Теплопроводность гибридных подложек SiC/Si для роста светодиодных гетероструктур
Кукушкин С.А.
1, Марков Л.К.
2, Осипов А.В.
1, Святец Г.В.
3, Черняков А.Е.
4, Павлов С.И.
21Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
4НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com, l.markov@mail.ioffe.ru, andrey.v.osipov@gmail.com, chernyakov.anton@yandex.ru, pavlov_sergey@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 17 мая 2023 г.
Принята к печати: 17 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 28 июня 2023 г.
Экспериментально исследованы тепловые характеристики образцов SiC/Si, полученных методом согласованного замещения атомов, при различных толщинах SiC. Установлено, что при толщинах SiC, меньших 200 nm, тепловое сопротивление SiC/Si примерно равно 2 K/W, что совпадает с величиной для чистой подложки кремния. Такие образцы будут прекрасно отводить тепло от светоизлучающей гетероструктуры, выращенной на SiC/Si. При увеличении толщины SiC происходит отслоение пленки SiC, что приводит к потере теплового контакта между SiC и Si. Тепловое сопротивление возрастает при этом более чем на два порядка. Возможность легкого удаления непрозрачной части подложки может лечь в основу технологии изготовления светодиодных чипов flip-chip-конструкции. Ключевые слова: светодиоды, карбид кремния на кремнии, III-V гетероструктуры, тепловое сопротивление.
- Gallium oxide. Materials properties, crystal growth, and devices, ed by M. Higashiwaki, Sh. Fujita. Springer Ser. in Materials Science (Springer, Cham, 2020), vol. 293. DOI: 10.1007/978-3-030-37153-1
- С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, ЖОХ, 92 (4), 547 (2022). DOI: 10.31857/S0044460X22040023 [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Russ. J. Gen. Chem., 92, 584 (2022). DOI: 10.1134/S1070363222040028]
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Condens. Matter Interphases, 24, 407 (2022). DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/10549
- Н.А. Черкашин, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, В.В. Лундин, С.О. Усов, В.М. Устинов, А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, А.Ф. Цацульников, Письма в ЖТФ, 47 (15), 15 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827 [N.A. Cherkashin, A.V. Sakharov, A.E. Nikolaev, V.V. Lundin, S.O. Usov, V.M. Ustinov, A.S. Grashchenko, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A.F. Tsatsul'nikov, Tech. Phys. Lett., 47, 753 (2021). DOI: 10.1134/S106378502108006X]
- Л.К. Марков, С.А. Кукушкин, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, А.С. Гращенко, А.В. Осипов, Г.В. Святец, А.Е. Николаев, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, Письма в ЖТФ, 47 (18), 3 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.18.51462.18877 [L.K. Markov, S.A. Kukushkin, I.P. Smirnova, A.S. Pavlyuchenko, A.S. Grashchenko, A.V. Osipov, G.V. Svyatets, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, Tech. Phys. Lett., 48, 31 (2022). DOI: 10.1134/S1063785022020043]
- T3Ster MicReD, "T3Ster" [Электронный ресурс]. URL: https://www.mentor.com/products/mechanical/micred/t3ster/
- IC Thermal Measurement Method --- Electrical Test Method EIA/JEDEC JESD51-1 Standard [Электронный ресурс]. URL: http://www.jedec.org/standards-documents/results/JESD51-1]
- C. Lasance, A. Poppe, Thermal management for LED applications. Solid State Lighting Technology and Application Ser. (Springer, N.Y., 2014). DOI: 10.1007/978-1-4614-5091-7
- J. Vishnu Chandar, S. Shanmugan, D. Mutharasu, M. Khairudin, A.A. Azlan, Polym.-Plast. Technol. Mater., 59, 106 (2020). DOI: 10.1080/25740881.2019.1625392
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
