Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Планарные (латеральные) светоизлучающие диоды с Ge(Si)-наноостровками, встроенными в фотонный кристалл
Шмагин В.Б.
1, Новиков А.В.
1,2, Яблонский А.Н.
1, Степихова М.В.
1, Юрасов Д.В.
1, Михайлов А.Н.
2, Тетельбаум Д.И.
2, Родякина Е.Е.
3,4, Морозова Е.Е.1, Шенгуров Д.В.
1, Краев С.А.1, Юнин П.А.
1, Шалеев М.В.
1, Белов А.И.
2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия 
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: shm@ipmras.ru, anov@ipmras.ru, yablonsk@ipmras.ru, mst@ipmras.ru, Inquisitor@ipmras.ru, mian@nifti.unn.ru, tetelbaum@phys.unn.ru, rodyakina@isp.nsc.ru, elenamor@ipmras.ru, shen@ipmras.ru, kraev@ipmras.ru, yunin@ipmras.ru, shaleev@ipmras.ru, belov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 29 августа 2023 г.
В окончательной редакции: 29 августа 2023 г.
Принята к печати: 25 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 7 ноября 2023 г.
С помощью локальной ионной имплантации на основе структур с самоформирующимися Ge(Si)-островками получены латеральные p-i-n-светодиоды. Использование предварительной аморфизации и твердофазной рекристаллизации имплантированных областей позволило снизить температуру активации введенной примеси до 600oC, что существенно уменьшило негативное влияние постимплантационного отжига на сигнал люминесценции Ge(Si)-островков при комнатной температуре в области 1.3-1.55 μm. Сигнал электролюминесценции Ge(Si)-островков увеличен более чем на порядок за счет встраивания фотонных кристаллов в i-область диодов. Ключевые слова: кремний, светодиоды, Ge(Si)-островки, фотонные кристаллы, имплантация. DOI: 10.61011/PJTF.2023.22.56592.19713
- Н.В. Востоков, Ю.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник, Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, А.Н. Яблонский, Письма в ЖЭТФ, 76 (6), 425 (2002). [N.V. Vostokov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, A.V. Novikov, A.N. Yablonskii, JETP Lett., 76 (6), 365 (2002). DOI: 10.1134/1.1525038]
- M. Brehm, M. Grydlik, Nanotechnology, 28, 392001 (2017). DOI: 10.1088/1361-6528/aa8143
- V. Rutckaia, F. Heyroth, A. Novikov, M. Shaleev, M. Petrov, J. Schilling, Nano Lett., 17, 6886 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03248
- M. Schatzl, F. Hackl, M. Glaser, P. Rauter, M. Brehm, L. Spindlberger, A. Simbula, M. Galli, Th. Fromherz, F. Schaffler, ACS Photon., 4, 665 (2017). DOI: 10.1021/acsphotonics.6b01045
- S.A. Dyakov, M.V. Stepikhova, A.A. Bogdanov, A.V. Novikov, D.V. Yurasov, M.V. Shaleev, Z.F. Krasilnik, S.G. Tikhodeev, N.A. Gippius, Laser Photon. Rev., 15, 2000242 (2021). DOI: 10.1002/lpor.202000242
- X. Xu, T. Chiba, T. Nakama, T. Maruizumi, Y. Shiraki, Appl. Phys. Express, 5, 102101 (2012). DOI: 10.1143/APEX.5.102101
- L. Pelaz, L.A. Marques, J. Barbolla, J. Appl. Phys., 96, 5947 (2004). DOI: 10.1063/1.1808484
- G. Capellini, M. De Seta, F. Evangelisti, Appl. Phys. Lett., 78, 303 (2001). DOI: 10.1063/1.1339263
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
