Вышедшие номера
Определение стехиометрии покрытий AlN радиоактивацией сгустками коллективно ускоренных дейтронов
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20-21-00025\20
Росатом, 20-21-00025\20
Рыжков В.А. 1, Журавлев М.В. 1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Email: ryzhkov@tpu.ru
Поступила в редакцию: 30 января 2023 г.
В окончательной редакции: 15 мая 2023 г.
Принята к печати: 16 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 18 июня 2023 г.

Показано использование сгустков дейтронов (числом до 1013 за выстрел), коллективно ускоренных в диоде Люса до средней энергии 1200± 200 keV, для радиоактивационного определения стехиометрии покрытий AlN с известной толщиной. В каждом выстреле энергия дейтронов определялась измерением скорости дрейфа виртуального катода, коллективно ускоряющего сгустки дейтронов, а стехиометрия покрытия определялась с точностью не хуже ± 5% по соотношению активностей радионуклидов 28Al/15O, индуцированных в ядерных реакциях 27Al(d,p)28Al и 14N(d,n)15O соответственно. Ключевые слова: коллективное ускорение ионов, виртуальный катод, радиоактивационный анализ, стехиометрия, покрытие.