Вышедшие номера
Home » Письма в журнал технической физики » Год 2022, выпуск 2 » Статья стр. 51
<<<
Стабильность функциональных характеристик прозрачных электродов на основе трехслойной структуры ZnO : Ga/Ag/ZnO : Ga
DOI: 10.21883/PJTF.2022.02.51914.19001
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.01.52481.19001
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), A, 20-02-00373
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Росатом, 20-21-00068
Минобрнауки России, Соглашение №075-15-2021-1362
Асваров А.Ш.1,2, Ахмедов А.К.1, Муслимов А.Э.2, Каневский В.М.2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова ДФИЦ РАН, Махачкала, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: abil-as@list.ru
Поступила в редакцию: 23 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 29 сентября 2021 г.
Принята к печати: 20 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 15 ноября 2021 г.
PDF версия
Исследована важная для практического применения стабильность функциональных свойств прозрачной проводящей трехслойной структуры ZnO : Ga/Ag/ZnO : Ga во времени и под воздействием последующих отжигов на воздухе. Продемонстрировано, что после длительного взаимодействия с окружающей средой при комнатной температуре (~ 1000 h) и дальнейших термообработок на воздухе при температурах до 450oC (до 10 h) трехслойная структура сохраняет свою целостность и характеризуется низким поверхностным сопротивлением Rs=2.8 Ω/sq при среднем коэффициенте пропускания в видимом диапазоне Tav=82.1%. Ключевые слова: прозрачный электрод, многослойная структура, ZnO, Ag, Ga, поверхностное сопротивление, прозрачность, стабильность, термообработка.
  1. А.И. Баранов, Д.А. Кудряшов, А.В. Уваров, И.А. Морозов, А.А. Максимова, Е.А. Вячеславова, А.С. Гудовских, Письма в ЖТФ, 47 (16), 24 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.16.51324.18779
  2. G. Lucarelli, T.M. Brown, Front. Mater., 6, 310 (2019). DOI: 10.3389/fmats.2019.00310
  3. Z. Zhao, T.L. Alford, Solar Energy Mater. Solar Cells, 157, 599 (2016). DOI: 10.1016/j.solmat.2016.07.044
  4. H. Beh, D. Hiller, J. Laube, S. Gutsch, M. Zacharias, J. Vac. Sci. Technol. A, 35, 01B127 (2017). DOI: 10.1116/1.4972466
  5. H. Akazawa, J. Vac. Sci. Technol. A, 35, 041515 (2017). DOI: 10.1116/1.4990538
  6. L. Liu, S. Ma, H. Wu, B. Zhu, H. Yang, J. Tang, X. Zhao, Mater. Lett., 149, 43 (2015). DOI: 10.1016/j.matlet.2015.02.093
  7. A. Anand, M.M. Islam, R. Meitzner, U.S. Schubert, H. Hoppe, Adv. Energy Mater., 11, 2100875 (2021). DOI: 10.1002/aenm.202100875
  8. A.K. Akhmedov, A.K. Abduev, V.M. Kanevsky, A.E. Muslimov, A.S. Asvarov, Coatings, 10, 269 (2020). DOI: 10.3390/coatings10030269
  9. F. Hajakbari, M. Ensandoust, Acta Phys. Pol. A, 129, 680 (2016). DOI: 10.12693/ APhysPolA.129.680
  10. X.-Y. Gao, S.-Y. Wang, J. Li, Y.-X. Zheng, R.-J. Zhang, P. Zhou, Y.-M. Yang, L.-Y. Chen, Thin Solid Films, 455-456, 438 (2004). DOI: 10.1016/j.tsf.2003.11.242
  11. P. Wang, D. Zhang, D.H. Kim, Z. Qiu, L. Gao, R. Murakami, X. Song, J. Appl. Phys., 106, 103104 (2009). DOI: 10.1063/1.3259426
  12. C.F. Holder, R.E. Schaak, ACS Nano, 13, 7359 (2019). DOI: 10.1021/acsnano.9b05157
  13. T. Miyata, Y. Ohtani, T. Kuboi, T. Minami, Thin Solid Films, 516, 1354 (2008). DOI: 10.1016/j.tsf.2007.03.084
  14. A. Asvarov, A. Abduev, A. Akhmedov, A. Abdullaev, Phys. Status Solidi C, 7, 1553 (2010). DOI: 10.1002/pssc.2009831581
  15. L. Xu, J. Miao, Y. Chen, J. Su, M. Yang, L. Zhang, L. Zhao, S. Ding, Optik, 170, 484 (2018). DOI: 10.1016/j.ijleo.2018.06.016
  16. L. Zhou, X. Chen, F. Zhu, X.X. Sun, Z. Sun, J. Phys. D: Appl. Phys., 45, 505103 (2012). DOI: 10.1088/0022-3727/45/50/505103
  17. C. Zhang, J. Zhao, H. Wu, S. Yu, J. Alloys Compd., 832, 154983 (2020). DOI: 10.1016/j.jallcom.2020.154983
  18. S.H. Lee, G. Kim, J.W. Lim, K.-S. Lee, M.G. Kang, Solar Energy Mater. Solar Cells, 186, 378 (2018). DOI: 10.1016/j.solmat.2018.07.010

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme