Вышедшие номера
Свойства гетероструктур AlP/Si, сформированных методом комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения
Российский научный фонд, 21-79-10413
Гудовских А.С.1,2, Баранов А.И.1, Уваров А.В.1, Вячеславова Е.А.1, Максимова А.А.1,2, Никитина Е.В.1, Сошников И.П.1,3,4
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: gudovskikh@spbau.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2024 г.
В окончательной редакции: 12 апреля 2024 г.
Принята к печати: 22 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 22 июля 2024 г.

Впервые сформированы AlP/Si-гетероструктуры с помощью метода комбинированного плазмохимического и атомно-слоевого осаждения и проведены исследования их электронных свойств. Экспериментальная оценка разрыва зон проводимости Δ EC на границе AlP/Si дает значение 0.35± 0.10 eV, которое существенно меньше разрыва валентных зон, что открывает возможность использования AlP в качестве электронного селективного контакта к Si для солнечных элементов. Ключевые слова: фосфид алюминия, кремний, селективный контакт, солнечный элемент.