Письма в журнал технической физики
Вышедшие номера
Особенности синтеза карбида кремния методом холодной имплантации атомов отдачи углерода
Зиненко В.И. 1, Агафонов Ю.А. 1, Сарайкин В.В. 2, Еременко В.Г. 1, Седловец Д.М. 1, Иржак Д.В. 1
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина, Москва, Зеленоград, Россия
Email: zinenko@iptm.ru, agafonov@iptm.ru, vvsaraikin@yandex.ru, eremenko@iptm.ru, sedlovets@iptm.ru, irzhak@iptm.ru
Поступила в редакцию: 4 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 31 мая 2022 г.
Принята к печати: 31 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 26 июня 2022 г.

Методом Оже-электронной спектроскопии подтверждена высокая концентрация атомов углерода (~ 85 at.%), вводимых в кремний посредством холодной имплантации атомов отдачи. Атомы углерода сосредоточены в тонкой (~ 5 nm) приповерхностной области кремния. Отжиг такой структуры не выявил заметной диффузии углерода, что не позволяет получать слои SiC с толщиной более нескольких нанометров. Данная проблема решена с помощью применения радиационно-стимулированной диффузии. Это дало возможность управлять профилями распределения атомов углерода в широких пределах. Отжиг при 1150oC позволил получить слои аморфно-кристаллического SiC толщиной 50-150 nm. Для получения монокристаллической пленки SiC необходимы более высокие температуры. Ключевые слова: холодная имплантация, радиационно-стимулированная диффузия, карбид кремния, атом отдачи, тонкие пленки.
  1. V.I. Zinenko, Yu.A. Agafonov, V.V. Saraykin, V.G.Eremenko, D.V. Roshchupkin, D.M. Sedlovets, Mater. Lett., 233, 115 (2018). DOI: 10.1016/j.matlet.2018.08.107
  2. Ю.С. Нагорнов, ЖТФ, 85 (5), 71 (2015). [Yu.S. Nagornov, Tech. Phys., 60 (5), 700 (2015). DOI: 10.1134/S1063784215050175]
  3. V. Kozlovski, V. Abrosimova, Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (1), 1 (2005). DOI: 10.1142/S012915640500317X
  4. К.Х. Нусупов, Н.В. Бейсенханов, С.К. Жариков, И.К. Бейсембетов, Б.К. Кенжалиев, Т.К. Ахметов, Б.Ж. Сейтов, ФТТ, 56 (11), 2231 (2014). [K.Kh. Nussupov, N.B. Beisenkhanov, S.K. Zharikov, I.K. Beisembetov, B.K. Kenzhaliev, T.K. Akhmetov, B.Zh. Seitov, Phys. Solid State, 56 (11), 2307 (2014). DOI: 10.1134/S1063783414110237]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.