Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 3 » Статья стр. 15
<<<>>>
Влияние режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au к n-GaAs на ее электрические характеристики
DOI: 10.21883/PJTF.2023.03.54459.19409
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.02.55361.19409
Российский научный фонд , 22-19 00057
Малевская А.В. 1, Солдатенков Ф.Ю. 1, Левин Р.В. 1, Потапович Н.С. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: amalevskaya@mail.ioffe.ru, f.soldatenkov@mail.ioffe.ru, Lev@vpegroup.ioffe.ru, nspotapovich@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 23 ноября 2022 г.
Принята к печати: 24 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 8 января 2023 г.
PDF версия
Выполнены исследования влияния режимов формирования контактной системы Pd/Ge/Au на величину удельного переходного контактного сопротивления к слою GaAs n-типа проводимости. Исследовано влияние способа обработки поверхности образцов перед напылением слоев и режимов термического отжига в атмосфере H2, N2 и Ar на параметры контактной системы. Достигнуты значения удельного переходного контактного сопротивления (2-3)· 10-6 Ω· cm2 при пониженной до 190oC температуре вжигания. Ключевые слова: Pd/Ge/Au, n-GaAs, обработка поверхности, термический отжиг.
  1. H.J. Levinson, Principles of lithography, 3rd ed. (SPIE, Washington, 2010)
  2. V.P. Khvostikov, A.N. Panchak, O.A. Khvostikova, P.V. Pokrovskiy, IEEE Electron Dev. Lett., 43 (10), 1117 (2022). DOI: 10.1109/LED.2022.3202987
  3. A.N. Panchak, V.P. Khvostikov, P.V. Pokrovskiy, Opt. Laser Technol., 136, 106735 (2021). DOI: 10.1016/j.optlastec.2020.106735
  4. В.П. Хвостиков, П.В. Покровский, О.А. Хвостикова, А.Н. Паньчак, В.М. Андреев, Письма в ЖТФ, 44 (17), 42 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.17.46569.17400 [V.P. Khvostikov, P.V. Pokrovskii, O.A. Khvostikova, A.N. Pan'chak, V.M. Andreev, Tech. Phys. Lett., 44 (9), 776 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018090079]
  5. A. Zekry, A.Y. Al-Mazroo, IEEE Trans. Electron Dev., 43 (5), 691 (1996). DOI: 10.1109/16.491244
  6. А.В. Малевская, Ю.М. Задиранов, А.А. Блохин, В.М. Андреев, Письма в ЖТФ, 45 (20), 15 (2019). DOI: 10.21883/PJTF.2019.20.48386.17916 [A.V. Malevskaya, Yu.M. Zadiranov, A.A. Blokhin, V.M. Andreev, Tech. Phys. Lett., 45 (10), 1024 (2019). DOI: 10.1134/S1063785019100262]
  7. P.H. Hao, L.C. Wang, F. Deng, S.S. Lau, J.Y. Cheng, J. Appl. Phys., 79 (8), 4211 (1996). DOI: 10.1063/1.361788
  8. L.C. Wang, P.H. Hao, J.Y. Cheng, F. Deng, S.S. Lau, J. Appl. Phys., 79 (8), 4216 (1996). DOI: 10.1063/1.361789
  9. D.M. Mitin, F.Yu. Soldatenkov, A.M. Mozharov, A.A. Vasil'ev, V.V. Neplokh, I.S. Mukhin, Nanosyst. Phys. Chem. Math., 9 (6), 789 (2018). DOI: 10.17586/2220-8054-2018-9-6-789-792
  10. E.D. Marshall, B. Zhang, L.C. Wang, P.F. Jiao, W.X. Chen, T. Sawada, S.S. Lau, K.L. Kavanagh, T.F. Kuech, J. Appl. Phys., 62 (3), 942 (1987). DOI: 10.1063/1.339705

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme