С использованием методов оже-электронной и фотоэлектронной спектроскопии и спектроскопии поглощения света изучены состав, плотности состояния электронов валентной зоны и параметры энергетических зон Ge (111), имплантированного ионами Na⁺ c энергией E₀=0.5 keV при дозе насыщения D_sat=6· 10¹⁶ cm^-2, и тонкого слоя NaGe₂, полученного прогревом ионно-имплантированного Ge. Показано, что в спектре валентных электронов Ge после ионной имплантации вблизи дна зоны проводимости появляется узкая зона (~ 0.2 eV) n-типа, что объясняется наличием в ионно-легированном слое большого количества несвязанных атомов Na. Впервые в результате прогрева ионно-имплантированного Ge получены нанопленки NaGe₂ с шириной запрещенной зоны ~ 0.45 eV. Ключевые слова: наноструктура, фотоэлектроны, оже-электронная спектроскопия, спектр поглощения, гибридизированнные состояния, плотности состояния электронов, ионная имплантация.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.