Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 5 » Статья стр. 7
<<<>>>
Фотоприемники глубокого ультрафиолета на основе пленок композита In2O3-Ga2O3
Russian Science Foundation , "Conducting research by scientific groups under the guidance of young scientists” of the Presidential program of research projects implemented by leading scientists, including young scientists, 20-79-10043-P
Алмаев Д.А.1, Алмаев А.В.1,2, Николаев В.И.3,4, Бутенко П.Н.1,3, Щеглов М.П.3, Чикиряка А.В.3, Печников А.И.3
1Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2ООО "Фокон", Калуга, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: almaev001@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 октября 2023 г.
В окончательной редакции: 22 ноября 2023 г.
Принята к печати: 22 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 9 февраля 2024 г.
PDF версия
-2 Исследованы фотоэлектрические характеристики пленок композита In2O3-Ga2O3, выращенных методом хлоридной газофазной эпитаксии на сапфировых подложках. Исследованные пленки представляли собой композит кубических фаз delta-Ga2O3 и c-In2O3. Результаты для композита In2O3-Ga2O3 сопоставлены с полученными для пленок ε(kappa)-Ga2O3 и c-In2O3, выращенных при близких условиях. Пленки композита In2O3-Ga2O3 демонстрируют наибольшую фоточувствительность, быстродействие и низкое базовое сопротивление. Значения квантовой эффективности составило 6.9· 103% при напряженности поля 1 kV/cm, что существенно больше, чем в известной литературе. Предполагается, что высокая фоточувствительность обусловлена генерацией носителей заряда в областях delta-Ga2O3, образованных в пленке c-In2O3 с высокой концентрацией электронов. Ключевые слова: оксид галлия, оксид индия, УФ-фотоприемник, хлоридная газофазная эпитаксия, фотоэлектрические характеристики.
  1. X. Hou, Y. Zou, M. Ding, Y. Qin, Z. Zhang, X. Ma, P. Tan, S. Yu, X. Zhou, X. Zhao, G. Xu, H. Sun, S. Long, J. Phys. D: Appl. Phys., 54 (4), 043001 (2020). DOI: 10.1088/1361-6463/abbb45
  2. D. Kaur, M. Kumar, Adv. Opt. Mater., 9 (9), 2002160 (2021). DOI: 10.1002/adom.202002160
  3. J. Moloney, O. Tesh, M. Singh, J.W. Roberts, J.C. Jarman, L.C. Lee, T.N. Huq, J. Brister, S. Karboyan, M. Kuball, P.R. Chalker, R.A. Oliver, F.C.-P. Massabuau, J. Phys. D: Appl. Phys., 52 (47), 475101 (2019). DOI: 10.1088/1361-6463/ab3b76
  4. X.Y. Sun, X.H. Chen, J.G. Hao, Z.P. Wang, Y. Xu, H.H. Gong, Y.J. Zhang, X.X. Yu, C.D. Zhang, F.-F. Ren, S.L. Gu, R. Zhang, J.D. Ye, Appl. Phys. Lett., 119 (14), 141601 (2021). DOI: 10.1063/5.0059061
  5. Д.А. Алмаев, А.В. Алмаев, В.В. Копьев, В.И. Николаев, А.И. Печников, С.И. Степанов, М.Е. Бойко, П.Н. Бутенко, М.П. Щеглов, Письма в ЖТФ, 48 (22), 24 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.22.53802.19322 [D.A. Almaev, A.V. Almaev, V.V. Kopyev, V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, M.E. Boyko, P.N. Butenko, M.P. Scheglov, Tech. Phys. Lett., 48 (11), 61 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.11.54893.19322]
  6. В.М. Калыгина, О.С. Киселева, Б.О. Кушнарев, В.Л. Олейник, Ю.С. Петрова, А.В. Цымбалов, ФТП, 56 (9), 928 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.09.53417.9868 [V.M. Kalygina, O.S. Kiselyeva, B.O. Kushnarev, V.L. Oleinik, Yu.S. Petrova, A.V. Tsymbalov, Semiconductors, 56 (9), 707 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.09.54139.9868]
  7. H. Wenckstern, D. Splith, A. Werner, S. Muller, M. Lorenz, M. Grundmann, ACS Comb. Sci., 17 (12), 710 (2015). DOI: 10.1021/acscombsci.5b00084
  8. Y.-C. Cheng, S.-P. Chang, C.-P. Yang, S.-J. Chang, Appl. Phys. Lett., 114 (19), 192102 (2019). DOI: 10.1063/1.5086457
  9. E. Lopez-Aymerich, G. Domenech-Gil, M. Moreno, P. Pellegrino, A. Romano-Rodriguez, Sensors, 21 (10), 3342 (2021). DOI: 10.3390/s21103342
  10. Z. Zhang, H. Wenckstern, J. Lenzner, M. Lorenz, M. Grundmann, Appl. Phys. Lett., 108 (12), 123503 (2016). DOI: 10.1063/1.4944860
  11. U.U. Muazzam, M.S. Raghavan, A.S. Pratiyush, R. Muralidharan, S. Raghavan, D.N. Nath, S.A. Shivashankar, J. Alloys Compd., 828, 154337 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.154337
  12. F. Zhang, H. Li, M. Arita, Q. Guo, Opt. Mater. Express, 7 (10), 3769 (2017). DOI: 10.1364/OME.7.003769
  13. S.-P. Chang, L.-Y. Chang, J.-Y. Li, Sensors, 16 (12), 2145 (2016). DOI: 10.3390/s16122145
  14. N.N. Yakovlev, A.V. Almaev, V.I. Nikolaev, B.O. Kushnarev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, A.V. Chikiryaka, R.B. Timashov, M.P. Scheglov, P.N. Butenko, D.A. Almaev, E.V. Chernikov, Mater. Today Commun., 34, 105241 (2023). DOI: 10.1016/j.mtcomm.2022.105241
  15. D. Shao, L. Qin, S. Sawyer, IEEE Photon. J., 4 (3), 715 (2012). DOI: 10.1109/JPHOT.2012.2195485
  16. K. Arora, N. Goel, M. Kumar, M. Kumar, ACS Photon., 5 (6), 2391 (2018). DOI: 10.1021/acsphotonics.8b00174
  17. А.В. Войцеховский, И.И. Инжин, В.П. Савчин, Н.М. Вакив, Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники (Изд. дом Томск. гос. ун-та, Томск, 2013), с. 349--353.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme