Определение толщин и особенностей легирования многослойных 4H-SiC-структур методом частотного анализа инфракрасных спектров отражения
Минобрнауки РФ, 03.G25.31.0243
Афанасьев А.В.1, Зубков В.И.1, Ильин В.А.1, Лучинин В.В.1, Павлова М.В.1, Панов М.Ф.1, Трушлякова В.В.1, Фирсов Д.Д.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: a_afanasjev@mail.ru, vzubkovspb@mail.ru, ilyincmid@gmail.com, cmid_leti@mail.ru, maschkaq@yandex.ru, 19_panov_59@mail.ru, vvtrushliakova@mail.ru, d.d.firsov@gmail.com
Поступила в редакцию: 3 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 22 сентября 2021 г.
Принята к печати: 7 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 15 ноября 2021 г.
Разработана методика частотного анализа инфракрасного спектра отражения для определения толщин и порядка расположения слоев в эпитаксиальной структуре карбида кремния. Выполнены расчеты для эпитаксиальной структуры 4H-SiC. Показана высокая чувствительность метода к оптическим границам, возникшим в результате последовательного увеличения уровня легирования в процессе роста слоя. Ключевые слова: карбид кремния, эпитаксиальный слой, ИК-отражение, спектр.
- S. Oishi, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, Jpn. Soc. Appl. Phys., 45 (46), L1226 (2006). DOI: 10.1143/JJAP.45.L1226
- Z.-Y. Li, J.-W. Sun, Y.-M. Zhang, Y.-M. Zhang, X.-Y. Tang, Chin. Phys. Lett., 27 (6), 068103 (2010). DOI: 10.1088/0256-307X/27/6/068103
- Handbook of optical constants of solids, ed. by E.D. Palik (Academic, San Diego, 1998)
- В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович, Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (Радио и связь, М., 1985)
- K. Narita, Y. Hijikata, H. Yaguchi, S. Yoshida, S. Nakashima, Jpn. J. Appl. Phys. А, 43 (8), 5151 (2004). DOI: 10.1143/JJAP.43.5151
- М.Ф. Панов, Ф.Е. Рыбка, В.П. Растегаев, в сб. V Междисциплинарный научный форум Новые материалы и перспективные технологии" (М., 2019), т. 1, с. 377
- А.В. Афанасьев, В.А. Голубков, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, А.А. Рябко, К.А. Сергушичев, В.В. Трушлякова, С.А. Решанов, Изв. ЛЭТИ, N 6, 72 (2020)
- А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, В.В. Лучинин, С.А. Решанов, Изв. вузов. Электроника, 25 (6), 483 (2020). DOI: 10.24151/1561-5405-2020-25-6-483-496
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.