Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 27
<<<>>>
Особенности фотоэлектронных спектров Ge, имплантированного ионами Na+
DOI: 10.21883/PJTF.2023.01.54054.19311
Переводная версия: 10.21883/TPL.2023.01.55342.19311
Абраева С.Т.1, Ташмухамедова Д.А.1, Юсупжанова М.Б.1, Умирзаков Б.Е. 1
1Ташкентский государственный технический университет им. И.А. Каримова, Ташкент, Узбекистан
Email: ftmet@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 5 сентября 2022 г.
Принята к печати: 2 ноября 2022 г.
Выставление онлайн: 10 декабря 2022 г.
PDF версия
С использованием методов оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии поглощения света изучены состав, плотности состояния электронов валентной зоны и параметры энергетических зон Ge (111), имплантированного ионами Na+ c энергией E0=0.5 keV при дозе насыщения Dsat=6· 1016 cm-2, и тонкого слоя NaGe2, полученного прогревом ионно-имплантированного Ge. Показано, что в спектре валентных электронов Ge после ионной имплантации вблизи дна зоны проводимости появляется узкая зона (~ 0.2 eV) n-типа, что объясняется наличием в ионно-легированном слое большого количества несвязанных атомов Na. Впервые в результате прогрева ионно-имплантированного Ge получены нанопленки NaGe2 с шириной запрещенной зоны ~ 0.45 eV. Ключевые слова: наноструктура, фотоэлектроны, оже-электронная спектроскопия, спектр поглощения, гибридизированнные состояния, плотности состояния электронов, ионная имплантация.
  1. S.K. Ray, S. Das, R.K Singha, S. Manna, A. Dhar, Nanoscale Res. Lett., 6, 224 (2011). DOI: 10.1186/1556-276X-6-224
  2. S. Das, K. Das, R.K. Singha, A. Dhar, S.K. Ray, Appl. Phys. Lett., 91 (23), 233118 (2007). DOI: 10.1063/1.2821114
  3. K. Das, M. NandaGoswami, R. Mahapatra, G.S. Kar, A. Dhar, H.N. Acharya, S. Maikap, J.-H. Lee, S.K. Ray, Appl. Phys. Lett., 84 (8), 1386 (2004). DOI: 10.1063/1.1646750
  4. J.-Y. Zhang, Y.-H. Ye, X.-L. Tan, X.-M. Bao, Appl. Phys. A, 71 (3), 299 (2000). DOI: 10.1007/s003390000518
  5. M.H. Liao, C.-Y. Yu, T.-H. Guo, C.-H. Lin, C.W. Liu, IEEE Electron Dev. Lett., 27 (4), 252 (2006). DOI: 10.1109/LED.2006.870416
  6. Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Д.О. Филатов, М.В. Круглова, С.В. Морозов, Д.Ю. Ремизов, Д.Е. Николичев, В.Г. Шенгуров, ФТТ, 47 (1), 26 (2005). http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/3672 [G.A. Maksimov, Z.F. Krasil'nik, D.O. Filatov, M.V. Kruglova, S.V. Morozov, D.Yu. Remizov, D.E. Nikolichev, V.G. Shengurov, Phys. Solid State, 47 (1), 22 (2005). DOI: 10.1134/1.1853436]
  7. D. Cooper, A. Beche, J.M. Hartmann, L. Hutin, C. Le. Royer, J.L. Rouviere, J. Phys.: Conf. Ser., 326, 012025 (2011). DOI: 10.1088/1742-6596/326/1/012025
  8. Р.Г. Валеев, В.М. Ветошкин, Д.В. Сурнин, Хим. физика и мезоскопия, 11 (2), 204 (2009). https://www.elibrary.ru/item.asp?id=18248341
  9. Г.Н. Камаев, В.А. Володин, Г.К. Кривякин, Письма в ЖТФ, 47 (12), 13 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.12.51060.18728 [G.N. Kamaev, V.A. Volodin, G.K. Krivyakin, Tech. Phys. Lett., 47, 609 (2021). DOI: 10.1134/S1063785021060237]
  10. N. Fourches, IEEE Trans. Electron Dev.,  64 (4), 1619 (2017). DOI: 10.1109/TED.2017.2670681
  11. Р.И. Баталов, В.В. Воробьев, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Р.М. Баязитов, Н.М. Лядов, Ю.Н. Осин, А.Л. Степанов, ЖТФ, 86 (12), 104 (2016). DOI: 10.21883/jtf.2016.12.43923.1843 [R.I. Batalov, V.V. Vorobev, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, R.M. Bayazitov, N.M. Lyadov, Yu.N. Osin, A.L. Stepanov, Tech. Phys., 61 (12), 1861 (2016). DOI: 10.1134/S1063784216120069]
  12. О.Н. Горшков, И.Н. Антонов, М.Е. Шенина, А.Ю. Дудин, А.П. Касаткин, Вестн. Нижегород. ун-та им. Н.И. Лобочевского, N 4-1, 38 (2010). https://cyberleninka.ru/article/n/formirovanie-nanorazmernyh-chastits-zolota-v-tonkih-amorfnyh-plenkah-dioksida-germaniya-metodom-ionnoy-implantatsii/viewer
  13. А.Л. Степанов, В.В. Воробьев, В.И. Нуждин, В.Ф. Валеев, Ю.Н. Осин, Письма в ЖТФ, 44 (8), 84 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.08.45971.16808 [A.L. Stepanov, V.V. Vorob'ev, V.I. Nuzhdin, V.F. Valeev, Yu.N. Osin, Tech. Phys. Lett., 44 (4), 354 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018040260]
  14. Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков, М.А. Мирджалилова, Изв. РАН. Сер. физ., 68 (3), 424 (2004). https://www.elibrary.ru/item.asp?id=17641066
  15. Д.А. Ташмухамедова, Б.Е. Умирзаков, Э.У. Балтаев, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 8, 101 (2003). https://www.elibrary.ru/item.asp?id=17316038
  16. Д.А. Ташмухамедова, М.Б. Юсупжанова, А.К. Ташатов, Б.Е. Умирзаков, Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, N 9, 78 (2018). DOI: 10.1134/S0207352818090111 [D.A. Tashmukhamedova, M.B. Yusupjanova, A.K. Tashatov, B.E. Umirzakov, J. Surf. Investig., 12 (5), 902 (2018). DOI: 10.1134/S1027451018050117]
  17. Д.А. Ташмухамедова, Изв. РАН. Сер. физ., 70 (8), 1228 (2006). https://elibrary.ru/item.asp?id=9296378 [D.A. Tashmukhamedova, Bull. Russ. Acad. Sci. Phys., 70 (8), 1409 (2006).]
  18. Б.Е. Умирзаков, Д.А. Ташмухамедова, А.К. Ташатов, Н.М. Мустафоева, Д.М. Муродкабилов, ФТП, 54 (11), 1211 (2020). DOI: 10.21883/FTP.2020.11.50088.9162 [B.E. Umirzakov, D.A. Tashmukhamedova, A.K. Tashatov, N.M. Mustafoeva, D.M. Muradkabilov, Semiconductors, 54 (11), 1424 (2020). DOI: 10.1134/S1063782620110263]
  19. A.V. Kacyuba, A.V. Dvurechenskii, G.N. Kamaev, V.A. Volodin, A.Y. Krupin, Mater. Lett., 268 (6), 127554 (2020). DOI: 10.1016/J.MATLET.2020.127554

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme