Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 5 » Статья стр. 32
<<<>>>
Влияние постростовой обработки плазмой азота на структурные и оптические свойства InGaN
DOI: 10.21883/PJTF.2023.05.54668.19452
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.03.55679.19452
Российский научный фонд, 23-22-00349
Санкт-Петербургский государственный университет, 92591131
Высшая школа экономики, Программа фундаментальных исследований НИУ ВШЭ
Гридчин В.О.1,2,3, Сошников И.П.2,3,4, Резник Р.Р.1, Комаров С.Д.5, Пирогов Е.В.2, Лендяшова В.В.1,2,4, Котляр К.П.1,2,3, Крыжановская Н.В.5, Цырлин Г.Э.1,2,3,4
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
Email: gridchinvo@gmail.com
Поступила в редакцию: 6 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 26 декабря 2022 г.
Принята к печати: 27 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 1 февраля 2023 г.
PDF версия
Исследуется влияние условий остывания после эпитаксиального роста на структурные и оптические свойства наноструктур InGaN, синтезируемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота. Показано, что остывание образца с выключенным источником плазмы азота способствует подавлению фазового распада по элементному составу в наноструктурах InGaN. При этом наблюдается повышение интегральной интенсивности фотолюминесценции от образцов в 2 раза. Ключевые слова: InGaN, кремний, наноструктуры, фотолюминесценция, структурные свойства, оптические свойства, молекулярно-пучковая эпитаксия, плазма азота.
  1. S. Chu, W. Li, Y. Yan, T. Hamann, I. Shih, D. Wang, Z. Mi, Nano Futures, 1 (2), 022001 (2017). DOI: 10.1088/2399-1984/aa88a1
  2. N.H. Alvi, P.E.D. Soto Rodriguez, P. Kumar, V.J. Gomez, P. Aseev, A.H. Alvi, M.A. Alvi, M. Willander, R. Notzel, Appl. Phys. Lett., 104 (22), 223104 (2014). DOI: 10.1063/1.4909515
  3. I. Ho, G. Stringfellow, Appl. Phys. Lett., 69 (18), 2701 (1996). DOI: 10.1063/1.117683
  4. M.A. Der Maur, A. Pecchia, G. Penazzi, R. Walter, D.C. Aldo, Phys. Rev. Lett., 116 (2), 027401 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevLett.116.027401
  5. K.F. Jorgensen, B. Bonef, J.S. Speck, J. Cryst. Growth, 546, 125738 (2020). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2020.125738
  6. H. Turski, M. Siekacz, Z.R. Wasilewski, M. Sawicka, S. Porowski, C. Skierbiszewski, J. Cryst. Growth, 367, 115 (2013). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.026
  7. В.О. Гридчин, Р.Р. Резник, К.П. Котляр, А.С. Драгунова, Н.В. Крыжановская, А.Ю. Серов, С.А. Кукушкин, Г.Э. Цырлин, Письма в ЖТФ, 47 (21), 32 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.21.51626.18894
  8. T. Tabata, J. Paek, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano, Phys. Status Solidi C, 9 (3-4), 646 (2012). DOI: 10.1002/pssc.201100446
  9. V.O. Gridchin, K.P. Kotlyar, R.R. Reznik, A.S. Dragunova, N.V. Kryzhanovskaya, V.V. Lendyashova, D.A. Kirilenko, I.P. Soshnikov, D.S. Shevchuk, G.E. Cirlin, Nanotechnology, 32 (33), 335604 (2021). DOI: 10.1088/1361-6528/ac0027
  10. P.E.D. Soto Rodriguez, P. Kumar, V.J. Gomez, N.H. Alvi, J.M. Manuel, F.M. Morales, J.J. Jimenez, R. Garci a, E. Calleja, R. Notzel, Appl. Phys. Lett., 102 (17), 173105 (2013). DOI: 10.1063/1.4803017
  11. P. Kumar, P.E.D. Rodriguez, V.J. Gomez, N.H. Alvi, E. Calleja, R. Notzel, Appl. Phys. Express, 6 (3), 035501 (2013). DOI: 10.7567/APEX.6.035501
  12. S.Valdueza-Felip, E. Bellet-Amalric, A. Nunez-Cascajero, Y. Wang, M.-P. Chauvat, P. Ruterana, S. Pouget, K. Lorenz, E. Alves, E. Monroy, J. Appl. Phys., 116 (23), 233504 (2014). DOI: 10.1063/1.4903944
  13. Р.Р. Резник, В.О. Гридчин, К.П. Котляр, Н.В. Крыжановская, С.В. Морозов, Г.Э. Цырлин, ФТП, 54 (9), 884 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.09.49826.18 [R.R. Reznik, V.O. Gridchin, K.P. Kotlyar, N.V. Kryzhanovskaya, S.V. Morozov, G.E. Cirlin, Semiconductors, 54 (9), 1075 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620090237].
  14. И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, В.Н. Неведомский, Ю.Б. Самсоненко, В.М. Устинов, ФТТ, 49 (8), 1373 (2007). [I.P. Soshnikov, G.E. Cirlin, A.A. Tonkikh, V.N. Nevedomskivi, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov, Phys. Solid State, 49 (8), 1440 (2007). DOI: 10.1134/S1063783407080069]
  15. C.-C. Chen, C.-C. Yeh, C.-H. Chen, M.-Y. Yu, H.-L. Liu, J.-J. Wu, K.-H. Chen, L.-C. Chen, J.-Y. Peng, Y.-F. Chen, J. Am. Chem. Soc., 123 (12), 2791 (2001). DOI: 10.1021/ja0040518
  16. X.M. Cai, Y.H. Leung, K.Y. Cheung, K.H. Tam, A.B. Djurivsic, M.H. Xie, H.Y. Chen, S. Gwo, Nanotechnology, 17 (9), 2330 (2006). DOI: 10.1088/0957-4484/17/9/042
  17. G. Orsal, Y.E. Gmili, N. Fressengeas, J. Streque, R. Djerboub, T. Moudakir, S. Sundaram, A. Ougazzaden, J.P. Salvestrini, Opt. Mater. Express, 4 (5), 1030 (2014). DOI: 10.1364/OME.4.001030
  18. В.Ю. Давыдов, А.А. Клочихин, ФТП, 38 (8), 897 (2004). [V.Yu. Davydov, A.A. Klochikhin, Semiconductors, 38 (8), 861 (2004). DOI: 10.1134/1.1787109].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme