Вышедшие номера
Всплеск дрейфовой скорости электронов в обращенных транзисторных гетероструктурах с донорно-акцепторным легированием и дополнительными цифровыми потенциальными барьерами
Пашковский А.Б.1, Богданов С.А.1, Бакаров А.К.2, Журавлев К.С.2, Лапин В.Г.1, Лукашин В.М.1, Карпов С.Н.1, Протасов Д.Ю.2, Рогачёв И.А.1, Терёшкин Е.В.1
1АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: solidstate10@mail.ru, bogdanov_sa@mail.ru, bakarov@isp.nsc.rul.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru, vlapin@mail.ru.com, lvm54@yandex.mail.ru.com, serge95a@mail.ru, protasov@isp.nsc.ru, ilya_rogachev_89@mail.ru, evteryoshkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 4 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 4 марта 2022 г.
Принята к печати: 29 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 28 мая 2022 г.

Представлены первые результаты исследования дрейфовой скорости электронов в обращенных псевдоморфных гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с донорно-акцепторным легированием и короткопериодными сверхрешетками AlAs/GaAs. Теоретически показано, что введение сверхрешеток значительно (до 1.5 раз) повышает всплеск дрейфовой скорости электронов при влете их в область сильного поля. В сверхрешетке между квантовой ямой и подложкой обнаружены локализованные состояния. Показано, что этот эффект ведет к дополнительному увеличению всплеска дрейфовой скорости электронов вплоть до теоретического предела для используемой модели - всплеска дрейфовой скорости в объемном материале квантовой ямы. Ключевые слова: обращенная гетероструктура, цифровые барьеры, полевой транзистор, коэффициент усиления.