Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 13 » Статья стр. 28
<<<>>>
Кинетика инжекционного отжига гомо- и гетероструктур на основе GaAs, облученных гамма-квантами
Носовец В.С. 1, Ткачев О.В.1, Дубровских С.М.1, Пустоваров В.А. 2
1Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики им. акад. Е.И. Забабахина, Снежинск, Челябинская обл., Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Email: vadim.vx@yandex.ru, v.a.pustovarov@urfu.ru
Поступила в редакцию: 19 февраля 2024 г.
В окончательной редакции: 20 марта 2024 г.
Принята к печати: 23 марта 2024 г.
Выставление онлайн: 7 июня 2024 г.
PDF версия
На основе измерений интенсивности электролюминесценции исследована кинетика инжекционного отжига радиационных дефектов в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/AlGaAs, облученных гамма-квантами 60Co. Сравнение результатов с литературными данными для GaAs-гомоструктур позволило обнаружить, что при переходе от гомоструктур к гетероструктурам на два-четыре порядка уменьшается плотность тока, необходимая для отжига радиационных дефектов, изменяется механизм аннигиляции дефектов. Результаты свидетельствуют о большей эффективности инжекционного отжига в приборах, содержащих квантово-размерные гетероструктуры. Ключевые слова: инжекционный отжиг, рекомбинационно-стимулированный отжиг, радиационная стойкость, радиационные дефекты.
  1. В.М. Андреев, М.Б. Каган, В.С. Калиновский, Л.А. Рассадин, В.Р. Ларионов, Т.А. Нуллер, В.Д. Румянцев, К.Я. Расулов, Письма в ЖТФ, 14 (2), 121 (1988). https://www.mathnet.ru/rus/pjtf1911
  2. A. Johston, Reliability and radiation effects in compound semiconductors (World Scientific, Singapore, 2010), p. 289--291
  3. A. Khan, M. Yamaguchi, J.C. Bourgoin, T. Takamoto, J. Appl. Phys., 91, 2391 (2002). DOI: 10.1063/1.1433936
  4. J.C. Bourgoin, J.W. Corbett, Rad. Effects, 36, 157 (1978). DOI: 10.1080/00337577808240846
  5. B.L. Gregory, J. Appl. Phys., 36, 3765 (1965). DOI: 10.1063/1.1713944
  6. V.M. Lomako, A.M. Novoselov, Phys. Status Solidi A, 60, 557 (1980). DOI: 10.1002/pssa.2210600227
  7. C.E. Barnes, Phys. Rev. B, 1, 4735 (1970). DOI: 10.1103/PhysRevB.1.4735
  8. M. Yamaguchi, K. Ando, A. Yamamoto, C. Uemura, J. Appl. Phys., 58, 568 (1985). DOI: 10.1063/1.335664
  9. M. Yamaguchi, T. Okuda, S.J. Taylor, Appl. Phys. Lett., 70, 2180 (1997). DOI: 10.1063/1.119034
  10. Y. Zheng, T.-C. Yi, P.-F. Xiao, J. Tang, R. Wang, Chin. Phys. Lett., 33, 056102 (2016). DOI: 10.1088/0256-307X/33/5/056102
  11. J. Chen, Y. Li, H. Maliya, Q. Guo, D. Zhou, L. Wen, Heliyon, 8, e10594 (2022). DOI: 10.1016/j.heliyon.2022.e10594
  12. T. Yi, M. Lu, K. Yang, P. Xiao, R. Wang, Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B, 335, 66 (2014). DOI: 10.1016/j.nimb.2014.06.006
  13. Springer handbook of electronic and photonic materials, ed. by S. Kasap, P. Capper (Springer, Cham, 2017). p. 1038--1041. DOI: 10.1007/978-3-319-48933-9
  14. F. Schubert, Light-emitting diodes (Cambridge University Press, N.Y., 2006). DOI: 10.1017/CBO9780511790546
  15. D. Peak, H.L. Frish, J.W. Corbett, Rad. Effects, 11, 149 (1971). DOI: 10.1080/00337577108231100

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme