Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структурные свойства твердых растворов GaInAsSbBi, выращенных на подложках GaSb
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.05.53481.19164 
Российский научный фонд, 19-79-10024
Пащенко А.С.
1, Девицкий О.В.
1,2, Лунин Л.С.
1, Лунина М.Л.
1, Пащенко О.С.
1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия 
2Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
2Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
Email: as.pashchenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 27 марта 2022 г.
Принята к печати: 30 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2022 г.
Синтезированы твердые растворы GaInAsSbBi с различным содержанием Bi на подложках n-GaSb с разориентацией 6o между плоскостями (100) и (111)A. Изучены структурные свойства и морфология тонких пленок GaInAsSbBi. Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции установлено, что пленки имеют поликристаллическую структуру. Обнаружено, что увеличение концентрации Bi в твердом растворе приводит к уменьшению среднего размера области когерентного рассеяния по отражению (111) с 20 до 5 nm. Показано, что в пленках с меньшим содержанием Bi толщина переходного аморфного слоя на гетерогранице слой-подложка уменьшается. Ключевые слова: твердые растворы, GaInAsSbBi, GaSb, III-V.
- H. Sugiyama, K. Uchida, X. Han, G.K. Periyanayagam, M. Aikawa, N. Hayasaka, K. Shimomura, J. Cryst. Growth, 507, 93 (2019). DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2018.10.024
- F.I. Zubov, M.E. Muretova, L.V. Asryan, E.S. Semenova, M.V. Maximov, A.E. Zhukov, J. Appl. Phys., 124, 133105 (2018). DOI: 10.1063/1.5039442
- S. Ilahi, N. Yacoubi, F. Genty, Opt. Mater., 69, 226 (2017). DOI: 10.1016/j.optmat.2017.04.050
- N. An, L. Ma, G. Wen, Z. Liang, H. Zhang, T. Gao, C. Fan, Appl. Sci., 9, 162 (2019). DOI: 10.3390/app9010162
- R.A. Carrasco, C.P. Morath, J.V. Logan, K.B. Woller, P.C. Grant, H. Orozco, M.S. Milosavljevic, S.R. Johnson, G. Balakrishnan, P.T. Webster, Appl. Phys. Lett., 120, 031102 (2022). DOI: 10.1063/5.0078809
- L. Wang, L. Zhang, L. Yue, D. Liang, X. Chen, Y. Li, P. Lu, J. Shao, S. Wang, Crystals, 7, 63 (2017). DOI: 10.3390/cryst7030063
- C.A. Wang, C.J. Vineis, D.R. Calawa, MRS Proc., 794, T9.6 (2003). DOI: 10.1557/PROC-794-T9.6
- H.-W. Cheng, Sh.-Ch. Lin, Z.-L. Li, K.-W. Sun, Ch.-P. Lee, Materials, 12, 317 (2019). DOI: 10.3390/ma12020317
- Y.L. Casallas-Moreno, G. Villa-Marti nez, M. Rami rez-Lopez, P. Rodri guez-Fragoso, M.L. Gomez-Herrera, M. Perez-Gonzalez, A. Escobosa-Echavarri a, S.A. Tomas, J.L. Herrera-Perez, J.G. Mendoza-Alvarez, J. Alloys Compd., 808, 151690 (2019). DOI: 10.1016/j.jallcom.2019.151690
- Л.А. Сокура, Я.А. Пархоменко, К.Д. Моисеев, В.Н. Неведомский, Н.А. Берт, ФТП, 51 (8), 1146 (2017). DOI: 10.21883/FTP.2017.08.44804.8533 [L.A. Sokura, Ya.A. Parkhomenko, K.D. Moiseev, V.N. Nevedomsky, N.A. Bert, Semiconductors, 51, 1101 (2017). DOI: 10.1134/S1063782617080310]
- A.S. Pashchenko, O.V. Devitsky, L.S. Lunin, I.V. Kasyanov, D.A. Nikulin, O.S. Pashchenko, Thin Solid Films, 743, 139064 (2022). DOI: 10.1016/j.tsf.2021.139064
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
