Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 24 » Статья стр. 26
<<<>>>
Электронная структура ультратонких интерфейсов Cs/Bi2Se3
DOI: 10.21883/PJTF.2022.24.54020.19236
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.12.54951.19236
Бенеманская Г.В. 1, Тимошнев С.Н. 2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: galina.benemanskaya@mail.ioffe.ru, timoshnev@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 24 октября 2022 г.
Принята к печати: 25 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 27 ноября 2022 г.
PDF версия
Проведены исследования электронной структуры ультратонких интерфейсов Cs/Bi2Se3 методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при субмонослойных покрытиях Cs на образцах Bi2Se3. Обнаружено, что адсорбция Cs вызывает изменения в спектрах остовных уровней Bi 4f, Bi 5d, Se 3d. Установлено, что атомы Cs адсорбируются преимущественно на атомы Bi в верхнем поверхностном слое. Исследованы состояния валентной зоны как для чистой поверхности Bi2Se3, так и для интерфейса Cs/Bi2Se3. Вблизи уровня Ферми обнаружены 2D-топологические состояния. При адсорбции Cs в области валентной зоны появляются два индуцированных поверхностных состояния. Ключевые слова: топологические изоляторы, электронная структура, ультратонкие интерфейсы, фотоэлектронная спектроскопия.
  1. J. Moore, Nat. Phys., 5, 378 (2009). DOI: 10.1038/nphys1294
  2. A.R. Mellnik, J.S. Lee, A. Richardella, J.L. Grab, P.J. Mintun, M.H. Fischer, A. Vaezi, A. Manchon, E.-A. Kim, N. Samarth, D.C. Ralph, Nature, 511, 449 (2014). DOI: 10.1038/nature13534
  3. C.-T. Kuo, S.-C. Lin, J.-P. Rueff, Z. Chen, I. Aguilera, G. Bihlmayer, L. Plucinski, I.L. Graff, G. Conti, I.A. Vartanyants, C.M. Schneider, C.S. Fadley, Phys. Rev. B, 104 (24), 245105 (2021). DOI: 10.1103/PhysRevB.104.245105
  4. G. Tse, D. Yu, Comput. Condens. Matter, 4, 59 (2015). DOI: 10.1016/j.cocom.2015.09.001
  5. M. Bianchi, R.C. Hatch, Z. Li, P. Hofmann, F. Song, J. Mi, B.B. Iversen, Z.M. Abd El-Fattah, P. Loptien, L. Zhou, A.A. Khajetoorians, J. Wiebe, R. Wiesendanger, J.W. Wells, ACS Nano, 6 (8), 7009 (2012). DOI: 10.1021/nn3021822
  6. А.Г. Рябищенкова, М.М. Отроков, В.М. Кузнецов, Е.В. Чулков, ЖЭТФ, 148 (3), 535 (2015). DOI: 10.7868/S0044451015090114 [A.G. Ryabishchenkova, M.M. Otrokov, V.M. Kuznetsov, E.V. Chulkov, JETP, 121 (3), 465 (2015). DOI: 10.1134/S1063776115090186]
  7. T. Valla, Z.-H. Pan, D. Gardner, Y.S. Lee, S. Chu, Phys. Rev. Lett., 108 (11), 117601 (2012). DOI: 10.1103/PhysRevLett.108.117601
  8. M.M. Otrokov, A. Ernst, K. Mohseni, H. Fulara, S. Roy, G.R. Castro, J. Rubio-Zuazo, A.G. Ryabishchenkova, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, Z.S. Aliev, M.B. Babanly, E.V. Chulkov, H.L. Meyerheim, S.S.P. Parkin, Phys. Rev. B, 95 (20), 205429 (2017). DOI: 10.1103/PhysRevB.95.205429
  9. H. Zhu, W. Zhou, J.A. Yarmoff, Surf. Sci., 683, 17 (2019). DOI: 10.1016/j.susc.2019.01.006
  10. O.O. Shvetsov, V.A. Kostarev, A. Kononov, V.A. Golyashov, K.A. Kokh, O.E. Tereshchenko, E.V. Deviatov, Europhys. Lett., 119 (5), 57009 (2017). DOI: 10.1209/0295-5075/119/57009
  11. D. Biswas, S. Thakur, G. Balakrishnan, K. Maiti, Sci. Rep., 5, 17351 (2015). DOI: 10.1038/srep17351
  12. I.A. Nechaev, R.C. Hatch, M. Bianchi, D. Guan, C. Friedrich, I. Aguilera, J.L. Mi, B.B. Iversen, S. Blugel, Ph. Hofmann, E.V.Chulkov, Phys. Rev. B, 87 (12), 121111 (2013). DOI: 10.1103/PhysRevB.87.121111
  13. L.V. Yashina, J. Sanchez-Barriga, M.R. Scholz, A.A. Volykhov, A.P. Sirotina, V.S. Neudachina, M.E. Tamm, A. Varykhalov, D. Marchenko, G. Springholz, G. Bauer, A. Knop-Gericke, O. Rader, ACS Nano, 7 (6), 5181 (2013). DOI: 10.1021/nn400908b

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme