Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Оптическая и электрическая составляющие в выходном сигнале микрооптопар для оптоэлектронных сенсоров на основе монолитных гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs(Sb)
Министерство образования и науки Российской Федерации, 0040-2019-0019
Министерство образования и науки Российской Федерации, 0040-2019-0028
Гаврилов Г.А.
1, Капралов А.А.
1, Матвеев Б.А.
1, Сотникова Г.Ю.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: gga_holo@mail.ru, kapr_alex@inbox.ru, bmat@iropt3.ioffe.ru, g.sotnikova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 12 октября 2022 г.
Принята к печати: 20 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 13 ноября 2022 г.
На примере монолитных микрооптопар, состоящих из нескольких диодов на основе гетероструктур p-InAsSbP/n-InAs или p-InAsSbP/n-InAsSb, выращенных на единой подложке n-InAs, показано, что электропроводность подложки (n-InAs) приводит к появлению значительных электрических помех в выходном сигнале оптопар. Величина этих помех при регистрации в схемах с трансимпедансным усилителем значительно возрастает при уменьшении динамического сопротивления диодов вблизи нуля смещения и/или увеличении темновых токов. Проведен анализ эквивалентной электрической схемы микрооптопар и даны рекомендации для снижения указанных помех. Ключевые слова: оптические сенсоры, датчики нарушенного полного внутреннего отражения, оптопары, гетероструктуры p-InAsSbP/n-InAs(Sb).
- C.S. Huertas, O. Calvo-Lozano, A. Mitchell, L.M. Lechuga, Front. Chem., 7, 724 (2019). DOI: 10.3389/fchem.2019.00724
- F. Seichter, J. Vogt, E. Tutuncu, L.T. Hagemann, U. Wachter, M. Groger, S. Kress, P. Radermacher, B. Mizaikoff, J. Breath Res., 15 (2), 026013 (2021). DOI: 10.1088/1752-7163/ab8dcd
- J. Jing, Y. Hou, Y. Luo, L. Chen, L. Ma, Y. Lin, K.H. Li, Z. Chu, ACS Sensors, 7 (3), 849 (2022). DOI: 10.1021/acssensors.1c02616
- S.A. Karandashev, T.S. Lukhmyrina, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, A.A. Usikova, Phys. Status Solidi A, 219 (2), 2100456 (2022). DOI: 10.1002/pssa.202100456
- K. Achtenberg, J. Miko ajczyk, C. Ciofi, G. Scandurra, K. Michalczewski, Z. Bielecki, Measurement, 183, 109867 (2021). DOI: 10.1016/j.measurement.2021.109867
- С.Е. Александров, Г.А. Гаврилов, А.А. Капралов, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Г.Ю. Сотникова, ЖТФ, 88, (9), 1433 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2018.09.46433.35-18 [S.E. Aleksandrov, G.A. Gavrilov, A.A. Kapralov, B.A. Matveev, M.A. Remennyi, G.Yu. Sotnikova, Tech. Phys., 63 (9), 1390 (2018). DOI: 10.1134/S1063784218090025]
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
