Вышедшие номера
Пленение излучения и субзонный пик в спектрах квантового выхода фотоэмиссии из p-GaAs(Cs,O)
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-02-00355
Хорошилов В.С. 1,2, Протопопов Д.Е. 1,2, Казанцев Д.М. 1,2, Шайблер Г.Э. 1,2, Альперович В.Л. 1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: alper_v@mail.ru
Поступила в редакцию: 21 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 28 октября 2022 г.
Принята к печати: 28 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 10 декабря 2022 г.

В спектрах квантового выхода фотоэмиссии из p-GaAs(Cs,O), измеренных в геометрии "на отражение", обнаружен пик при энергии фотонов, меньшей ширины запрещенной зоны GaAs. Показано, что возникновение пика связано с пленением слабопоглощаемого излучения из-за диффузного рассеяния на шероховатой задней грани эпитаксиальной структуры. Обсуждаются возможные микроскопические механизмы возникновения пика: эффект Франца-Келдыша в поверхностном электрическом поле и модифицированные адсорбцией оптические переходы в адатомах цезия. Ключевые слова: фотоэмиссия, GaAs, отрицательное электронное сродство, спектры квантового выхода.