Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Тестовые структуры на базе SiC с тонкими слоями графена для определения аппаратной функции для Кельвин-зонд-микроскопии
Российский научный фонд, 22-12-00134
Министерство образования и науки Российской Федераци, договор № 075-15-2021-1349
Поступила в редакцию: 18 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 18 октября 2022 г.
Принята к печати: 13 декабря 2022 г.
Выставление онлайн: 16 января 2023 г.
Предложен метод определения аппаратной функции при измерениях поверхностного потенциала в режиме Кельвин-зонд-микроскопии. Метод основан на применении в качестве тестовой структуры поверхности политипов SiC, содержащих области однослойного и двухслойного графена. Измерение профилей потенциала вдоль различных направлений на такой поверхности позволяет определить аппаратную функцию для зондовых измерений потенциала. Используя аппаратную функцию, можно выполнять процедуру деконволюции и восстанавливать точный потенциал поверхности. Ключевые слова: сканирующая зондовая микроскопия, Кельвин-зонд-микроскопия, потенциал поверхности, тестовые структуры, графен, карбид кремния.
- J. Berwanger, S. Polesya, S. Mankovsky, H. Ebert, F. Giessibl, Phys. Rev. Lett., 124 (9), 096001 (2020). DOI: 10.1103/PhysRevLett.124.096001
- M.S. Dunaevskiy, P.A. Alekseev, P. Girard, E. Lahderanta, A. Lashkul, A.N. Titkov, J. Appl. Phys., 110, 084304 (2011). DOI: 10.1063/1.3651396
- H. Sugimura, Y. Ishida, K. Hayashi, O. Takai, Appl. Phys. Lett., 80, 1459 (2002). DOI: 10.1063/1.1455145
- T. Machleidt, E. Sparrer, D. Kapusi, K. Franke, Meas. Sci. Technol., 20, 084017 (2009). DOI: 10.1088/0957-0233/20/8/084017
- В.Ю. Давыдов, Д.Ю. Усачёв, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, В.С. Левицкий, И.А. Елисеев, П.А. Алексеев, М.С. Дунаевский, О.Ю. Вилков, А.Г. Рыбкин, А.А. Лебедев, ФТП, 51 (8), 1116 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44800.8559 [V.Yu. Davydov, D.Yu. Usachov, S.P. Lebedev, A.N. Smirnov, V.S. Levitskii, I.A. Eliseyev, P.A. Alekseev, M.S. Dunaevskiy, O.Yu. Vilkov, A.G. Rybkin, A.A. Lebedev, Semiconductors, 51, 1072 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617080073]
- A.A. Lebedev, V.Yu. Davydov, D.Yu. Usachov, S.P. Lebedev, A.N. Smirnov, I.A. Eliseyev, M.S. Dunaevskiy, E.V. Gushchina, K.A. Bokai, J. Pezoldt, Semiconductors, 52, 1882 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618140154
- T. Filleter, K.V. Emtsev, Th. Seyller, R. Bennewitz, Appl. Phys. Lett., 93, 133117 (2008). DOI: 10.1063/1.2993341
- D. Necas, P. Klapetek, Cent. Eur. J. Phys., 10, 181 (2012). DOI: 10.2478/s11534-011-0096-2
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
