиление оценено как 51 cm-1 на слой. Ключевые слова: квантовые точки, полупроводниковый лазер, спектр усиления, неоднородное уширение.
- C. Shang, Y. Wan, J. Selvidge, E. Hughes, R. Herrick, K. Mukherjee, J. Duan, F. Grillot, W.W. Chow, J.E. Bowers, ACS Photon., 8, 2555 (2021). DOI: 10.1021/acsphotonics.1c00707
- A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, M.V. Maximov, Light Sci. Appl., 10, 80 (2021). DOI: 10.1038/s41377-021-00525-6
- V. Cao, J.-S. Park, M. Tang, T. Zhou, A. Seeds, S. Chen, H. Liu, Front. Phys., 10, 839953 (2022). DOI: 10.3389/fphy.2022.839953
- A.E. Zhukov, A.R. Kovsh, V.M. Ustinov, A.Yu. Egorov, N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, V.I. Kopchatov, A.V. Lunev, P.S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh.I. Alferov, Semicond. Sci. Technol., 14, 118 (1999). DOI: 10.1088/0268-1242/14/1/020
- H. Su, L.F. Lester, J. Phys. D: Appl. Phys., 38, 2112 (2005). DOI: 0.1088/0022-3727/38/13/006
- L.V. Asryan, R.A. Suris, Semicond. Sci. Technol., 11, 554 (1996). DOI: 10.1088/0268-1242/11/4/017
- N.Yu. Gordeev, M.V. Maximov, A.S. Payusov, A.A. Serin, Yu.M. Shernyakov, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, A.M. Nadtochiy, A.E. Zhukov, Semicond. Sci. Technol., 36, 015008 (2021). DOI: 10.1088/1361-6641/abc51d
- A.M. Nadtochiy, N.Yu. Gordeev, A.A. Kharchenko, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, Yu.S. Berdnikov, Yu.M. Shernyakov, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, J. Lightwave Technol., 39, 7479 (2021). DOI: 10.1109/JLT.2021.3116261
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.