"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Формирование наноструктур Au/Si методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе
Российский научный фонд, Конкурс 2021 года «Проведение исследований научными группами под руководством молодых ученых» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 21-79-10346
Лебедев Д.В.1,2,3, Школдин В.А.1,4, Можаров А.М.2, Петухов А.Е.2, Голубок А.О.3, Архипов А.В.5, Мухин И.С.1,5, Дубровский В.Г.2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: Denis.v.lebedev@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2022 г.
Принята к печати: 29 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 28 мая 2022 г.

Разработана методика синтеза наноструктур методом токовой литографии в сканирующем туннельном микроскопе (СТМ-литографии) в слоистых структурах Au/Si. Получена экспериментальная зависимость геометрических размеров создаваемых наноструктур от времени токовой СТМ-литографии. Предложена теоретическая модель роста наноструктур, объясняющая нелинейную зависимость радиуса получаемых наноструктур от времени с насыщением в области больших радиусов. Ключевые слова: наноструктуры Au/Si, СТМ-литография, скорость роста, моделирование.
  1. J. Kern, R. Kullock, J. Prangsma, M. Emmerling, M. Kamp, B. Hecht, Nature Photon., 9, 582 (2015). DOI: 10.1038/nphoton.2015.141
  2. W. Du, T. Wang, H.-S. Chu, C.A. Nijhuis, Nature Photon., 11, 623 (2017). DOI: 10.1038/s41566-017-0003-5
  3. H.-S. Ee, Y.-S. No, J. Kim, H.-G. Park, M.-K Seo, Opt. Lett., 43, 2889 (2018). DOI: 10.1364/OL.43.002889
  4. Y. Fang, M. Sun, Light: Sci. Appl., 4, e294 (2015). DOI: 10.1038/lsa.2015.67
  5. A. Liu, P. Wolf, J.A. Lott, D. Bimberg, Photon. Res., 7, 121 (2019). DOI: 10.1364/PRJ.7.000121
  6. D. Liang, J.E. Bowers, Nature Photon., 4, 511 (2010). DOI: 10.1038/nphoton.2010.167
  7. A.S. Polushkin, E.Y. Tiguntseva, A.P. Pushkarev, S.V. Makarov, Nanophotonics, 9, 599 (2020). DOI: 10.1515/nanoph-2019-0443
  8. J. Lambe, S.L. McCarthy, Phys. Rev. Lett., 37, 923 (1976). DOI: 10.1103/PhysRevLett.37.923
  9. D.V. Lebedev, A.M. Mozharov, A.D. Bolshakov, V.A. Shkoldin, D.V. Permyakov, A.O. Golubok, A.K. Samusev, I.S. Mukhin, Phys. Status Solidi (RRL), 14, 1900607 (2020). DOI: 10.1002/pssr.201900607
  10. S.W. Hla, Rep. Prog. Phys., 77, 056502 (2014). DOI: 10.1088/0034-4885/77/5/056502
  11. S.W. Hla, J. Vac. Sci. Technol., 23, 1351 (2005). DOI: 10.1116/1.1990161
  12. Z. Klusek, A. Busiakiewicz, P.K. Datta, R. Schmidt, W. Kozlowski, P. Kowalczyk, P. Dabrowski, W. Olejniczak, Surf. Sci., 601, 1513 (2007). DOI: 10.101/j.susc.2007.01.011
  13. V.M. Kornilov, A.N. Lachinov, Microelectron. Eng., 69, 399 (2003). DOI: 10.1016/S0167-9317(03)00327-7
  14. S. Kondo, S. Heike, M. Lutwyche, Y. Wada, J. Appl. Phys., 78, 155 (1995). DOI: 10.1063/1.360733
  15. S.V. Makarov, I.S. Sinev, V.A. Milichko, F.E. Komissarenko, D.A. Zuev, E.V. Ushakova, I.S. Mukhin, Y.F. Yu, A.I. Kuznetsov, P.A. Belov, I.V. Iorsh, A.N. Poddubny, A.K. Samusev, Yu.S. Kivshar, Nano Lett., 18, 535 (2018). DOI: 10.1021/acs.nanolett.7b04542
  16. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Prog. Surf. Sci., 151, 1 (1996). DOI: 10.1016/0079-6816(96)82931-5
  17. V.G. Dubrovskii, J. Chem. Phys., 131, 164514 (2009). DOI: 10.1063/1.3254384
  18. V.G. Dubrovskii, N.V. Nazarenko, J. Chem. Phys., 132, 114507 (2010). DOI: 10.1063/1.3354118
  19. V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, X. Zhang, R.A. Suris, Cryst. Growth Des., 10, 3949 (2010). DOI: 10.1021/cg100495b

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.