Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 19 » Статья стр. 39
<<<>>>
Обработка поверхности арсенида галлия после травления в плазме C2F5Cl
DOI: 10.61011/PJTF.2023.19.56272.19593
Министерство науки и высшего образования РФ , Cтипендия Президента Российской Федерации для молодых ученых и аспирантов, осуществляющих перспективные научные исследования и разработки по приоритетным направлениям модернизации российской экономики на 2021 - 2023 гг., СП-2056.2021.3
Охапкин А.И. 1, Краев С.А.1, Данильцев В.М.1, Дроздов М.Н.1, Королев С.А.1, Зорина М.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Email: poa89@ipmras.ru, kraev@ipmras.ru, danil@ipmras.ru, drm@ipm.sci-nnov.ru, PESH@ipm.sci-nnov.ru, mzor@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2023 г.
Принята к печати: 14 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 18 сентября 2023 г.
PDF версия
Представлены четыре различных метода обработки поверхности арсенида галлия после травления в плазме хлорпентафторэтана (C2F5Cl). Исследованы стехиометрия верхнего слоя, шероховатость, наличие загрязнений. Наиболее оптимальным из представленных методов является комбинация ex situ травления в водородной плазме с последующим снятием верхнего слоя посредством жидкостного травления в NH4OH/H2O2/H2O. Данным способом возможно удалять загрязнения как с самой поверхности, так и с боковых стенок профиля травления с уровнем шероховатости, пригодным для дальнейшего проведения процессов эпитаксиального роста. Ключевые слова: хлорпентафторэтан, плазмохимическое травление, арсенид галлия, поверхность. DOI: 10.61011/PJTF.2023.19.56272.19593
  1. М. Шур, Современные приборы на основе арсенида галлия (Мир, М., 1991). [M. Shur, GaAs devices and circuits (Plenum Press, N.Y.--London, 1987).]
  2. P.D. Ye, G.D. Wilk, J. Kwo, B. Yang, H.-J.L. Gossmann, M. Frei, S.N.G. Chu, J.P. Mannaerts, M. Sergent, M. Hong, K.K. Ng, J. Bude, IEEE Electron Dev. Lett., 24 (4), 209 (2003). DOI: 10.1109/LED.2003.812144
  3. M. Fujiwara, H. Nagata, Y. Hibi, H. Matsuo, M. Sasaki, AIP Conf. Proc., 1185 (1), 267 (2009). DOI: 10.1063/1.3292329
  4. Н.В. Востоков, В.М. Данильцев, С.А. Краев, В.Л. Крюков, Е.В. Скороходов, С.С. Стрельченко, В.И. Шашкин, ФТП, 53 (10), 1311 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.10.48282.22 [N.V. Vostokov, V.M. Daniltsev, S.A. Kraev, V.L. Krukov, E.V. Skorokhodov, S.S. Strelchenko, V.I. Shashkin, Semiconductors, 53 (10), 1279 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619100245]
  5. K. Booker, Y.O. Mayon, C. Jones, M. Stocks, A. Blakers, Vac. Sci. Technol. B., 38 (1), 012206 (2020). DOI: 10.1116/1.5129184
  6. K. Liu, X. Ren, Y. Huang, S. Cai, X. Duan, Q. Wang, C. Kang, J. Li, Q. Chen, J. Fei, Appl. Surf. Sci., 356, 776 (2015). DOI: 10.1016/j.apsusc.2015.08.022
  7. J.W. Lee, H.S. Noh, S.H. Lee, J.H. Park, K.H. Choi, S.J. Pearton, Thin Solid Films, 518 (22), 6488 (2010). DOI: 10.1016/j.tsf.2010.02.003
  8. А.И. Охапкин, С.А. Краев, М.Н. Дроздов, С.А. Королев, Е.А. Архипова, В.М. Данильцев, в сб. Материалы конф. Актуальные проблемы физической и функциональной электроники" (Ульяновск, Россия, 2022), с. 144
  9. S.J. Bass, J. Cryst. Growth, 31, 172 (1975). DOI: 10.1016/0022-0248(75)90127-X
  10. А.И. Охапкин, С.А. Краев, Е.А. Архипова, В.М. Данильцев, О.И. Хрыкин, П.А. Юнин, М.Н. Дроздов, ФТП, 56 (7), 685 (2022). DOI: 10.21883/FTP.2022.07.52760.15 [A.I. Okhapkin, S.A. Kraev, E.A. Arkhipova, V.M. Daniltsev, O.I. Khrykin, P.A. Yunin, M.N. Drozdov, Semiconductors, 56 (7), 489 (2022). DOI: 10.21883/SC.2022.07.54652.15].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme