Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 15 » Статья стр. 11
<<<>>>
Природа локального окружения атомов германия в аморфных пленках (GeTe)x(Sb2Te3)
DOI: 10.21883/PJTF.2022.15.53124.19239
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.08.55114.19239
Марченко А.В. 1, Теруков Е.И.2,3, Насрединов Ф.С. 4, Петрушин Ю.А. 1, Серегин П.П. 1
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: al7140@mail.ru, nasfas@mail.ru, uraordie@mail.ru, ppseregin@mailru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 12 июня 2022 г.
Принята к печати: 14 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 14 июля 2022 г.
PDF версия
Методом мессбауэровской спектроскопии на примесных атомах 119Sn продемонстрировано, что в аморфных пленках (GeTe)x(Sb2Te3) (где x=0.5, 1, 2, 3) атомы олова замещают атомы четырехвалентного германия, образующего тетраэдрическую систему химических связей с атомами в своем локальном окружении. В кристаллических пленках олово замещает двухвалентный шестикоординированный германий в позициях 4b кристаллической решетки типа NaCl. Ключевые слова: аморфные пленки, фазовая память, мессбауэровская спектроскопия.
  1. D. Lencer, M. Salinga, M. Wuttig, Adv. Mater., 23, 2030 (2011). DOI: 10.1002/adma.201004255
  2. C. Qiao, Y.R. Guo, J.J. Wang, H. Shen, S.Y. Wang, Y.X. Zheng, R.J. Zhang, L.Y. Chen, C.Z. Wang, K.M. Ho, J. Alloys Compd., 774, 748 (2019). DOI: 10.1063/5.0067157
  3. B. Zhang, X.P. Wang, Z.J. Shen, X.B. Li, C.S. Wang, Y.J. Chen, J.X. Li, J.X. Zhang, Z. Zhang, S.B. Zhang, X.D. Han, Sci. Rep., 6, 25453 (2016). DOI: 10.1038/srep25453
  4. X.-P. Wang, X.-B. Li, N.-K. Chen, Q.-D. Chen, X.-D. Han, S. Zhang, H.-B. Sun, Acta Mater., 136, 242 (2017). DOI: 10.1016/j.actamat.2017.07.006
  5. A. Lotnyk, U. Ross, S. Bernutz, E. Thelander, B. Rauschenbach, Sci. Rep., 6, 26724 (2016). DOI: 10.1038/srep26724
  6. Y. Zheng, Y. Wang, T. Xin, Y. Cheng, R. Huang, P. Liu, M. Luo, Z. Zhang, Z. Song, S. Feng, Commun. Chem., 2, 1 (2019). DOI: 10.1038/s42004-019-0114-7
  7. A.V. Kolobov, P. Fons, A.I. Frenkel, A.L. Ankudinov, J. Tominga, T. Uruga, Nature Mater., 3, 703 (2004). DOI: 10.1038/nmat1215
  8. D.A. Baker, M.A. Paesler, G. Lucovsky, S.C. Agarwal, P.C. Taylor, Phys. Rev. Lett., 96, 255501 (2006). DOI: 10.1103/PhysRevLett.96.255501
  9. D.A. Baker, M.A. Paesler, G. Lucovsky, P.C. Taylor, J. Non-Cryst. Solids, 352, 1621 (2006). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2005.11.079
  10. P. Jovari, I. Kaban, J. Steiner, B. Beuneu, A. Schops, M.A. Webb, Phys. Rev. B, 77, 035202 (2008). DOI: 10.1103/PhysRevB.77.035202
  11. А.В. Марченко, Е.И. Теруков, Ф.С. Насрединов, Ю.А. Петрушин, П.П. Серегин, ФТП, 55 (1), 3 (2021). DOI: 10.21883/FTP.2021.01.50376.9524 [A.V. Marchenko, E.I. Terukov, F.S. Nasredinov, Yu.A. Petrushin, P.P. Seregin, Semiconductors, 55, 1 (2021). DOI: 10.1134/S1063782621010127]
  12. А.В. Марченко, П.П. Серегин, Е.И. Теруков, К.Б. Шахович, ФТП, 53 (5), 718 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.05.47570.9032 [A.V. Marchenko, P.P. Seregin, E.I. Terukov, K.B. Shakhovich, Semiconductors, 53, 711 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619050166]
  13. H. Micklitz, P.H. Barrett, Phys. Rev. B, 5, 1704 (1972). DOI: 10.1103/PhysRevB.5.1704

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme