Вышедшие номера
Характер поведения электрической проводимости графенового волокна мокрого формирования
Dlimi S.1, Elmourabit F.1, Id Ouissaaden F.1, Khoukh A.1, Limouny L.2, Baghaz E.3, Elkhatat H.4, El kaaouachi A.5
1LSTIC, Physics Dept., Faculty of Sciences, Chouaib Doukkali University, El Jadida, Morocco
2ESIM, Physics Dept., Faculty of Sciences and Technics, Errachidia, Morocco
3Physics Dept., Faculty of Sciences, Chouaib Doukkali University, El Jadida, Morocco
4Electrical Engineering Department, National School of Applied Sciences, Tangier, Morocco
5Physics Dept., Faculty of Sciences, Ibn Zohr University, Agadir, Morocco
Email: dlimi1975@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 февраля 2023 г.
В окончательной редакции: 9 февраля 2023 г.
Принята к печати: 23 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 10 июля 2023 г.

Представлены результаты исследования поведения проводимости изолирующей фазы при нулевом магнитном поле. Проведено теоретическое исследование температурной зависимости электрической проводимости графенового волокна, сформированного мокрым методом, и его композитов. Зависимость электронной проводимости от температуры подчиняется закону sigma~ exp(E0/E)m. Действительно, электронная проводимость в основном определяется одновременным действием двух механизмов: прыжкового механизма Эфроса-Шкловского с переменной длиной прыжка при m=1/2 и активационного механизма при m=1. С помощью двух разных методов, а именно численного метода, основанного на вычислении относительного отклонения Dev (%), и метода анализа графика производной проводимости, точнее, логарифмической производной W=dln sigma/dln E, установлено, что значение показателя m близко к единице. Ключевые слова: графен, электрическая проводимость, прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка.
  1. J. Park, W.C. Mitchel, S. Elhamri, T.C. Back, Appl. Phys. Lett.,  100, 133107 (2012). DOI: 10.1063/1.3697830
  2. J. Park, W.C. Mitchel, S. Elhamri, L. Grazulis, I. Altfeder, Phys. Rev. B, 88, 035419 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevB.88.035419
  3. S. Dlimi, A. El kaaouachi, A. Narjis, L. Limouny, A. Sybous, M. Errai, J. Phys. Chem. Solids, 74, 1349 (2013). DOI: 10.1016/j.jpcs.2013.05.004
  4. S. Dlimi, A. El kaaouachi, R. Abdia, A. Narjis, G. Biskupski, J. Hemine, L. Limouny, S. Sybous, AIP Conf. Proc., 1435, 385 (2012). DOI: 10.1063/1.4712120
  5. P. Stallinga, Adv. Mater., 23, 3356 (2011). DOI: 10.1002/adma.201101129
  6. S. Dlimi, L. Limouny, J. Hemine, A. Echchelh, A. El kaaouachi, Lith. J. Phys., 60, 167 (2020)
  7. J.L. Dunford, Y. Suganuma, A.-A. Dhirani, B. Statt, Phys. Rev. B, 72, 075441 (2005). DOI: 10.1103/PhysRevB.72.075441
  8. M. El Hassan, S. Dlimi, L. Limouny, A. El oujdi, A. Echchelh, A. El kaaouachi, Mol. Cryst. Liq. Cryst.,  726, 82 (2022). DOI: 10.1080/15421406.2021.1935160
  9. J. Foroughi, D. Antiohos, G.G. Wallace, RSC Adv., 6, 46427 (2016). DOI: 10.1039/C6RA07226G
  10. S. Dlimi, A. El kaaouachi, L. Limouny, B.A. Hammou, J. Semicond., 42, 052001 (2021). DOI: 10.1088/1674-4926/42/5/052001
  11. S. Dlimi, L. Limouny, A. El kaaouachi, Appl. Surf. Sci. Adv., 3, 100045 (2021). DOI: 10.1016/j.apsadv.2020.100045
  12. A.L. Efros, B.I. Shklovskii, J. Phys. C, 8, L49 (1975). DOI: 10.1088/0022-3719/8/4/003
  13. B.I. Shklovskii, A.L. Efros, Electronic properties of doped semiconductors (Springer-Verlag, 1984)
  14. S. Dlimi, A. El kaaouachi, A. Narjis, Physica E, 54, 181 (2013). DOI: 10.1016/j.physe.2013.07.001
  15. S. Dlimi, A. El kaaouachi, J. Korean Phys. Soc.,  77, 1218 (2020). DOI: 10.3938/jkps.77.1218
  16. L. Limouny, S. Dlimi, A. El kaaouachi, Bull. Mater. Sci., 44, 210 (2021). DOI: 10.1007/s12034-021-02485-4
  17. L. Limouny, A. El kaaouachi, R. Abdia, A. Narjis, G. Biskupski, J. Hemine, S. Sybous, S. Dlimi, AIP Conf. Proc.,  1435, 401 (2012). DOI: 10.1063/1.4712122
  18. S. Dlimi, A. El kaaouachi, L. Limouny, A. Narjis, Trans. Electr. Electron. Mater.,  23, 457 (2022). DOI: 10.1007/s42341-021-00364-7

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.