По вольт-амперным характеристикам одиночных коллоидных квантово-размерных частиц полупроводников InSb, PbS, HgSe, CdSe в межэлектродном нанозазоре на случайных выборках определены и исследованы механизмы барьерного и резонансного туннелирования, кулоновского ограничения, квазипериодического модулирования электронного транспорта в модели глубокой протяженной потенциальной ямы в зависимости от соотношений размера частицы и длины волны де Бройля для электрона. Экспериментально подтверждена возможность проявления блоховских осцилляций. Определены параметры всех исследованных процессов. Ключевые слова: коллоидная наночастица, квантово-размерная частица, нанокристалл, размерное квантование, квантовый отбор, туннельный перенос, кулоновское ограничение, блоховские осцилляции.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.