Вышедшие номера
Оптическая и электрическая составляющие в выходном сигнале микрооптопар для оптоэлектронных сенсоров на основе монолитных гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs(Sb)
Министерство образования и науки Российской Федерации, 0040-2019-0019
Министерство образования и науки Российской Федерации, 0040-2019-0028
Гаврилов Г.А. 1, Капралов А.А. 1, Матвеев Б.А. 1, Сотникова Г.Ю. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: gga_holo@mail.ru, kapr_alex@inbox.ru, bmat@iropt3.ioffe.ru, g.sotnikova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 12 октября 2022 г.
Принята к печати: 20 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 13 ноября 2022 г.

На примере монолитных микрооптопар, состоящих из нескольких диодов на основе гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs или p-InAsSbP/n-InAsSb, выращенных на единой подложке n-InAs, показано, что электропроводность подложки (n-InAs) приводит к появлению значительных электрических помех в выходном сигнале оптопар. Величина этих помех при регистрации в схемах с трансимпедансным усилителем значительно возрастает при уменьшении динамического сопротивления диодов вблизи нуля смещения и/или увеличении темновых токов. Проведен анализ эквивалентной электрической схемы микрооптопар и даны рекомендации для снижения указанных помех. Ключевые слова: оптические сенсоры, датчики нарушенного полного внутреннего отражения, оптопары, гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAs(Sb).