Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Моделирование профиля состава осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в нитевидных нанокристаллах
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.10.54790.19339 
грант СПбГУ, ID 93020138
1НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: leshchenko.spb@gmail.com
Поступила в редакцию: 12 августа 2022 г.
В окончательной редакции: 12 августа 2022 г.
Принята к печати: 17 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2022 г.
Проведено теоретическое исследование процесса формирования двойной осевой гетероструктуры InSb/GaInSb/InSb в автокаталитических и Au-каталитических нитевидных нанокристаллах и рассчитаны профили состава в данной гетероструктуре. Изучено влияние на профиль состава различных параметров, в том числе температуры, концентрации сурьмы и внешнего катализатора (Au). Ключевые слова: нитевидные нанокристаллы III-V, осевая гетероструктура, гетерограница, моделирование.
- E. Barrigon, M. Heurlin, Z. Bi, B. Monemar, L. Samuelson, Chem. Rev., 119, 9170 (2019). DOI: 10.1021/acs.chemrev.9b00075
- C.-H. Kuo, J.-M. Wu, S.-J. Lin, W.-C. Chang, Nanoscale Res. Lett., 8, 327 (2013). DOI: 10.1186/1556-276X-8-327
- A.W. Dey, J. Svensson, B.M. Borg, M. Ek, L.-E. Wernersson, Nano Lett., 12, 5593 (2012). DOI: 10.1021/nl302658y
- V.G. Dubrovskii, T. Xu, A.D. Alvarez, S.R. Plissard, P. Caroff, F. Glas, B. Grandidier, Nano Lett., 15, 5580 (2015). DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02226
- K.A. Dick, P. Caroff, J. Bolinsson, M.E. Messing, J. Johansson, K. Deppert, L.R. Wallenberg, L. Samuelson, Semicond. Sci. Technol., 25, 024009 (2010). DOI: 10.1088/0268-1242/25/2/024009
- M. Ghasemi, E.D. Leshchenko, J. Johansson, Nanotechnology, 32, 072001 (2021). DOI: 10.1088/1361-6528/abc3e2
- B.D. Liu, J. Li, W.J. Yang, X.L. Zhang, X. Jiang, Y. Bando, Small, 13, 1701998 (2017). DOI: 10.1002/smll.201701998
- Г.Э. Цырлин, Р.Р. Резник, Ю.Б. Самсоненко, А.И. Хребтов, К.П. Котляр, И.В. Илькив, И.П. Сошников, Д.А. Кириленко, Н.В. Крыжановская, ФТП, 52 (11), 1304 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46588.10 [G.E. Cirlin, R.R. Reznik, Yu.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, K.P. Kotlyar, I.V. Ilkiv, I.P. Soshnikov, D.A. Kirilenko, N.V. Kryzhanovskaya, Semiconductors, 52, 1416 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618110258]
- R.S. Wagner, W.C. Ellis, Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964). DOI: 10.1063/1.1753975
- M.E. Messing, K. Hillerich, J. Johansson, K. Deppert, K.A. Dick, Gold Bull., 42, 172 (2009). DOI: 10.1007/BF03214931
- S.G. Ghalamestani, M. Ek, K.A. Dick, Phys. Status Solidi C, 8, 269 (2014). DOI: 10.1002/pssr.201308331
- P. Krogstrup, R. Popovitz-Biro, E. Johnson, M.H. Madsen, J. Nyg rd, H. Shtrikman, Nano Lett., 10, 4475 (2010). DOI: 10.1021/nl102308k
- V.G. Dubrovskii, Phys. Rev. B, 93, 174203 (2016). DOI: 10.1103/PhysRevB.93.174203
- V.G. Dubrovskii, A.A. Koryakin, N.V. Sibirev, Mater. Des., 132, 400 (2017). DOI: 10.1016/j.matdes.2017.07.012
- G. Wilemski, J. Phys. Chem., 91, 2492 (1987). DOI: 10.1021/j100294a011
- E.D. Leshchenko, J. Johansson, CrystEngComm, 23, 5284 (2021). DOI: 10.1039/D1CE00743B
- E.D. Leshchenko, M. Ghasemi, V.G. Dubrovskii, J. Johansson, CrystEngComm, 20, 1649 (2018). DOI: 10.1039/C7CE02201H
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
