Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Газочувствительные свойства пленок твердого раствора In2O3-Ga2O3
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.07.54046.19211 
Russian science foundation, 20-79-10043
Николаев В.И.1,2, Алмаев А.В.3,4, Кушнарев Б.О.3, Печников А.И.1,2, Степанов С.И.1,2, Чикиряка А.В.1, Тимашов Р.Б.1, Щеглов М.П.1, Бутенко П.Н.1,3, Черников Е.В.3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4ООО "Фокон", Калуга, Россия
2ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
4ООО "Фокон", Калуга, Россия
Email: nkvlad@inbox.ru
Поступила в редакцию: 1 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 18 мая 2022 г.
Принята к печати: 6 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 26 июня 2022 г.
Исследовано влияние состава газовой среды на электропроводящие свойства пленок In2O3-Ga2O3, полученных методом хлоридной газофазной эпитаксии. В интервале температур 100-550oC пленки In2O3-Ga2O3 проявляют высокую чувствительность к H2, NH3 и CO, характеризуются высоким быстродействием и низким базовым сопротивлением. Предложен качественный механизм чувствительности пленок In2O3-Ga2O3 к газам. Ключевые слова: In2O3-Ga2O3, хлоридная газофазная эпитаксия, газовая чувствительность.
- M.V. Nikolic, V. Milovanovic, Z.Z. Vasiljevic, Z. Stamenkovic, Sensors, 20, 6694 (2020). DOI: 10.3390/s20226694
- N. Vorobyeva, M. Rumyantseva, V. Platonov, D. Filatova, A. Chizhov, A. Marikutsa, I. Bozhev, A. Gaskov, Nanomaterials, 11, 2938 (2021). DOI: 10.3390/nano11112938
- A. Almaev, V. Nikolaev, P. Butenko, S. Stepanov, A. Pechnikov, N. Yakovlev, I. Sinyugin, S. Shapenkov, M. Scheglov, Phys. Status Solidi B, 259, 2100306 (2022). DOI: 10.1002/pssb.202100306
- A.V. Almaev, E.V. Chernikov, V.V. Novikov, B.O. Kushnarev, N.N. Yakovlev, E.V. Chuprakova, V.L. Oleinik, A.D. Lozinskaya, D.S. Gogova, J. Vac. Sci. Technol. A, 39, 023405 (2021). DOI: 10.1116/6.0000723
- G. Neri, A. Bonavita, G. Micali, G. Rizzo, E. Callone, G. Carturan, Sensors Actuators B, 132, 224 (2008). DOI: 10.1016/j.snb.2008.01.030
- H. Yamaura, K. Moriya, N. Miura, N. Yamazoe, Sensors Actuators B, 65, 39 (2000). DOI: 10.1016/S0925-4005(99)00456-6
- M.C. Carotta, A. Fioravanti, S. Gherardi, C. Malagu, M. Sacerdoti, G. Ghiotti, S. Morandi, Sensors Actuators B, 194, 195 (2014). DOI: 10.1016/j.snb.2013.12.021
- E. Lopez-Aymerich, G. Domenech-Gil, M. Moreno, P. Pellegrino, A. Romano-Rodriguez, Sensors, 21, 3342 (2021). DOI: 10.3390/s21103342
- Ю.С. Гайдук, М.С. Охманюк, А.А. Савицкий, И.А. Таратын, Вестн. БГУ. Сер. 2., N 3, 8 (2015). https://elib.bsu.by/handle/123456789/158895
- A.G. Kozlov, O.V. Krivozubov, E.A. Kurdukova, M.N. Lila, in 2012 28th Int. Conf. on Microelectronics Proceedings (IEEE, 2012), p. 165. DOI: 10.1109/miel.2012.6222824
- I.E. Demin, A.G. Kozlov, AIP Conf. Proc., 2007, 050004 (2018). DOI: 10.1063/1.5051948
- M.S. Aleksanyan, V.M. Arakelyan, V.M. Aroutiounian, G.E. Shahnazaryan, J. Contemp. Phys., 46, 86 (2011). DOI: 10.3103/s1068337211020071
- S. Stepanov, V. Nikolaev, A. Pechnikov, M. Scheglov, A. Chikiryaka, A. Chernykh, M. Odnobludov, V. Andreeva, A.Y. Polyakov, Phys. Status Solidi A, 218, 2000442 (2021). DOI: 10.1002/pssa.202000442
- В.И. Николаев, А.И. Печников, Л.И. Гузилова, А.В. Чикиряка, М.П. Щеглов, В.В. Николаев, С.И. Степанов, А.А. Васильев, И.В. Щемеров, А.Я. Поляков, Письма в ЖТФ, 46 (5), 27 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.05.49104.18107 [V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, L.I. Guzilova, A.V. Chikiryaka, M.P. Shcheglov, V.V. Nikolaev, S.I. Stepanov, A.A. Vasil'ev, I.V. Shchemerov, A.Ya. Polyakov, Tech. Phys. Lett., 46, 228 (2020). DOI: 10.1134/S106378502003013X]
- G. Korotcenkov, Iu. Boris, V. Brinzari, S.H. Han, B.K. Cho, Yu.N. Lychkovsky, Ceram. Int., 41, 7478 (2015). DOI: 10.1016/j.ceramint.2015.02.069
- A. Papadogianni, T. Nagata, O. Bierwagen, Jpn. J. Appl. Phys., 61, 045502 (2022). DOI: 10.35848/1347-4065/ac4ec7
- N. Yamazoe, K. Shimanoe, J. Sensors, 2009, 875704 (2009). DOI: 10.1155/2009/875704
- В.И. Гаман, Изв. вузов. Физика, 51 (4), 84 (2008). [V.I. Gaman, Russ. Phys. J., 51, 425 (2008). DOI: 10.1007/s11182-008-9065-7]
- M.N. Rumyantseva, E.A. Makeeva, S.M. Badalyan, A.A. Zhukova, A.M. Gaskov, Thin Solid Films, 518, 1283 (2009). DOI: 10.1016/j.tsf.2009.07.201
- C.-W. Lin, H.-I. Chen, T.-Y. Chen, C.-C. Huang, C.-S. Hsu, R.-C. Liu, W.-C. Liu, Sensors Actuators B, 160, 1481 (2011). DOI: 10.1016/j.snb.2011.07.041
- В.В. Симаков, О.В. Якушева, А.И. Гребенников, В.В. Кисин, Письма в ЖТФ, 31 (8), 52 (2005). [V.V. Simakov, O.V. Yakusheva, A.I. Grebennikov, V.V. Kisin, Tech. Phys. Lett., 31, 339 (2005). DOI: 10.1134/1.1920390]
- G. Korotcenkov, B.K. Cho, Sensors Actuators B, 156, 527 (2011). DOI: 10.1016/j.snb.2011.02.024
- J.L. Merino, S.A. Bota, R. Casanova, A. Dieguez, C. Cane, J. Samitier, IEEE Trans. Instr. Meas., 53, 1173 (2004). DOI: 10.1109/TIM.2004.831459
- D. Barrettino, M. Graf, S. Taschini, S. Hafizovic, C. Hagleitner, A. Hierlemann, IEEE Sensors J., 6, 276 (2006). DOI: 10.1109/JSEN.2006.870156
- A. Lombardi, M. Grassi, P. Malcovati, S. Capone, L. Francioso, P. Siciliano, A. Baschirotto, Sensors Actuators B, 142, 82 (2009). DOI: 10.1016/j.snb.2009.07.030
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
