Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 6 » Статья стр. 32
<<<>>>
Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm
DOI: 10.21883/PJTF.2023.06.54814.19458
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.03.55690.19458
Минтаиров С.А.1, Малевская А.В.1, Минтаиров М.А.1, Нахимович М.В.1, Салий Р.А.1, Шварц М.З.1, Калюжный Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mintairov@scell.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 9 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 11 января 2023 г.
Принята к печати: 11 января 2023 г.
Выставление онлайн: 15 февраля 2023 г.
PDF версия
Изготовлены оптимизированные фотопреобразователи на основе гетероструктур GaInP/GaAs, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии, для работы с лазерным излучением высокой мощности зелено-красного спектрального диапазона. Для формирования лицевой контактной сетки приборов исследованы контактные системы Au(Ge)/Ni/Au и Pd/Ge/Au. В результате фотопреобразователь лазерной линии с длиной волны 600 nm с Pd/Ge/Au-контактом демонстрировал КПД более 50% вплоть до плотности мощности падающего излучения 30 W/cm2 с максимальным значением 54.4% при 7 W/cm2. Ключевые слова: фотопреобразователь, лазерное излучение, металлоорганическая газофазная эпитаксия (МОСГФЭ), КПД, спектральная чувствительность.
  1. H. Helmers, E. Lopez, O. Hohn, D. Lackner, J. Schon, M. Schauerte, M. Schachtner, F. Dimroth, A.W. Bett, Phys. Status Solidi RRL, 15 (7), 2100113 (2021). DOI: 10.1002/pssr.202100113
  2. V. Khvostikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mintairov, N. Potapovich, M. Shvarts, S. Sorokina, A. Luque, V. Andreev, AIP Conf. Proc., 1616 (1), 21 (2014). DOI: 10.1063/1.4897019
  3. S. Fafard, M.C.A. York, F. Proulx, C.E. Valdivia, M.M. Wilkins, R. Ares, V. Aimez, K. Hinzer, D.P. Masson, Appl. Phys. Lett., 108 (7), 071101 (2016). DOI: 10.1063/1.4941240
  4. S. Fafard, D.P. Masson, J. Appl. Phys., 130 (16), 160901 (2021). DOI: 10.1063/5.0070860
  5. В.П. Хвостиков, С.В. Сорокина, Н.С. Потапович, О.А. Хвостикова, Н.Х. Тимошина, ФТП, 51 (5), 676 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44428.8427 [V.P. Khvostikov, S.V. Sorokina, N.S. Potapovich, O.A. Khvostikova, N.K. Timoshina, Semiconductors, 51 (5), 645 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617050128]
  6. E. Lopez, O. Hohn, M. Schauerte, D. Lackner, M. Schachtner, S.K. Reichmuth, H. Helmers, Prog. Photovolt. Res. Appl., 29 (4), 461 (2021). DOI: 10.1002/pip.3391
  7. L. Summerer, O. Purcell, in Proc. Eur. Space Agency (ESA)-Adv. Concepts Team (2009). https://www.esa.int/gsp/ACT/doc/POW/ACT-RPR-NRG-2009- SPS-ICSOS-concepts-for-laser-WPT.pdf
  8. M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, S.R. Wenham, IEEE Electron Dev. Lett., 13 (6), 317 (1992). DOI: 10.1109/55.145070
  9. H.D. Law, W.W. Ng, K. Nakano, P.D. Dapkus, D.R. Stone, IEEE Electron Dev. Lett., 2 (2), 26 (1981). DOI: 10.1109/EDL.1981.25327
  10. J. Yin, Y. Sun, S. Yu, Y. Zhao, R. Li, J. Dong, J. Semicond., 41 (6), 062303 (2020). DOI: 10.1088/1674-4926/41/6/062303
  11. N. Singh, G.K.F. Ho, Y.N. Leong, K.E.K. Lee, H. Wang, IEEE Electron Dev. Lett., 37 (9), 1154 (2016). DOI: 10.1109/LED.2016.2591015
  12. N.A. Kalyuzhnyy, V.M. Emelyanov, V.V. Evstropov, S.A. Mintairov, M.A. Mintairov, M.V. Nahimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, Solar Energy Mater. Solar Cells, 217, 110710 (2020). DOI: 10.1016/j.solmat.2020.110710
  13. Y. Kim, H.-B. Shin, W.-H. Lee, S.H. Jung, C.Z. Kim, H. Kim, Y.T. Lee, H.K. Kang, Solar Energy Mater. Solar Cells, 200, 109984 (2019). DOI: 10.1016/j.solmat.2019.109984
  14. M.Z. Shvarts, V.M. Emelyanov, D.A. Malevskiy, M.A. Mintairov, S.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, P.V. Pokrovskiy, R.A. Salii, N.A. Kalyuzhnyy, IEEE Electron Dev. Lett., 41 (9), 1324 (2020). DOI: 10.1109/LED.2020.3012023
  15. J. Melo, A. Matos, Ocean Eng., 139, 250 (2017). DOI: 10.1016/j.oceaneng.2017.04.047
  16. R. Jomen, F. Tanaka, T. Akiba, M. Ikeda, K. Kiryu, M. Matsushita, H. Maenaka, P. Dai, S. Lu, S. Uchida, Jpn. J. Appl. Phys., 57 (8S3), 08RD12 (2018). DOI: 10.7567/JJAP.57.08RD12
  17. K. Kurooka, T. Honda, Y. Komazawa, R. Warigaya, S. Uchida, Appl. Phys. Express, 15 (6), 062003 (2022). DOI: 10.35848/1882-0786/ac67bb
  18. С.А. Минтаиров, В.В. Евстропов, М.А. Минтаиров, М.В. Нахимович, Р.А. Салий, М.З. Шварц, Н.А. Калюжный, Письма в ЖТФ, 48 (5), 24 (2022). DOI: 10.21883/PJTF.2022.05.52151.19080 [S.A. Mintairov, V.V. Evstropov, M.A. Mintairov, M.V. Nakhimovich, R.A. Salii, M.Z. Shvarts, N.A. Kalyuzhnyy, Tech. Phys. Lett., 48 (3), 22 (2022). DOI: 10.21883/TPL.2022.03.52876.19080]
  19. C.А. Минтаиров, В.М. Андреев, В.М. Емельянов, Н.А. Калюжный, Н.К. Тимошина, М.З. Шварц, В.М. Лантратов, ФТП, 44 (8), 1118 (2010). [S.A. Mintairov, V.M. Andreev, V.M. Emelyanov, N.A. Kalyuzhnyy, N.K. Timoshina, M.Z. Shvarts, V.M. Lantratov, Semiconductors, 44 (8), 1084 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610080233]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme