Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 23 » Статья стр. 14
<<<>>>
Моделирование роста заостренных нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках
DOI: 10.21883/PJTF.2022.23.53945.19358
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.12.54937.19358
грант СПбГУ, ID 93020138
Лещенко Е.Д.1, Дубровский В.Г.2
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: leshchenko.spb@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 сентября 2022 г.
В окончательной редакции: 9 сентября 2022 г.
Принята к печати: 10 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 13 ноября 2022 г.
PDF версия
Проведено теоретическое исследование формирования автокаталитических нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках в отсутствие радиального роста. Модель позволяет проводить расчеты радиуса наноструктур как функции их длины и описывать морфологию заостренных нитевидных нанокристаллов. Изучено влияние на морфологию нитевидных нанокристаллов различных параметров, в том числе соотношения потоков III/V и расстояния между наноструктурами. Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы III-V, морфология, эффект самофокусировки, моделирование.
  1. F. Glas, Phys. Rev. B, 74, 121302(R) (2006). DOI: 10.1103/PhysRevB.74.121302
  2. B.D. Liu, J. Li, W.J. Yang, X.L. Zhang, X. Jiang, Y. Bando, Small, 13, 1701998 (2017). DOI: 10.1002/smll.201701998
  3. H. Wang, Z. Xie, W. Yang, J. Fang, L. An, Cryst. Growth Des., 8, 3893 (2008). DOI: 10.1021/cg8002756
  4. K.A. Dick, P. Caroff, J. Bolinsson, M.E. Messing, J. Johansson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson, Semicond. Sci. Technol., 25, 024009 (2010). DOI: 10.1088/0268-1242/25/2/024009
  5. Y. Li, F. Qian, J. Xiang, C.M. Lieber, Mater. Today, 9, 18 (2006). DOI: 10.1016/S1369-7021(06)71650-9
  6. L.N. Quan, J. Kang, C.-Z. Ning, P. Yang, Chem. Rev., 119, 9153 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemrev.9b00240
  7. F. Patolsky, G. Zheng, C.M. Lieber, Nanomedicine, 1, 51 (2006). DOI: 10.2217/17435889.1.1.51
  8. F. Jabeen, S. Rubini, F. Martelli, Microelectron. J., 40, 442 (2009). DOI: 10.1016/j.mejo.2008.06.001
  9. P. Caroff, M.E. Messing, M. Borg, K.A. Dick, K. Deppert, L.E. Wernersson, Nanotechnology, 20, 495606 (2009). DOI: 10.1088/0957-4484/20/49/495606
  10. J.-C. Harmand, G. Patriarche, F. Glas, F. Panciera, I. Florea, J.-L. Maurice, L. Travers, Y. Ollivier, Phys. Rev. Lett., 121, 166101 (2018). DOI: 10.1103/PhysRevLett.121.166101
  11. R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
  12. P. Krogstrup, R. Popovitz-Biro, E. Johnson, M.H. Madsen, J. Nygard, H. Shtrikman, Nano Lett., 10, 4475 (2010). DOI: 10.1021/nl102308k
  13. E.S. Koivusalo, T.V. Hakkarainen, M.D. Guina, V.G. Dubrovskii, Nano Lett., 17, 5350 (2017). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b01766
  14. V.G. Dubrovskii, T. Xu, A. Diaz Alvarez, S.R. Plissard, P. Caroff, F. Glas, B. Grandidier, Nano Lett., 15, 5580 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02226
  15. V.G. Dubrovskii, Phys. Rev. B, 93, 174203 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevB.93.174203
  16. V.G. Dubrovskii, E.D. Leshchenko, Nanomaterials, 12, 1698 (2022). DOI: 10.3390/nano12101698
  17. W. Kim, V.G. Dubrovskii, J. Vukajlovic-Plestina, G. Tutuncoglu, L. Francaviglia, L. Guniat, H. Potts, M. Friedl, J.-B. Leran, A. Fontcuberta i Morral, Nano Lett., 18, 49 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b03126

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme