Вышедшие номера
Структурные свойства твердых растворов GaInAsSbBi, выращенных на подложках GaSb
Российский научный фонд, 19-79-10024
Пащенко А.С. 1, Девицкий О.В. 1,2, Лунин Л.С. 1, Лунина М.Л. 1, Пащенко О.С. 1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Северо-кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
Email: as.pashchenko@gmail.com
Поступила в редакцию: 14 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 27 марта 2022 г.
Принята к печати: 30 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2022 г.

Синтезированы твердые растворы GaInAsSbBi с различным содержанием Bi на подложках n-GaSb с разориентацией 6o между плоскостями (100) и (111)A. Изучены структурные свойства и морфология тонких пленок GaInAsSbBi. Методами просвечивающей электронной микроскопии и рентгеновской дифракции установлено, что пленки имеют поликристаллическую структуру. Обнаружено, что увеличение концентрации Bi в твердом растворе приводит к уменьшению среднего размера области когерентного рассеяния по отражению (111) с 20 до 5 nm. Показано, что в пленках с меньшим содержанием Bi толщина переходного аморфного слоя на гетерогранице слой-подложка уменьшается. Ключевые слова: твердые растворы, GaInAsSbBi, GaSb, III-V.