Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоприемники глубокого ультрафиолета на основе пленок композита In2O3-Ga2O3
Russian Science Foundation , "Conducting research by scientific groups under the guidance of young scientists” of the Presidential program of research projects implemented by leading scientists, including young scientists, 20-79-10043-P
Алмаев Д.А.1, Алмаев А.В.1,2, Николаев В.И.3,4, Бутенко П.Н.1,3, Щеглов М.П.3, Чикиряка А.В.3, Печников А.И.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия 
2ООО "Фокон", Калуга, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Фокон", Калуга, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: almaev001@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2023 г.
Принята к печати: 22 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 9 февраля 2024 г.
-2 Исследованы фотоэлектрические характеристики пленок композита In2O3-Ga2O3, выращенных методом хлоридной газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Исследованные пленки представляли собой композит кубических фаз delta-Ga2O3 и c-In2O3. Результаты для композита In2O3-Ga2O3 сопоставлены с полученными для пленок ε(kappa)-Ga2O3 и c-In2O3, выращенных при близких условиях. Пленки композита In2O3-Ga2O3 демонстрируют наибольшую фоточувствительность, быстродействие и низкое базовое сопротивление. Значения квантовой эффективности составило 6.9· 103% при напряженности поля 1 kV/cm, что существенно больше, чем в известной литературе. Предполагается, что высокая фоточувствительность обусловлена генерацией носителей заряда в областях delta-Ga2O3, образованных в пленке c-In2O3 с высокой концентрацией электронов. Ключевые слова: оксид галлия, оксид индия, УФ-фотоприемник, хлоридная газофазная эпитаксия, фотоэлектрические характеристики.
- X. Hou, Y. Zou, M. Ding, Y. Qin, Z. Zhang, X. Ma, P. Tan, S. Yu, X. Zhou, X. Zhao, G. Xu, H. Sun, S. Long, J. Phys. D: Appl. Phys., 54 (4), 043001 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/abbb45
- D. Kaur, M. Kumar, Adv. Opt. Mater., 9 (9), 2002160 (2021). DOI: 10.1002/adom.202002160
- J. Moloney, O. Tesh, M. Singh, J.W. Roberts, J.C. Jarman, L.C. Lee, T.N. Huq, J. Brister, S. Karboyan, M. Kuball, P.R. Chalker, R.A. Oliver, F.C.-P. Massabuau, J. Phys. D: Appl. Phys., 52 (47), 475101 (2019). DOI: 10.1088/1361-6463/ab3b76
- X.Y. Sun, X.H. Chen, J.G. Hao, Z.P. Wang, Y. Xu, H.H. Gong, Y.J. Zhang, X.X. Yu, C.D. Zhang, F.-F. Ren, S.L. Gu, R. Zhang, J.D. Ye, Appl. Phys. Lett., 119 (14), 141601 (2021). DOI: 10.1063/5.0059061
- Д.А. Алмаев, А.В. Алмаев, В.В. Копьев, В.И. Николаев, А.И. Печников, С.И. Степанов, М.Е. Бойко, П.Н. Бутенко, М.П. Щеглов, Письма в ЖТФ, 48 (22), 24 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.22.53802.19322 [D.A. Almaev, A.V. Almaev, V.V. Kopyev, V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, M.E. Boyko, P.N. Butenko, M.P. Scheglov, Tech. Phys. Lett., 48 (11), 61 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.11.54893.19322]
- В.М. Калыгина, О.С. Киселева, Б.О. Кушнарев, В.Л. Олейник, Ю.С. Петрова, А.В. Цымбалов, ФТП, 56 (9), 928 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53417.9868 [V.M. Kalygina, O.S. Kiselyeva, B.O. Kushnarev, V.L. Oleinik, Yu.S. Petrova, A.V. Tsymbalov, Semiconductors, 56 (9), 707 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.09.54139.9868]
- H. Wenckstern, D. Splith, A. Werner, S. Muller, M. Lorenz, M. Grundmann, ACS Comb. Sci., 17 (12), 710 (2015). DOI: 10.1021/acscombsci.5b00084
- Y.-C. Cheng, S.-P. Chang, C.-P. Yang, S.-J. Chang, Appl. Phys. Lett., 114 (19), 192102 (2019). DOI: 10.1063/1.5086457
- E. Lopez-Aymerich, G. Domenech-Gil, M. Moreno, P. Pellegrino, A. Romano-Rodriguez, Sensors, 21 (10), 3342 (2021). DOI: 10.3390/s21103342
- Z. Zhang, H. Wenckstern, J. Lenzner, M. Lorenz, M. Grundmann, Appl. Phys. Lett., 108 (12), 123503 (2016). DOI: 10.1063/1.4944860
- U.U. Muazzam, M.S. Raghavan, A.S. Pratiyush, R. Muralidharan, S. Raghavan, D.N. Nath, S.A. Shivashankar, J. Alloys Compd., 828, 154337 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.154337
- F. Zhang, H. Li, M. Arita, Q. Guo, Opt. Mater. Express, 7 (10), 3769 (2017). DOI: 10.1364/OME.7.003769
- S.-P. Chang, L.-Y. Chang, J.-Y. Li, Sensors, 16 (12), 2145 (2016). DOI: 10.3390/s16122145
- N.N. Yakovlev, A.V. Almaev, V.I. Nikolaev, B.O. Kushnarev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.V. Chikiryaka, R.B. Timashov, M.P. Scheglov, P.N. Butenko, D.A. Almaev, E.V. Chernikov, Mater. Today Commun., 34, 105241 (2023). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2022.105241
- D. Shao, L. Qin, S. Sawyer, IEEE Photon. J., 4 (3), 715 (2012). DOI: 10.1109/JPHOT.2012.2195485
- K. Arora, N. Goel, M. Kumar, M. Kumar, ACS Photon., 5 (6), 2391 (2018). DOI: 10.1021/acsphotonics.8b00174
- А.В. Войцеховский, И.И. Инжин, В.П. Савчин, Н.М. Вакив, Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники (Изд. дом Томск. гос. ун-та, Томск, 2013), с. 349--353.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
