Методом хлоридной эпитаксии из пара (HVPE) на подложках сапфира выращены три основные кристаллические модификации Ga₂O₃: α-фаза, ε-фаза и β-фаза. Установлены температуры подложек и величины потоков прекурсоров, при которых возможно получать только α-фазу, только ε-фазу или только β-фазу без смеси этих фаз. Показано, что при отжиге метастабильная ε-фаза легко переходит в стабильную β-фазу, тогда как метастабильная α-фаза при отжиге переходит в промежуточную аморфную фазу, после чего отслаивается и разрушается. Данный результат объясняется тем, что превращение из α- в β-фазу сопровождается слишком большим уменьшением плотности (~ 10%), приводящим к огромным упругим напряжениям и, как следствие, увеличению высоты барьера фазового перехода. Ключевые слова: реконструктивные фазовые переходы, оксид галлия, полиморфы, рамановский спектр.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.