Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к n-GaAs на ее электрические характеристики
Российский научный фонд , 22-19 00057
Малевская А.В.
1, Солдатенков Ф.Ю.
1, Левин Р.В.
1, Потапович Н.С.
11Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, Lev@vpegroup.ioffe.ru, nspotapovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 23 ноября 2022 г.
Принята к печати: 24 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 8 января 2023 г.
Выполнены исследования влияния режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au на величину удельного переходного контактного сопротивления к слою GaAs n-типа проводимости. Исследовано влияние способа обработки поверхности образцов перед напылением слоев и режимов термического отжига в атмосфере H2, N2 и Ar на параметры контактной системы. Достигнуты значения удельного переходного контактного сопротивления (2-3)· 10-6 Ω· cm2 при пониженной до 190oC температуре вжигания. Ключевые слова: Pd/Ge/Au, n-GaAs, обработка поверхности, термический отжиг.
- H.J. Levinson, Principles of lithography, 3rd ed. (SPIE, Washington, 2010)
- V.P. Khvostikov, A.N. Panchak, O.A. Khvostikova, P.V. Pokrovskiy, IEEE Electron Dev. Lett., 43 (10), 1117 (2022). DOI: 10.1109/LED.2022.3202987
- A.N. Panchak, V.P. Khvostikov, P.V. Pokrovskiy, Opt. Laser Technol., 136, 106735 (2021). DOI: 10.1016/j.optlastec.2020.106735
- В.П. Хвостиков, П.В. Покровский, О.А. Хвостикова, А.Н. Паньчак, В.М. Андреев, Письма в ЖТФ, 44 (17), 42 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46569.17400 [V.P. Khvostikov, P.V. Pokrovskii, O.A. Khvostikova, A.N. Pan'chak, V.M. Andreev, Tech. Phys. Lett., 44 (9), 776 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018090079]
- A. Zekry, A.Y. Al-Mazroo, IEEE Trans. Electron Dev., 43 (5), 691 (1996). DOI: 10.1109/16.491244
- А.В. Малевская, Ю.М. Задиранов, А.А. Блохин, В.М. Андреев, Письма в ЖТФ, 45 (20), 15 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48386.17916 [A.V. Malevskaya, Yu.M. Zadiranov, A.A. Blokhin, V.M. Andreev, Tech. Phys. Lett., 45 (10), 1024 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019100262]
- P.H. Hao, L.C. Wang, F. Deng, S.S. Lau, J.Y. Cheng, J. Appl. Phys., 79 (8), 4211 (1996). DOI: 10.1063/1.361788
- L.C. Wang, P.H. Hao, J.Y. Cheng, F. Deng, S.S. Lau, J. Appl. Phys., 79 (8), 4216 (1996). DOI: 10.1063/1.361789
- D.M. Mitin, F.Yu. Soldatenkov, A.M. Mozharov, A.A. Vasil'ev, V.V. Neplokh, I.S. Mukhin, Nanosyst. Phys. Chem. Math., 9 (6), 789 (2018). DOI: 10.17586/2220-8054-2018-9-6-789-792
- E.D. Marshall, B. Zhang, L.C. Wang, P.F. Jiao, W.X. Chen, T. Sawada, S.S. Lau, K.L. Kavanagh, T.F. Kuech, J. Appl. Phys., 62 (3), 942 (1987). DOI: 10.1063/1.339705
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
