Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе
Российский научный фонд, Конкурс 2021 года «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 21-79-10346
Лебедев Д.В.1,2,3, Школдин В.А.1,4, Можаров А.М.2, Петухов А.Е.2, Голубок А.О.3, Архипов А.В.5, Мухин И.С.1,5, Дубровский В.Г.2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Denis.v.lebedev@gmail.com
Выставление онлайн: 28 мая 2022 г.
Разработана методика синтеза наноструктур методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе (СТМ-литографии) в слоистых структурах Au/Si. Получена экспериментальная зависимость геометрических размеров создаваемых наноструктур от времени токовой СТМ-литографии. Предложена теоретическая модель роста наноструктур, объясняющая нелинейную зависимость радиуса получаемых наноструктур от времени с насыщением в области больших радиусов. Ключевые слова: наноструктуры Au/Si, СТМ-литография, скорость роста, моделирование.
- J. Kern, R. Kullock, J. Prangsma, M. Emmerling, M. Kamp, B. Hecht, Nature Photon., 9, 582 (2015). DOI: 10.1038/nphoton.2015.141
- W. Du, T. Wang, H.-S. Chu, C.A. Nijhuis, Nature Photon., 11, 623 (2017). DOI: 10.1038/s41566-017-0003-5
- H.-S. Ee, Y.-S. No, J. Kim, H.-G. Park, M.-K Seo, Opt. Lett., 43, 2889 (2018). DOI: 10.1364/OL.43.002889
- Y. Fang, M. Sun, Light: Sci. Appl., 4, e294 (2015). DOI: 10.1038/lsa.2015.67
- A. Liu, P. Wolf, J.A. Lott, D. Bimberg, Photon. Res., 7, 121 (2019). DOI: 10.1364/PRJ.7.000121
- D. Liang, J.E. Bowers, Nature Photon., 4, 511 (2010). DOI: 10.1038/nphoton.2010.167
- A.S. Polushkin, E.Y. Tiguntseva, A.P. Pushkarev, S.V. Makarov, Nanophotonics, 9, 599 (2020). DOI: 10.1515/nanoph-2019-0443
- J. Lambe, S.L. McCarthy, Phys. Rev. Lett., 37, 923 (1976). DOI: 10.1103/PhysRevLett.37.923
- D.V. Lebedev, A.M. Mozharov, A.D. Bolshakov, V.A. Shkoldin, D.V. Permyakov, A.O. Golubok, A.K. Samusev, I.S. Mukhin, Phys. Status Solidi (RRL), 14, 1900607 (2020). DOI: 10.1002/pssr.201900607
- S.W. Hla, Rep. Prog. Phys., 77, 056502 (2014). DOI: 10.1088/0034-4885/77/5/056502
- S.W. Hla, J. Vac. Sci. Technol., 23, 1351 (2005). DOI: 10.1116/1.1990161
- Z. Klusek, A. Busiakiewicz, P.K. Datta, R. Schmidt, W. Kozlowski, P. Kowalczyk, P. Dabrowski, W. Olejniczak, Surf. Sci., 601, 1513 (2007). DOI: 10.101/j.susc.2007.01.011
- V.M. Kornilov, A.N. Lachinov, Microelectron. Eng., 69, 399 (2003). DOI: 10.1016/S0167-9317(03)00327-7
- S. Kondo, S. Heike, M. Lutwyche, Y. Wada, J. Appl. Phys., 78, 155 (1995). DOI: 10.1063/1.360733
- S.V. Makarov, I.S. Sinev, V.A. Milichko, F.E. Komissarenko, D.A. Zuev, E.V. Ushakova, I.S. Mukhin, Y.F. Yu, A.I. Kuznetsov, P.A. Belov, I.V. Iorsh, A.N. Poddubny, A.K. Samusev, Yu.S. Kivshar, Nano Lett., 18, 535 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b04542
- S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Prog. Surf. Sci., 151, 1 (1996). DOI: 10.1016/0079-6816(96)82931-5
- V.G. Dubrovskii, J. Chem. Phys., 131, 164514 (2009). DOI: 10.1063/1.3254384
- V.G. Dubrovskii, N.V. Nazarenko, J. Chem. Phys., 132, 114507 (2010). DOI: 10.1063/1.3354118
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris, Cryst. Growth Des., 10, 3949 (2010). DOI: 10.1021/cg100495b
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
