Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 22 » Статья стр. 43
<<<
Влияние поверхностных ловушек на статические характеристики и разброс тока насыщения канала GaN HEMT-транзисторов
DOI: 10.61011/PJTF.2023.22.56600.19727
Российский научный фонд, 19-19-00349-П
Тихомиров В.Г. 1, Чижиков С.В. 2, Гудков А.Г. 2, Устинов В.М.3
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия
3НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: greenbob54@gmail.com, chigikov95@mail.ru, profgudkov@gmail.com, vmust@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 17 октября 2023 г.
Принята к печати: 17 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 7 ноября 2023 г.
PDF версия
Рассмотрен метод нейтрализации поверхностных ловушек в структурах нитрид-галлиевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT), основанный на использовании поэтапного температурного воздействия - термотренировки. Проведены расчеты и экспериментальные исследования влияния ловушек на статические характеристики GaN HEMT, а также предложены эффективные способы борьбы с ловушками, в частности с помощью предлагаемых оптимальных режимов термотренировки. Ключевые слова: поверхностные ловушки, HEMT, GaN. DOI: 10.61011/PJTF.2023.22.56600.19727
  1. I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquiere, A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U.K. Mishra, I.P. Smorchkova, S. Keller, N.X. Nguyen, C. Nguyen, E. Kohn, IEEE Electron Dev. Lett., 22 (2), 62 (2001). DOI: 10.1109/55.902832
  2. V.G. Tikhomirov, A. Gudkov, V. Petrov, S. Agasieva, A. Zybin, V. Yankevich, A. Evseenkov, in Proc. of the 2017 11th Int. Workshop on the electromagnetic compatibility of integrated circuits (EMCCompo) (IEEE, 2017), p. 115. DOI: 10.1109/EMCCompo.2017.7998094
  3. К.С. Журавлев, Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, О.Е. Терещенко, К.К. Абгарян, Д.Л. Ревизников, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин, Я.М. Парнес, В.Г. Тихомиров, И.П. Просвирин, ФТП, 51 (3), 395 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287 [K.S. Zhuravlev, T.V. Malin, V.G. Mansurov, O.E. Tereshenko, K.K. Abgaryan, D.L. Reviznikov, V.E. Zemlyakov, V.I. Egorkin, Ya.M. Parnes, V.G. Tikhomirov, I.P. Prosvirin, Semiconductors, 51 (3), 379 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617030277]
  4. В.Г. Тихомиров, В.Е. Земляков, В.В. Волков, Я.М. Парнес, В.Н. Вьюгинов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, М.Н. Мизеров, В.М. Устинов, ФТП, 50 (2), 245 (2016). [V.G. Tikhomirov, V.E. Zemlyakov, V.V. Volkov, Ya.M. Parnes, V.N. Vyuginov, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, E.E. Zavarin, A.F. Tsatsulnikov, N.A. Cherkashin, M.N. Mizerov, V.M. Ustinov, Semiconductors, 50 (2), 244 (2016). DOI: 10.1134/S1063782616020263]
  5. M. Faqir, G. Verzellesi, F. Fantini, F. Danesin, F. Rampazzo, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Cavallini, A. Castaldini, N. Labat, A. Touboul, C. Dua, Microelectron. Reliab., 47 (9), 1639 (2007). DOI: 10.1016/j.microrel.2007.07.005
  6. R. Yeluri, B.L. Swenson, U.K. Mishra, J. Appl. Phys., 111 (4), 043718 (2012). DOI: 10.1063/1.3687355
  7. S.M. Sze, K.K. Ng, Physics of semiconductor devices, 3rd ed. (Wiley, 2007), p. 763
  8. W. Lu, V. Kumar, R. Schwindt, E. Piner, I. Adesida, Solid-State Electron., 46 (9), 1441 (2002). DOI: 10.1016/S0038-1101(02)00089-8
  9. R. Vetury, N.Q. Zhang, S. Keller, U.K. Mishra, IEEE Trans. Electron Dev., 48 (3), 560 (2001). DOI: 10.1109/16.906451
  10. A.V. Vertiatchikh, L.F. Eastman, W.J. Schaff, T. Prunty, Electron. Lett., 38 (8), 388 (2002). DOI: 10.1063/1.5027634
  11. S. Sarkar, R.P. Khade, N. DasGupta, A. DasGupta, in 2021 IEEE BiCMOS and Compound Semiconductor Integrated Circuits and Technology Symp. (BCICTS) (IEEE, 2021), p. 1--4. DOI: 10.1109/BCICTS50416.2021.9682496
  12. X. Lu, S. Feng, S. Pan, X. Li, K. Bai, H. Zhu, IEEE Trans. Dev. Mater. Reliab., 23 (2), 257 (2023). DOI: 10.1109/TDMR.2023.3253957
  13. Q. Meng, Q. Lin, W. Jing, N. Zhao, P. Yang, D. Lu, Micromachines, 13 (5), 791 (2022). DOI: 10.3390/mi13050791

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme