Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 19 » Статья стр. 16
<<<>>>
Исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе CdHgTe и HfO2
DOI: 10.21883/PJTF.2022.19.53589.19279
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.10.54789.19279
Russian Science Foundation , 21-72-10134
Горшков Д.В. 1, Закиров Е.Р. 1, Сидоров Г.Ю. 1, Сабинина И.В. 1, Марин Д.В. 1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: GorshkovDV@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 14 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 11 августа 2022 г.
Принята к печати: 17 августа 2022 г.
Выставление онлайн: 20 сентября 2022 г.
PDF версия
Исследована граница раздела Cd0.22Hg0.78Te и HfO2, выращенного методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при температуре 120oC в экспериментально подобранном оптимальном ростовом режиме. Используемый метод измерения адмиттанса структур металл-диэлектрик-полупроводник позволил установить, что их электрофизические параметры однородны по поверхности образца. Проведен расчет энергетического спектра плотности быстрых поверхностных состояний на границе раздела HfO2-Cd0.22Hg0.78Te. Ключевые слова: CdHgTe, HfO2, атомaно-слоевое осаждение, вольт-фарадная характеристика, пассивирующее покрытие.
  1. V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, O.L. Domnina, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, F. Teppe, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov, J. Phys.: Condens. Matter, 30, 495301 (2018). DOI: 10.1088/1361-648X/aaebf5
  2. V.M. Bazovkin, V.S. Varavin, V.V. Vasil'ev, A.V. Glukhov, D.V. Gorshkov, S.A. Dvoretsky, A.P. Kovchavtsev, Yu.S. Makarov, D.V. Marin, I.V. Mzhelsky, V.G. Polovinkin, V.G. Remesnik, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, G.Yu. Sidorov, A.S. Stroganov, A.V. Tsarenko, M.V. Yakushev, A.V. Latyshev, J. Commun. Technol. Electron., 64, 1011 (2019). DOI: 10.1134/S1064226919090043
  3. A.V. Zverev, A.O. Suslyakov, I.V. Sabinina, G.Yu. Sidorov, M.V. Yakushev, V.D. Kuzmin, V.S. Varavin, V.G. Remesnik, Yu.S. Makarov, A.V. Predein, D.V. Gorshkov, S.A. Dvoretsky, V.V. Vasil'ev, Yu.G. Sidorov, A.V. Latyshev, I.I. Kremis, J. Commun. Technol. Electron., 64, 1024 (2019). DOI: 10.1134/S1064226919090171
  4. A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, A.S. Kazakov, S.N. Danilov, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mikhailov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov, Beilstein J. Nanotechnol., 9, 1035 (2018). DOI: 10.3762/bjnano.9.96
  5. Y. Nemirovsky, G. Bahir, J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 450 (1989). DOI: 10.1116/1.576202
  6. P. Zhang, Z.-H. Ye, C.-H. Sun, Y.-Y. Chen, T.-N. Zhang, X. Chen, C. Lin, R.-J. Ding, L. He, J. Electron. Mater., 9, 4716 (2016). DOI: 10.1007/s11664-016-4686-z
  7. Д.В. Горшков, Г.Ю. Сидоров, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, Д.В. Марин, М.В. Якушев, Письма в ЖТФ, 46 (15), 14 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.15.49741.18347 [D.V. Gorshkov, G.Yu. Sidorov, I.V. Sabinina, Yu.G. Sidorov, D.V. Marin, M.V. Yakushev, Tech. Phys. Lett., 46, 741 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020080064]
  8. A.P. Kovchavtsev, G.Yu. Sidorov, A.E. Nastovjak, A.V. Tsarenko, I.V. Sabinina, V.V. Vasilyev, J. Appl. Phys., 121, 125304 (2017). DOI: 10.1063/1.4978967
  9. A.V. Voitsekhovskii, S.N. Nesmelov, S.M. Dzyadukh, J. Phys. Chem. Solids, 102, 42 (2016). DOI: 10.1016/j.jpcs.2016.10.015
  10. N. Goel, P. Majhi, C.O. Chui, W. Tsai, D. Choi, J.S. Harris, Appl. Phys. Lett., 89, 163517 (2006). DOI: 10.1063/1.2363959
  11. N. Miyata, A. Ohtake, M. Ichikawa, T. Mori, T. Yasuda, Appl. Phys. Lett., 104, 232104 (2014). DOI: 10.1063/1.4882643
  12. A. Hardtdegen, H. Zhang, S. Hoffmann-Eifert, ECS Trans., 75, 177 (2016). DOI: 10.1149/07506.0177ecst
  13. A. Sharma, V. Longo, M.A. Verheijen, A.A. Bol, W.M.M.E. Kessels, J. Vac. Sci. Technol. A, 35, 01B130 (2017). DOI: 10.1116/1.4972210
  14. E.R. Zakirov, V.G. Kesler, G.Yu. Sidorov, I.P. Prosvirin, A.K. Gutakovsky, V.I. Vdovin, Semicond. Sci. Technol., 34, 065007 (2019). DOI: 10.1088/1361-6641/ab1961
  15. S.B.S. Heil, J.L. van Hemmen, J. Vac. Sci. Technol. A, 25, 1357 (2007). DOI: 10.1116/1.2753846
  16. T.P. Smirnova, L.V. Yakovkina, V.N. Kitchai, V.V. Kaichev, Yu.V. Shubin, N.B. Morozova, K.V. Zherikova, J. Phys. Chem. Solids, 69, 685 (2008). DOI: 10.1016/j.jpcs.2007.07.123
  17. D. Barreca, A. Milanov, R. Fischer, A. Devi, E. Tondello, Surf. Sci. Spectra, 14, 34 (2007). DOI: 10.1116/11.20080401
  18. E.H. Nicollian, J.R. Brews, MOS (metal oxide semiconductor) physics and technology (John Wiley and Sons, Inc, 2002)
  19. R. Engel-Herbert, Y. Hwang, S. Stemmer, J. Appl. Phys., 108, 124101 (2010). DOI: 10.1063/1.3520431

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme