Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 14 » Статья стр. 28
<<<>>>
Двухканальная гетероструктура с дополнительными цифровыми потенциальными барьерами для мощных полевых транзисторов
DOI: 10.21883/PJTF.2023.14.55822.19591
Переводная версия: 10.61011/TPL.2023.07.56449.19591
Богданов С.А.1, Карпов С.Н.1, Пашковский А.Б.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
Email: solidstate10@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 19 мая 2023 г.
Принята к печати: 19 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 28 июня 2023 г.
PDF версия
Представлены первые результаты исследования двухканальных гетероструктур с донорно-акцепторным легированием и системами чередующихся тонких слоев AlAs/GaAs, образующих дополнительные цифровые потенциальные барьеры. Показано, что из-за особенностей поперечного пространственного переноса электронов в предложенной конструкции при увеличении поверхностной плотности электронов с высокой подвижностью вдвое по сравнению с таковой для традиционных одноканальных двусторонне легированных гетероструктур даже в отсутствие цифровых барьеров всплеск дрейфовой скорости не уменьшается. Введение цифровых барьеров значительно повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при их влете в область сильного поля, приближая его в соответствующих гетероструктурах к теоретическому пределу для используемой модели - всплеску дрейфовой скорости в нелегированном объемном материале канала. Ключевые слова: двухканальная структура, цифровые барьеры, полевой транзистор, поперечный пространственный перенос.
  1. H. Wang, F. Wang, S. Li, T.Y. Huang, A.S. Ahmed, N.S. Mannem, J. Lee, E. Garay, D. Munzer, C. Snyder, S. Lee, H.T. Nguyen, M.E.D. Smith, Power amplifiers performance survey 2000-present [Электронный ресурс]. URL: https://gems.ece.gatech.edu/PA_survey.html
  2. B. Romanczyk, S. Wienecke, M. Guidry, H. Li, E. Ahmadi, X. Zheng, S. Keller, U.K. Mishra, IEEE Trans. Electron Dev., 65 (1), 45 (2018). DOI: 10.1109/TED.2017.2770087
  3. Nidhi, S. Dasgupta, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra, IEEE Electron Dev. Lett., 32 (12), 1683 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2168558
  4. Y. Tang, K. Shinohara, D. Regan, A. Corrion, D. Brown, J. Wong, A. Schmitz, H. Fung, S. Kim, M. Micovic, IEEE Electron Dev. Lett., 36 (6), 549 (2015). DOI: 10.1109/LED.2015.2421311
  5. В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, И.В. Пашковская, Письма в ЖТФ, 49 (2), 10 (2023). DOI: 10.21883/PJTF.2023.02.54278.19327 [V.M. Lukashin, A.B. Pashkovskii, I.V. Pashkovskaya, Tech. Phys. Lett., 49 (1), 51 (2023). DOI: 10.21883/TPL.2023.01.55349.19327]
  6. А.А. Борисов, К.С. Журавлев, С.С. Зырин, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, A.A. Маковецкая, В.И. Новоселец, А.Б. Пашковский, А.И. Торопов, Н.Д. Урсуляк, С.В. Щербаков, Письма в ЖТФ, 42 (16), 41 (2016). [A.A. Borisov, K.S. Zhuravlev, S.S. Zyrin, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, A.A. Makovetskaya, V.I. Novoselets, A.B. Pashkovskii, A.I. Toropov, N.D. Ursulyak, S.V. Shcherbakov, Tech. Phys. Lett., 42 (8), 848 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016080198].
  7. A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 53 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3038373
  8. N.H. Sheng, C.P. Lee, R.T. Chen, D.L. Miller, S.J. Lee, IEEE Electron Dev. Lett., 6 (6), 307 (1985). DOI: 10.1109/EDL.1985.26134
  9. А.Б. Пашковский, С.А. Богданов, А.К. Бакаров, К.С. Журавлев, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, С.Н. Карпов, И.А. Рогачев, Е.В. Терешкин, ФТП, 57 (1), 21 (2023). DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54926.355
  10. K.-Y. Chu, S.-Y. Cheng, M.-H. Chiang, Y.-J. Liu, C.-C. Huang, T.-Y. Chen, C.-S. Hsu, W.-C. Liu, W.-Y. Cheng, B.-C. Lin, Solid-State Electron., 72, 22 (2012). DOI: 10.1016/j.sse.2011.09.009

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme