Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 10 » Статья стр. 43
<<<
Тонкие монокристаллические слои α-Cr2O3, выращенные на подложках сапфира в реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2023.10.55434.19549
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.05.56036.19549
Николаев В.И.1, Тимашов Р.Б.1, Степанов А.И.1, Степанов С.И.2, Чикиряка А.В.1, Щеглов М.П.1, Поляков А.Я.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: chikiryaka@mail.ru
Поступила в редакцию: 7 марта 2023 г.
В окончательной редакции: 7 марта 2023 г.
Принята к печати: 28 марта 2023 г.
Выставление онлайн: 18 апреля 2023 г.
PDF версия
Проведен синтез монокристаллического слоя α-Cr2O3 на подложке сапфира базисной ориентации в лабораторном реакторе ультразвуковой паровой химической эпитаксии. Изучено влияние температуры роста слоя в диапазоне 700-850oC на его структурное качество по данным рентгеновской дифракции. При температуре 800oC в зоне подложки получены сплошные слои толщиной около 1 μm, прозрачные в видимой области, со слегка зеленоватым оттенком, сохраняющие некоторое пропускание света вплоть до длин волн ~ 350 nm. Полуширина на полувысоте рентгеновской кривой качания ω-сканирования для отражения 0006 составила ~ 300 arcsec. Ключевые слова: оксид хрома, CVD-эпитаксия, широкозонный полупроводник.
  1. A. Moumen, C. Gayan, W. Kumarage, E. Comini, Sensors, 22, 1359 (2022). DOI: 10.3390/s22041359
  2. H. Kim, J. Lee, Sensors Actuators B, 192, 607 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2013.11.005
  3. Z. Wang, P. Nayak, J. Caraveo-Frescas, H. Alshareef, Adv. Mater., 28, 3831 (2016). DOI: 10.1002/adma.201503080
  4. K. Kaneko, S. Fujita, J. Mater. Res., 37, 651 (2022). DOI: 10.1557/s43578-021-00439-4
  5. M. Abdullah, F. Rajab, S. Al-Abbas, AIP Adv., 4, 027121 (2014). DOI: 10.1063/1.4867012
  6. S. Jeong, J. Lee, H. Na, T. Seong, Thin Solid Films, 518, 4813 (2010). DOI: 10.1016/j.tsf.2010.01.046
  7. A. Almaev, B. Kushnarev, E. Chernikov, V. Novikov, P. Korusenko, S. Nesov, Superlatt. Microstruct., 151, 106835 (2021). DOI: 10.1016/j.spmi.2021.106835
  8. E. Arca, K. Fleischer, I. Shvets, Appl. Phys. Lett., 99, 111910 (2011). DOI: 10.1063/1.3638461
  9. S. Sahoo, C. Binek, Phil. Mag. Lett., 87, 259 (2007). DOI: 10.1080/09500830701253177
  10. J. Singh, V. Verma, R. Kumar, R. Kumar, Mater. Res. Express, 6, 106406 (2019). DOI: 10.1088/2053-1591/ab3543
  11. T. Ivanova, K. Gesheva, A. Cziraki, A. Szekeres, E. Vlaikova, J. Phys.: Conf. Ser., 113, 012030 (2008). DOI: 10.1088/1742-6596/113/1/012030
  12. G. Dang, Y. Suwa, M. Sakamoto, L. Liu, P. Rutthongjan, S. Sato, T. Yasuoka, R. Hasegawa, T. Kawaharamura, Appl. Phys. Express, 11, 111101 (2018). DOI: 10.7567/apex.11.111101
  13. K. Kaneko, T. Nomura, S. Fujita, Phys. Status Solidi C, 7, 2467 (2010). DOI: 10.1002/pssc.20098389
  14. S. Stepanov, V. Nikolaev, A. Almaev, A. Pechnikov, M. Scheglov, A. Chikiryaka, B. Kushnarev, A. Polyakov, Mater. Phys. Mech., 47, 577 (2021). DOI: 10.18149/MPM.4742021_4
  15. W. Fernelius, J. Blanch, B. Bryant, K. Terada, R. Drago, J. Stille, Inorg. Synth., 5, 130 (2007). DOI: 10.1002/9780470132364.ch35
  16. А.А. Нефедов, А.В. Тарасова, В.А. Федоров, ЖНХ, 48 (4), 677 (2003). [A.A. Nefedov, A.V. Tarasova, V.A. Fedorov, Russ. J. Inorg. Chem., 48 (4), 594 (2003).]
  17. T. Kudo, K. Sekiguchi, K. Sankoda, N. Namiki, S. Nii, Ultrason. Sonochem., 37, 16 (2017). DOI: 10.1016/j.ultsonch.2016.12.019
  18. K. Kim, M. Ha, Y. Kwon, H. Lee, S. Jeong, S. Bae, ECS J. Solid State Sci. Technol., 8, Q3165 (2019). DOI: 10.1149/2.0301907jss
  19. T. Ma, X. Chen, F. Ren, S. Zhu, S. Gu, R. Zhang, Y. Zheng, J. Ye, J. Semicond., 40, 012804 (2019). DOI: 10.1088/1674-4926/40/1/012804

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme