Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 10 » Статья стр. 16
<<<>>>
Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
DOI: 10.21883/PJTF.2022.10.52550.19162
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.05.53479.19162
Russian science foundation, 21-72-30020
Багаев Т.А.1, Ладугин М.А.1, Мармалюк А.А.1, Данилов А.И.1, Ушаков Д.В. 2, Афоненко А.А. 2, Зайцев А.А. 3, Маремьянин К.В.4, Морозов С.В.4, Гавриленко В.И.4,5, Галиев Р.Р.6, Павлов А.Ю.6, Пушкарев С.С. 6, Пономарев Д.С. 6, Хабибуллин Р.А. 5,6
1"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
4Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
Email: ushakovdv@bsu.by, afonenko@bsu.by, Ziko27@yandex.ru, khabibullin@isvch.ru, s_s_e_r_p@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 14 марта 2022 г.
Принята к печати: 22 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2022 г.
PDF версия
Продемонстрирован квантово-каскадный лазер (ККЛ) с частотой генерации около 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии. Многослойная гетероструктура для ККЛ состоит из 185 повторений активного модуля, содержащего четыре квантовые ямы GaAs/Al0.15Ga0.85As. Пороговый ток и пороговое напряжение изготовленного ККЛ составили 2.25 kA/cm2 и 19.7 V соответственно. Генерация ККЛ происходила в многомодовом режиме, детектирование терагерцевого излучения продолжалось при повышении температуры лазера вплоть до 60 K. Ключевые слова: квантово-каскадные лазеры, терагерцевый диапазон, МОС-гидридная эпитаксия, квантовая яма.
  1. A.E. Yachmenev, S.S. Pushkarev, R.R. Reznik, R.A. Khabibullin, D.S. Ponomarev, Prog. Cryst. Growth Charact. Mater., 66, 100485 (2020). DOI: 10.1016/j.pcrysgrow.2020.100485
  2. Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, А.А. Дубинов, В.И. Гавриленко, И.С. Васильевский, Н.В. Щаврук, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, Квантовая электроника, 48 (11), 1005 (2018). [D.V. Ushakov, A.A. Afonenko, A.A. Dubinov, V.I. Gavrilenko, I.S. Vasil'evskii, N.V. Shchavruk, D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin, Quantum Electron., 48 (11), 1005 (2018). DOI: 10.1070/QEL16806]
  3. M.S. Vitiello, A. Tredicucci, Adv. Phys. X, 6, 1893809 (2021). DOI: 10.1080/23746149.2021.1893809
  4. B. Wen, D. Ban, Prog. Quantum Electron., 80, 100363 (2021). DOI: 10.1016/j.pquantelec.2021.100363
  5. L.H. Li, J.X. Zhu, L. Chen, A.G. Davies, E.H. Linfield, Opt. Express, 23, 2720 (2015). DOI: 10.1364/OE.23.002720
  6. L. Sirigu, A. Rudra, E. Kapon, M.I. Amanti, G. Scalari, J. Faist, Appl. Phys. Lett., 92, 181111 (2008). DOI: 10.1063/1.2924294
  7. M.I. Amanti, G. Scalari, R. Terazzi, M. Fischer, M. Beck, J. Faist, A. Rudra, P. Gallo, E. Kapon, New J. Phys., 11, 125022 (2009). DOI: 10.1088/1367-2630/11/12/125022
  8. K. Fujita, M. Yamanishi, S. Furuta, K. Tanaka, T. Edamura, T. Kubis, G. Klimeck, Opt. Express, 20, 20647 (2012). DOI: 10.1364/OE.20.020647
  9. M.A. Ladugin, I.V. Yarotskaya, T.A. Bagaev, K.Yu. Telegin, A.Yu. Andreev, I.I. Zasavitskii, A.A. Padalitsa, A.A. Marmalyuk, Crystals, 9, 305 (2019). DOI: 10.3390/cryst9060305
  10. Р.А. Хабибуллин, Н.В. Щаврук, Д.С. Пономарев, Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, И.С. Васильевский, А.А. Зайцев, А.И. Данилов, О.Ю. Волков, В.В. Павловский, К.В. Маремьянин, В.И. Гавриленко, ФТП, 52 (11), 1268 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.11.46581.03 [R.A. Khabibullin, N.V. Shchavruk, D.S. Ponomarev, D.V. Ushakov, A.A. Afonenko, I.S. Vasil'evskii, A.A. Zaycev, A.I. Danilov, O.Yu. Volkov, V.V. Pavlovskiy, K.V. Maremyanin, V.I. Gavrilenko, Semiconductors, 52 (11), 1380 (2018). DOI: 10.1134/S1063782618110118]
  11. R.A. Khabibullin, N.V. Shchavruk, D.S. Ponomarev, D.V. Ushakov, A.A. Afonenko, K.V. Maremyanin, O.Yu. Volkov, V.V. Pavlovskiy, A.A. Dubinov, Opto-Electron. Rev., 27, 329 (2019). DOI: 10.1016/j.opelre.2019.11.002
  12. А.В. Иконников, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко, А.Ю. Павлов, Н.В. Щаврук, Р.А. Хабибуллин, Р.Р. Резник, Г.Э. Цырлин, Ф.И. Зубов, А.Е. Жуков, Ж.И. Алфёров, Письма в ЖТФ, 43 (7), 86 (2017). DOI: 10.21883/PJTF.2017.07.44473.16602 [A.V. Ikonnikov, K.V. Marem'yanin, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, A.Yu. Pavlov, N.V. Shchavruk, R.A. Khabibullin, R.R. Reznik, G.E. Cirlin, F.I. Zubov, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, Tech. Phys. Lett., 43 (4), 362 (2017). DOI: 10.1134/S1063785017040083].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme