Тонкопленочный светодиод на основе слоев AlInGaN, выращенных на гибридных подложках SiC/Si
Марков Л.К.
1, Кукушкин С.А.
2, Павлюченко А.С.
1, Смирнова И.П.
1, Сахаров А.В.
1, Николаев А.Е.
1, Гращенко А.С.
2, Осипов А.В.
2, Цацульников А.Ф.
31Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com, alexey.pavluchenko@gmail.com, irina@quantum.ioffe.ru, asgrashchenko@bk.ru, andrey.v.osipov@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 18 мая 2023 г.
Принята к печати: 18 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 10 июля 2023 г.
Представлены результаты изготовления flip-chip-светодиодов с удаленной подложкой на основе гетероструктур AlInGaN, выращенных на подложках SiC/Si, синтезированных методом вакансионного согласованного замещения атомов. Показано, что использованные подложки SiС/Si являются оптимальными с точки зрения согласования параметров решетки, теплопроводности и оптических характеристик материала при низкой себестоимости. При этом упрощается процедура резки пластин на отдельные чипы и удаления непрозрачной кремниевой части подложки, а остающаяся на поверхности чипа прозрачная часть подложки (SiC) создает рельеф, облегчающий вывод света. Ключевые слова: тонкопленочные светодиоды, светодиоды на кремнии, светодиоды на карбиде кремния на кремнии, AlInGaN-гетероструктуры, SiC/Si.
- R. Zhang, X. Xiu, in Light-emitting diodes: materials, processes, devices and applications, ed. by J. Li, G.Q. Zhang (Springer, Cham, 2019), p. 1--39. DOI: 10.1007/978-3-319-99211-2_1
- T. Takeuchi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki, I. Akasaki, J. Cryst. Growth, 115, 634 (1991). DOI: 10.1016/0022-0248(91)90817-O
- M. Katagiri, H. Fang, H. Miyake, K. Hiramatsu, H. Oku, H. Asamura, K. Kawamura, Jpn. J. Appl. Phys., 53, 05FL09 (2014). DOI: 10.7567/JJAP.53.05FL09
- C.H. Cheng, A.J. Tzou, J.H. Chang, Y.C. Chi, Y.H. Lin, M.H. Shih, C.K. Lee, C.I. Wu, H.C. Kuo, C.Y. Chang, R. Lin, Sci. Rep., 6, 19757 (2015). DOI: 10.1038/srep19757
- Л.К. Марков, С.А. Кукушкин, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, А.С. Гращенко, А.В. Осипов, Г.В. Святец, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Письма в ЖТФ, 47 (18), 3 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877 [L.K. Markov, S.A. Kukushkin, I.P. Smirnova, A.S. Pavlyuchenko, A.S. Grashchenko, A.V. Osipov, G.V. Svyatets, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, Tech. Phys. Lett., 48, 31 (2022). DOI: 10.1134/S1063785022020043].
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Phys. D: Appl. Phys., 47, 313001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
- M.A. Bergmann, J. Enslin, M. Guttmann, L. Sulmoni, N.L. Ploch, F. Hjort, T. Kolbe, T. Wernicke, M. Kneissl, Angstrem. Haglund, ACS Photon., 10, 368 (2023). DOI: 10.1021/acsphotonics.2c01352
- M.A. Bergmann, J. Enslin, F. Hjort, T. Wernicke, M. Kneissl, Angstrem. Haglund, Appl. Phys. Lett., 116, 121101 (2020). DOI: 10.1063/1.5143297
- A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.V. Redkov, Catalys. Today, 397, 375 (2022). DOI: 10.1016/j.cattod.2021.08.012
- Н.А. Черкашин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, В.В. Лундин, С.О. Усов, В.М. Устинов, А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.Ф. Цацульников, Письма в ЖТФ, 47 (15), 15 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827 [N.A. Cherkashin, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, V.V. Lundin, S.O. Usov, V.M. Ustinov, A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.F. Tsatsul'nikov, Tech. Phys. Lett., 47, 753 (2021). DOI: 10.1134/S106378502108006X].
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
