Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 15 » Статья стр. 47
<<<
Оптическая диагностика гетероструктур на основе InGaAsP/InP(001)
Гордеева А.Б. 1, Власов А.С. 1, Гагис Г.С. 1, Маричев А.Е.1, Пушный Б.В. 1, Шмидт Н.М. 1, Щеглов М.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: anastasiya.gordeeva@mail.ioffe.ru, vlasov@scell.ioffe.ru, gsgagis@mail.ioffe.ru, segregate1@yandex.ru, Pushnyi@vpegroup.ioffe.ru, Natalia.Shmidt@mail.ioffe.ru, M.Scheglov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 27 июля 2023 г.
Принята к печати: 25 апреля 2024 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2024 г.
PDF версия
Методом спектроскопии анизотропного отражения изучены пленки твердого раствора In0.8Ga0.2As0.5P0.5. Пленки толщиной 50-1000 nm выращены на подложках InP(001) с использованием буферного слоя разной толщины. Обнаружено, что в процессе хранения образцы с буферным слоем толщиной 1 μm могут деградировать. Деградация происходит, вероятно, в области буферного слоя и сопровождается релаксацией внутреннего напряжения в структуре. Интенсивность фотолюминесценции образца при этом снижается, рельеф поверхности пленки твердого раствора сохраняется. Ключевые слова: спектроскопия анизотропного отражения, твердые растворы полупроводников AIIIBV, МОС-гидридная эпитаксия, внутренние напряжения.
  1. A.E. Marichev, R.V. Levin, G.S. Gagis, A.B. Gordeeva, J. Phys.: Conf. Ser., 741, 012039 (2016). DOI: 10.1088/1742-6596/741/1/012039
  2. П.В. Середин, Э.П. Домашевская, И.Н. Арсентьев, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, T. Prutskij, ФТП, 47 (1), 3 (2013). [P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, T. Prutskij, Semiconductors, 47, 1 (2013). DOI: 10.1134/S106378261301020X]
  3. C.R. Whitehouse, A.G. Cullis, S.J. Barnett, B.F. Usher, G.F. Clark, A.M. Keir, B.K. Tanner, B. Lunn, J.C.H. Hogg, A.D. Johnson, G. Lacey, W. Spirkl, W.E. Hagston, J.H. Jefferson, P. Ashu, G.W. Smith, T. Martin, J. Cryst. Growth, 150, 85 (1995). DOI: 10.1016/0022-0248(95)80186-G
  4. Yu.B. Bolkhovityanov, A.S. Deryabin, A.K. Gutakovskii, L.V. Sokolov, J. Appl. Phys., 109, 123519 (2011). DOI: 10.1063/1.3597903
  5. A. Lastras-Marti nez, J. Ortega-Gallegos, L.E. Guevara-Maci as, O. Nuez-Olvera, R.E. Balderas-Navarro, L.F. Lastras-Marti nez, L.A. Lastras-Montano, M.A. Lastras-Montano, J. Cryst. Growth, 425, 21 (2015). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.061
  6. P. Weightman, D.S. Martin, R.J. Cole, T. Farrell, Rep. Prog. Phys., 68, 1251 (2005). DOI: 10.1088/0034-4885/68/6/R01
  7. E. Oliveira, J. Strassner, C. Doering, H. Fouckhardt, Appl. Surf. Sci., 611, 155769 (2023). DOI: 10.1016/j.apsusc.2022.155769
  8. P.M. Laufer, F.H. Pollak, R.E. Nahory, M.A. Pollack, Solid State Commun., 36, 419 (1980). DOI: 10.1016/0038-1098(80)90924-2

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme