Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2024, выпуск 5 » Статья стр. 3
>>>
Исследование оптических свойств нановключений InP/InAsP/InP в кремнии
Российский научный фонд, 22-22-20057
Мельниченко И.А. 1,2, Комаров С.Д. 1, Драгунова А.С. 1, Караборчев А.А. 1, Моисеев Э.И. 1, Крыжановская Н.В. 1, Махов И.С. 1, Жуков А.Е. 1
1Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: imelnichenko@hse.ru, skomarov@hse.ru, adragunova@hse.ru, alex_karaborchev@mail.ru, emoiseev@hse.ru, nkryzhanovskaya@hse.ru, imahov@hse.ru, aezhukov@hse.ru
Поступила в редакцию: 13 ноября 2023 г.
В окончательной редакции: 15 ноября 2023 г.
Принята к печати: 15 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 9 февраля 2024 г.
PDF версия
С помощью конфокальной оптической микроскопии и спектроскопии микрофотолюминесценции исследованы субмикронные нановключения InAsxP1-x/InP, сформированные методом селективного эпитаксиального роста в кремнии с использованием металлоорганической газофазной эпитаксии и расплавленной капли элемента III группы. Исследовано влияние расстояния между нановключениями на интенсивность фотолюминесценции, получены температурные зависимости фотолюминесценции в диапазоне 77-290 K. При комнатной температуре получено излучение в спектральном диапазоне 1.2 μm. Ключевые слова: наноструктуры А3В5, интеграция InAsP в кремний, InAsP/InP.
  1. M. Tang, J.-S. Park, Z. Wang, S. Chen, P. Jurczak, A. Seeds, H. Liu, Prog. Quantum Electron., 66, 1 (2019). DOI: 10.1016/j.pquantelec.2019.05.002
  2. M. Kawabe, T. Ueda, Jpn. J. Appl. Phys., 26 (6A), L944 (1987). DOI: 010.1143/JJAP.26.L944
  3. A.Y. Liu, J. Peters, X. Huang, D. Jung, J. Norman, M.L. Lee, A.C. Gossard, J.E. Bowers, Opt. Lett., 42 (2), 338 (2017). DOI: 10.1364/OL.42.000338
  4. A. Sakanas, E. Semenova, L. Ottaviano, J. M rk, K. Yvind, Microelectron. Eng., 214, 93 (2019). DOI: 10.1016/j.mee.2019.05.001
  5. A. Osada, Y. Ota, R. Katsumi, M. Kakuda, S. Iwamoto, Y. Arakawa, Phys. Rev. Appl., 11 (2), 024071 (2019). DOI: 10.1103/PhysRevApplied.11.024071
  6. M. Borg, H. Schmid, K.E. Moselund, G. Signorello, L. Gignac, J. Bruley, C. Breslin, P. Das Kanungo, P. Werner, H. Riel, Nano Lett., 14 (4), 1914 (2014). DOI: 10.1021/nl404743j
  7. J. Vukajlovic-Plestina, W. Kim, L. Ghisalberti, G. Varnavides, G. Tutuncuoglu, H. Potts, M. Friedl, L. Guniat, W.C. Carter, V.G. Dubrovskii, A. Fontcuberta i Morral, Nat. Commun., 10 (1), 869 (2019). DOI: 10.1038/s41467-019-08807-9
  8. D.V. Viazmitinov, Y. Berdnikov, S. Kadkhodazadeh, A. Dragunova, N. Sibirev, N. Kryzhanovskaya, I. Radko, A. Huck, K. Yvind, E. Semenova, Nanoscale, 12 (46), 23780 (2020). DOI: 10.1039/D0NR05779G
  9. I. Melnichenko, E. Moiseev, N. Kryzhanovskaya, I. Makhov, A. Nadtochiy, N. Kalyuznyy, V. Kondratev, A. Zhukov, Nanomaterials, 12 (23), 4213 (2022). DOI: 10.3390/nano12234213
  10. S. Tiwari, Compound semiconductor device physics (Academic Press, N.Y., 1992)
  11. H.P. Lei, H.Z. Wu, Y.F. Lao, M. Qi, A.Z. Li, W.Z. Shen, J. Cryst. Growth, 256 (1-2), 96 (2003). DOI: 10.1016/S0022-0248(03)01345-9
  12. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan, J. Appl. Phys., 89 (11), 5815 (2001). DOI: 10.1063/1.1368156

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme