Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 13 » Статья стр. 35
<<<>>>
Влияние кинетики атомных ступеней на рост многокомпонентных кристаллов в условиях повышенных пересыщений
DOI: 10.21883/PJTF.2023.13.55735.19570
Переводная версия: 10.61011/TPL.2023.07.56441.19570
Российский научный фонд, 21-72-00032
Редьков А.В. 1, Кукушкин С.А.1
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: avredkov@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 3 мая 2023 г.
Принята к печати: 11 мая 2023 г.
Выставление онлайн: 18 июня 2023 г.
PDF версия
Исследован процесс роста многокомпонентного кристалла при повышенных пересыщениях в случаях, когда классическое приближение о неподвижности атомных ступеней становится некорректным. Выведены аналитические выражения, описывающие скорость движения ансамбля ступеней на кристаллической поверхности, а также скорость роста кристалла по слоистому и слоисто-спиральному механизмам. Результаты могут быть использованы для оптимизации процессов роста как объемных кристаллов, так и толстых эпитаксиальных пленок различных многокомпонентных соединений, в частности полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6. Ключевые слова: теория роста кристаллов, атомные ступени, скорость роста, многокомпонентный кристалл, эпитаксия, полупроводники.
  1. P. Politi, G. Grenet, A. Marty, A. Ponchet, J. Villain, Phys. Rep., 324 (5-6), 271 (2000). DOI: 10.1016/S0370-1573(99)00046-0
  2. V.G. Dubrovskii, Nucleation theory and growth of nanostructures (Springer, Berlin, 2014). DOI: 10.1007/978-3-642-39660-1
  3. А.А. Чернов, УФН, 73 (2), 277 (1961). DOI: 10.3367/UFNr.0073.196102c.0277 [A.A. Chernov, Sov. Phys. Usp., 4 (1), 116 (1961). DOI: 0.1070/PU1961v004n01ABEH003328]
  4. S. Fujita, Jpn. J. Appl. Phys., 54 (3), 030101 (2015). DOI: 10.7567/JJAP.54.030101
  5. H.M. El-Hageen, A.M. Alatwi, A.N.Z. Rashed, Open Eng., 10 (1), 506 (2020). DOI: 10.1515/eng-2020-0065
  6. B. Mao, G. Zhao, L. Wang, N. Zhang, H. Du, G. Liu, Semicond. Sci. Technol., 38 (3), 035014 (2023). DOI: 10.1088/1361-6641/acb6ad
  7. А.В. Редьков, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин, ФТТ, 57 (12), 2451 (2015). [A.V. Redkov, A.V. Osipov, S.A. Kukushkin, Phys. Solid State, 57 (12), 2524 (2015). DOI: 10.1134/S106378341512029X]
  8. Y. Zheng, M. Agrawal, N. Dharmarasu, K. Radhakrishnan, S. Patwal, Appl. Surf. Sci., 481, 319 (2019). DOI: 10.1016/j.apsusc.2019.03.046
  9. A.V. Redkov, S.A. Kukushkin, Cryst. Growth Des., 20 (4), 2590 (2020). DOI: 10.1021/acs.cgd.9b01721
  10. A.V. Redkov, S.A. Kukushkin, Cryst. Growth Des., 21 (9), 4914 (2021). DOI: 10.1021/acs.cgd.1c00349
  11. A.V. Redkov, S.A. Kukushkin, Faraday Discuss., 235, 362 (2022). DOI: 10.1039/D1FD00083G
  12. A.V. Redkov, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, J. Cryst. Growth, 548, 125845 (2020). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125845
  13. W.K. Burton, N. Cabrera, F.C. Frank, Phil. Trans. Roy. Soc. A, 243 (866), 299 (1951). DOI: 10.1098/rsta.1951.0006
  14. R. Ghez, S.S. Iyer, IBM J. Res. Develop., 32 (6), 804 (1988). DOI: 10.1147/rd.326.0804
  15. K. Voigtlaender, H. Risken, E. Kasper, Appl. Phys. A, 39 (1), 31 (1986). DOI: 10.1007/BF01177161
  16. O. Brandt, H. Yang, K.H. Ploog, Phys. Rev. B, 54 (7), 4432 (1996). DOI: 10.1103/PhysRevB.54.4432
  17. С.А. Кукушкин, В.Н. Бессолов, А.В. Осипов, А.В. Лукьянов, ФТТ, 44 (7), 1337 (2002). [S.A. Kukushkin, V.N. Bessolov, A.V. Osipov, A.V. Luk'yanov, Phys. Solid State, 44 (7), 1399 (2002). DOI: 10.1134/1.1494642].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme