Методом Оже-электронной спектроскопии подтверждена высокая концентрация атомов углерода (~ 85 at.%), вводимых в кремний посредством холодной имплантации атомов отдачи. Атомы углерода сосредоточены в тонкой (~ 5 nm) приповерхностной области кремния. Отжиг такой структуры не выявил заметной диффузии углерода, что не позволяет получать слои SiC с толщиной более нескольких нанометров. Данная проблема решена с помощью применения радиационно-стимулированной диффузии. Это дало возможность управлять профилями распределения атомов углерода в широких пределах. Отжиг при 1150^oC позволил получить слои аморфно-кристаллического SiC толщиной 50-150 nm. Для получения монокристаллической пленки SiC необходимы более высокие температуры. Ключевые слова: холодная имплантация, радиационно-стимулированная диффузия, карбид кремния, атом отдачи, тонкие пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.