Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 10 » Статья стр. 22
<<<>>>
Изотопно-обогащенные Si/SiGe эпитаксиальные структуры для квантовых вычислений
Rosatom, “Quantum computing” roadmap, agreement #868-1.3-15/15-2021 from 05.10.2021 and agreement #Р2194 from 14.12.2021 and agreement #Р2187 from 13.12.2021
Юрасов Д.В.1, Новиков А.В.1, Шалеев М.В.1, Дроздов М.Н.1, Демидов Е.В.1, Антонов А.В.1, Красильникова Л.В.1, Шмырин Д.А.1, Юнин П.А.1, Красильник З.Ф.1, Ситников С.В.2, Щеглов Д.В.2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: Inquisitor@ipmras.ru, anov@ipmras.ru, shaleev@ipmras.ru, drm@ipmras.ru, demidov@ipmras.ru, aav@ipmras.ru, luda@ipmras.ru, shmyrinda@ipmras.ru, yunin@ipmras.ru, zfk@ipmras.ru, sitnikov@isp.nsc.ru, sheglov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 24 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 24 ноября 2023 г.
Принята к печати: 9 февраля 2024 г.
Выставление онлайн: 16 апреля 2024 г.
PDF версия
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии получены изотопно-обогащенные гетероструктуры 28Si/28Si72Ge с низким (на уровне сотен атомов на миллион) содержанием изотопов с ненулевым ядерным спином как кремния (29Si), так и германия (73Ge). Максимальная подвижность носителей в двумерном электронном газе в полученных структурах составила ~ 4.5· 104 cm2/(V· s) при T=1.6 K, что свидетельствует об их высоком качестве. Низкое содержание изотопов Si и Ge с ненулевым ядерным спином и высокое качество полученных образцов позволяет использовать их для формирования спиновых кубитов. Ключевые слова: SiGe-гетероструктуры, изотопное обогащение, молекулярно-пучковая эпитаксия, вторично-ионная масс-спектрометрия, спиновый кубит.
  1. N.P. de Leon, K.M. Itoh, D. Kim, K.K. Mehta, T.E. Northup, H. Paik, B.S. Palmer, N. Samarth, S. Sangtawesin, D.W. Steuerman, Science, 372, eabb282 (2021). DOI: 10.1126/science.abb2823
  2. Y. Kim, A. Eddins, S. Anand, K.X. Wei, E. van den Berg, S. Rosenblatt, H. Nayfeh, Y. Wu, M. Zaletel, K. Temme, A. Kandala, Nature, 618, 500 (2023). DOI: 10.1038/s41586-023-06096-3
  3. C.D. Bruzewicz, J. Chiaverini, R. McConnell, J.M. Sage, Appl. Phys. Rev., 6, 021314 (2019). DOI: 10.1063/1.5088164
  4. G. Burkard, Th.D. Ladd, A. Pan, J.M. Nichol, J.R. Petta, Rev. Mod. Phys., 95, 025003 (2023). DOI: 10.1103/RevModPhys.95.025003
  5. J.R. Petta, A.C. Johnson, J.M. Taylor, E.A. Laird, A. Yacoby, M.D. Lukin, C.M. Marcus, M.P. Hanson, A.C. Gossard, Science, 309, 2180 (2005). DOI: 10.1126/science.1116955
  6. P. Stano, D. Loss, Nat. Rev. Phys., 4, 672 (2022). DOI: 10.1038/s42254-022-00484-w
  7. K. Fujii, H. Bettin, P. Becker, E. Massa, O. Rienitz, A. Pramann, A. Nicolaus, N. Kuramoto, I. Busch, M. Borys, Metrologia, 53, A19 (2016). DOI: 10.1088/0026-1394/53/5/A19
  8. A.M.J. Zwerver, T. Krahenmann, T.F. Watson, L. Lampert, H.C. George, R. Pillarisetty, S.A. Bojarski, P. Amin, S.V. Amitonov, J.M. Boter, R. Caudillo, D. Correas-Serrano, J.P. Dehollain, G. Droulers, E.M. Henry, R. Kotlyar, M. Lodari, F. Luthi, D.J. Michalak, B.K. Mueller, S. Neyens, J. Roberts, N. Samkharadze, G. Zheng, O.K. Zietz, G. Scappucci, M. Veldhorst, L.M.K. Vandersypen, J.S. Clarke, Nat. Electron., 5, 184 (2022). DOI: 10.1038/s41928-022-00727-9
  9. A. Noiri, K. Takeda, T. Nakajima, T. Kobayashi, A. Sammak, G. Scappucci, S. Tarucha, Nature, 601, 338 (2022). DOI: 10.1038/s41586-021-04182-y
  10. X. Xue, M. Russ, N. Samkharadze, B. Undseth, A. Sammak, G. Scappucci, L.M.K. Vandersypen, Nature, 601, 343 (2022). DOI: 10.1038/s41586-021-04273-w
  11. T. McJunkin, B. Harpt, Y. Feng, M.P. Losert, R. Rahman, J.P. Dodson, M.A. Wolfe, D.E. Savage, M.G. Lagally, S.N. Coppersmith, M. Friesen, R. Joynt, M.A. Eriksson, Nat. Commun., 13, 7777 (2022). DOI: 10.1038/s41467-022-35510-z
  12. M. Friesen, P. Rugheimer, D.E. Savage, M.G. Lagally, D.W. van der Weide, R. Joynt, M.A. Eriksson, Phys. Rev. B, 67, 121301(R) (2023). DOI: 10.1103/PhysRevB.67.121301
  13. https://www.mbe-komponenten.de/selection-guide/vapor-pressure.php
  14. В.В. Постников, А.В. Новиков, Способ выращивания кремний-германиевых гетероструктур, патент РФ N 2407103 (20.12.2010). https://www.fips.ru/iiss/document.xhtml?faces-redirect=true\&id=6a0ddea4abe978a8af3a9f1472e560f5
  15. A. Hollmann, T. Struck, V. Langrock, A. Schmidbauer, F. Schauer, T. Leonhardt, K. Sawano, H. Riemann, N.V. Abrosimov, D. Bougeard, L.R. Schreiber, Phys. Rev. Appl., 13, 034068 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.13.034068
  16. М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Новиков, П.А. Юнин, Д.В. Юрасов, ФТП, 48 (8), 1138 (2014). [M.N. Drozdov, Yu.N. Drozdov, A.V. Novikov, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, Semiconductors, 48, 1109 (2014). DOI: 10.1134/S1063782614080090]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme