"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами
Пашковский А.Б.1, Богданов С.А.1, Бакаров А.К.2, Журавлев К.С.2, Лапин В.Г.1, Лукашин В.М.1, Карпов С.Н.1, Протасов Д.Ю.2, Рогачёв И.А.1, Терёшкин Е.В.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: solidstate10@mail.ru, bogdanov_sa@mail.ru, bakarov@isp.nsc.rul.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru, vlapin@mail.ru.com, lvm54@yandex.mail.ru.com, serge95a@mail.ru, protasov@isp.nsc.ru, ilya_rogachev_89@mail.ru, evteryoshkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 4 марта 2022 г.
Принята к печати: 29 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 28 мая 2022 г.

Представлены первые результаты исследования дрейфовой скорости электронов в обращенных псевдоморфных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с донорно-акцепторным легированием и короткопериодными сверхрешетками AlAs/GaAs. Теоретически показано, что введение сверхрешеток значительно (до 1.5 раз) повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. В сверхрешетке между квантовой ямой и подложкой обнаружены локализованные состояния. Показано, что этот эффект ведет к дополнительному увеличению всплеска дрейфовой скорости электронов вплоть до теоретического предела для используемой модели - всплеска дрейфовой скорости в объемном материале квантовой ямы. Ключевые слова: обращенная гетероструктура, цифровые барьеры, полевой транзистор, коэффициент усиления.
  1. H. Wang, F. Wang, S. Li, T.Y. Huang, A.S. Ahmed, N.S. Mannem, J. Lee, E. Garay, D. Munzer, C. Snyder, S. Lee, H.T. Nguyen, M.E.D. Smith, Power amplifiers performance survey 2000-present [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://gems.ece.gatech.edu/PA\_survey.html
  2. B. Romanczyk, S. Wienecke, M. Guidry, H. Li, E. Ahmadi, X. Zheng, S. Keller, U.K. Mishra, IEEE Trans. Electron Dev., 65 (1), 45 (2018). DOI: 10.1109/TED.2017.2770087
  3. Nidhi, S. Dasgupta, S. Keller, J.S. Speck, U.K. Mishra, IEEE Electron Dev. Lett., 32 (12), 1683 (2011). DOI: 10.1109/LED.2011.2168558
  4. Y. Tang, K. Shinohara, D. Regan, A. Corrion, D. Brown, J. Wong, A. Schmitz, H. Fung, S. Kim, M. Micovic, IEEE Electron Dev. Lett., 36 (6), 549 (2015). DOI: 10.1109/LED.2015.2421311
  5. V. Camarchia, R. Quaglia, A. Piacibello, D.P. Nguyen, H. Wang, A. Pham, IEEE Trans. Microwave Theory Tech., 68 (7), 199 (2020). DOI: 10.1109/TMTT.2020.2989792
  6. X. Mei, W. Yoshida, M. Lange, J. Lee, J. Zhou, P. Liu, K. Leong, A. Zamora, J. Padilla, S. Sarkozy, R. Lai, W.R. Deal, IEEE Electron Dev. Lett., 36 (4), 327 (2015). DOI: 10.1109/LED.2015.2407193
  7. В.М. Лукашин, А.Б. Пашковский, К.С. Журавлев, А.И. Торопов, В.Г. Лапин, А.Б. Соколов, Письма в ЖТФ, 38 (17), 84 (2012). [V.M. Lukashin, A.B. Pashkovskii, K.S. Zhuravlev, A.I. Toropov, V.G. Lapin, A.B. Sokolov, Tech. Phys. Lett., 38 (9), 819 (2012). DOI: 10.1134/S1063785012090088]
  8. А.А. Борисов, К.С. Журавлев, С.С. Зырин, В.Г. Лапин, В.М. Лукашин, A.A. Маковецкая, В.И. Новоселец, А.Б. Пашковский, А.И. Торопов, Н.Д. Урсуляк, С.В. Щербаков, Письма в ЖТФ, 42 (16), 41 (2016). [A.A. Borisov, K.S. Zhuravlev, S.S. Zyrin, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, A.A. Makovetskaya, V.I. Novoselets, A.B. Pashkovskii, A.I. Toropov, N.D. Ursulyak, S.V. Shcherbakov, Tech. Phys. Lett., 42 (8), 848 (2016). DOI: 10.1134/S1063785016080198]
  9. А.С. Тагер, А.А. Кальфа, Полевой транзистор, А.С. 897062 (СССР) (приоритет от 03.09.1980)
  10. A.M. Крещук, Е.П. Лаурс, С.В. Новиков, И.Г. Савельев, Е.М. Семашко, М.А. Стовповой, А.Я. Шик, ФТП, 24 (6), 1145 (1990). [A.M. Kreshchuk, E.P. Laurs, S.V. Novikov, I.G. Savel'ev, E.M. Semashko, M.A. Stovpovoi, A.Ya. Shik, Sov. Phys. Semicond., 24 (6), 726 (1990).].
  11. А.Б. Пашковский, А.С. Богданов, В.М. Лукашин, С.И. Новиков, Микроэлектроника, 49 (3), 210 (2020). DOI: 10.31857/S0544126920030059 [A.B. Pashkovskii, A.S. Bogdanov, V.M. Lukashin, S.I. Novikov, Russ. Microelectron., 49 (3), 195 (2020). DOI: 10.1134/S1063739720030051]
  12. Д.Ю. Протасов, Д.В. Гуляев, А.К. Бакаров, А.И. Торопов, Е.В. Ерофеев, К.С. Журавлев, Письма в ЖТФ, 44 (6), 77 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.06.45770.17098 [D.Yu. Protasov, D.V. Gulyaev, A.K. Bakarov, A.I. Toropov, E.V. Erofeev, K.S. Zhuravlev, Tech. Phys. Lett., 44 (3), 260 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018030240]
  13. И.С. Василевский, А.Н. Виниченко, Н.И. Каргин, в сб. 8-я Междунар. науч.-практ. конф. по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ-электроники. Мокеровские чтения (НИУ МИФИ, 2017), с. 28--29
  14. A. Cappy, B. Carnez, R. Fauquembergues, G. Salmer, E. Constant, IEEE Trans. Electron Dev., 27 (11), 2158 (1980)
  15. A.B. Pashkovskii, S.A. Bogdanov, A.K. Bakarov, A.B. Grigorenko, K.S. Zhuravlev, V.G. Lapin, V.M. Lukashin, I.A. Rogachev, E.V. Tereshkin, S.V. Shcherbakov, IEEE Trans. Electron Dev., 68 (1), 53 (2021). DOI: 10.1109/TED.2020.3038373

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.