Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 12 » Статья стр. 40
<<<>>>
Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs
DOI: 10.21883/PJTF.2022.12.52678.19242
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.06.53795.19242
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Программа фундаментальных исследований НИУ ВШЭ
Министерство науки и высшего образования РФ , 0791-2020-0002
Махов И.С. 1, Бекман А.А.2, Кулагина М.М. 2, Гусева Ю.А. 2, Крыжановская Н.В. 1, Надточий А.М. 1, Максимов М.В. 3, Жуков А.Е. 1
1Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 4 мая 2022 г.
Принята к печати: 4 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 28 мая 2022 г.
PDF версия
В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 μm с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через основной оптический переход квантовых точек. Ключевые слова: микролазер, квантовые точки, двухуровневая генерация, основное состояние, возбужденное состояние.
  1. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, M.V. Maximov, Light Sci. Appl., 10, 80 (2021). DOI: 10.1038/s41377-021-00525-6
  2. E.I. Moiseev, N.V. Kryzhanovskaya, F.I. Zubov, M.S. Mikhailovskii, A.N. Abramov, M.V. Maximov, M.M. Kulagina, Yu.A. Guseva, D.A. Lifshits, A.E. Zhukov, Semiconductors, 53 (14), 1888 (2019). DOI: 10.1134/S106378261914015X
  3. N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, Yu.V. Kudashova, F.I. Zubov, A.A. Lipovskii, M.M. Kulagina, S.I. Troshkov, Yu.M. Zadiranov, D.A. Lifshits, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, Electron. Lett., 51 (17), 1354 (2015). DOI: 10.1049/el.2015.2325
  4. Y. Wan, D. Inoue, D. Jung, J.C. Norman, C. Shang, A.C. Gossard, J.E. Bowers, Photon. Res., 6 (8), 776 (2018). DOI: 10.1364/PRJ.6.000776
  5. A. Fiore, M. Rossetti, B. Alloing, C. Paranthoen, J.X. Chen, L. Geelhaar, H. Riechert, Phys. Rev. B, 70 (20), 205311 (2004). DOI: 10.1103/PhysRevB.70.205311
  6. A.E. Zhukov, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, A.S. Dragunova, M. Tang, S. Chen, H. Liu, M.M. Kulagina, S.A. Kadinskaya, F.I. Zubov, A.M. Mozharov, M.V. Maximov, Materials, 13 (10), 2315 (2020). DOI: 10.3390/ma13102315
  7. A. Marcus, J.X. Chen, C. Paranthoen, A. Fiore, Appl. Phys. Lett., 82 (12), 1818 (2003). DOI: 10.1063/1.1563742
  8. M.V. Maximov, Yu.M. Shernyakov, F.I. Zubov, A.E. Zhukov, N.Yu. Gordeev, V.V. Korenev, A.V. Savelyev, D.A. Lifshits, Semicond. Sci. Technol., 28 (10), 105016 (2013). DOI: 10.1088/0268-1242/28/10/105016
  9. M.V. Maximov, N.V. Kryzhanovskaya, A.M. Nadtochiy, E.I. Moiseev, I.I. Shostak, A.A. Bogdanov, Z.F. Sadrieva, A.E. Zhukov, A.A. Lipovskii, D.V. Karpov, J. Laukkanen, J. Tommila, Nanoscale Res. Lett., 9 (1), 3266 (2014). DOI: 10.1186/1556-276X-9-657
  10. M.V. Maximov, A.M. Nadtochiy, S.A. Mintairov, N.A. Kalyuzhnyy, N.V. Kryzhanovskaya, E.I. Moiseev, N.Yu. Gordeev, Yu.M. Shernyakov, A.S. Payusov, F.I. Zubov, V.N. Nevedomskiy, S.S. Rouvimov, A.E. Zhukov, Appl. Sci., 10 (3), 1038 (2020). DOI: 10.3390/app10031038
  11. F. Zubov, M. Maximov, E. Moiseev, A. Vorobyev, A. Mozharov, Yu. Berdnikov, N. Kalyuzhnyy, S. Mitairov, M. Kulagina, N. Kryzhanovskaya, A. Zhukov, Opt. Lett., 46 (16), 3853 (2021). DOI: 10.1364/OL.432920

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme