"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Аморфизация кремниевых нанонитей при облучении ионами аргона
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Аспиранты, 19-32-90174
Кононина А.В. 1, Балакшин Ю.В. 1,2, Гончар К.А. 1, Божьев И.В.1,3, Шемухин А.А. 1,2, Черныш В.С. 1,2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Центр квантовых технологий Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: anastasiia.kozhemyako@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 27 сентября 2021 г.
Принята к печати: 28 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 15 ноября 2021 г.

Проведено облучение кремниевых нанонитей ионами Ar+ c энергией 250 keV и флюенсами от 1013 до 1016 cm-2. Методом комбинационного рассеяния света исследована зависимость степени разупорядоченности структуры под действием ионного облучения от флюенса. Показано, что аморфизация пористого кремния происходит при больших значениях числа смещений на атом, чем в тонких пленках кремния. Ключевые слова: кремниевые нанонити, комбинационное рассеяние света, дефектообразование.
  1. R. Smerdov, Yu. Spivak, I. Bizyaev, P. Somov, V. Gerasimov, A. Mustafaev, V. Moshnikov, Electronics, 10 (1), 42 (2021). DOI: 10.3390/electronics10010042
  2. R. Castro, Y. Spivak, S. Shevchenko, V. Moshnikov, Materials, 14 (10), 2471 (2021). DOI: 10.3390/ma14102471
  3. M.B. Gongalsky, U.A. Tsurikova, J.V. Samsonova, G.Z. Gvindzhiliiia, K.A. Gonchar, N.Yu. Saushkin, A.A. Kudryavtsev, E.A. Kropotkina, A.S. Gambaryan, L.A. Osminkina, Results Mater. 6, 100084 (2020). DOI: 10.1016/j.rinma.2020.100084
  4. N. Chartuprayoon, M. Zhang, W. Bosze, Y.-H. Choa, N.V. Myung, Biosens. Bioelectron., 63, 432 (2015). DOI: 10.1016/j.bios.2014.07.043
  5. А.В. Павликов, О.В. Рахимова, П.К. Кашкаров, Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия, N 2, 77 (2018). [A.V. Pavlikov, O.V. Rakhimova, P.K. Kashkarov, Moscow Univ. Phys. Bull., 73 (2), 199 (2018). DOI: 10.3103/S0027134918020121]
  6. S. Aziza, A. Ripp, D. Horvitz, Y. Rosenwaks, Mater. Sci. Semicond. Process., 75, 43 (2018). DOI: 10.1016/j.mssp.2017.11.001
  7. V.S. Vendamani, D. Kanjilal, S. Venugopal Rao, Chem. Phys., 548, 111242 (2021). DOI: 10.1016/j.chemphys.2021.111242
  8. S. Hoffmann, J. Bauer, C. Ronning, Th. Stelzner, J. Michler, C. Ballif, V. Sivakov, S.H. Christiansen, Nano Lett, 9 (4), 1341 (2009). DOI: 10.1021/nl802977m
  9. M.G. Shahraki, Z. Zeinali, J. Phys. Chem. Solids, 85, 233 (2015). DOI: 10.1016/j.jpcs.2015.06.001
  10. А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, А.С. Патракеев, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров, Б.А. Малюков, В.Н. Стаценко, В.Д. Чумак, Письма в ЖТФ, 38 (19), 83 (2012). [A.A. Shemukhin, Yu.V. Balakshin, V.S. Chernysh, A.S. Patrakeev, S.A. Golubkov, N.N. Egorov, A.I. Sidorov, B.A. Malyukov, V.N. Statsenko, V.D. Chumak, Tech. Phys. Lett., 38 (10), 907 (2012). DOI: 10.1134/S1063785012100112]
  11. A.P. Evseev, A.V. Kozhemiako, Yu.V. Kargina, Yu.V. Balakshin, E.A. Zvereva, V.S. Сhernysh, M.B. Gongalsky, A.A. Shemukhin, Rad. Phys. Chem., 176, 109061 (2020). DOI: 10.1016/j.radphyschem.2020.109061
  12. S.D. Trofimov, S.A. Tarelkin, S.V. Bolshedvorskii, V.S. Bormashov, S.Yu. Troshchiev, A.V. Golovanov, N.V. Luparev, D.D. Prikhodko, K.N. Boldyrev, S.A. Terentiev, A.V. Akimov, N.I. Kargin, N.S. Kukin, A.S. Gusev, A.A. Shemukhin, Yu.V. Balakshin, S.G. Buga, V.D. Blank, Opt. Mater. Express, 10 (1), 198 (2020). DOI: 10.1364/OME.10.000198
  13. Y.M. Spivak, A.Y. Gagarina, M.O. Portnova, A.V. Zaikina, V.A. Moshnikov, J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012126 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012126
  14. Yu.M. Spivak, S.V. Myakin, V.A. Moshnikov, M.F. Panov, A.O. Belorus, A.A. Bobkov, J. Nanomater., 2016, 2629582 (2016). DOI: 10.1155/2016/2629582
  15. Ю.В. Балакшин, А.А. Шемухин, А.В. Назаров, А.В. Кожемяко, В.С. Черныш, ЖТФ, 88 (12), 1900 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2018.12.46796.41-18 [Yu.V. Balakshin, A.A. Shemukhin, A.V. Nazarov, A.V. Kozhemiako, V.S. Chernysh, Tech. Phys., 63 (12), 1861 (2018). DOI: 10.1134/S106378421812023X]
  16. Z. Sui, P.P. Leong, I.P. Herman, G.S. Higashi, H. Temkin, Appl. Phys. Lett., 60 (17), 2086 (1992). DOI: 10.1063/1.107097
  17. D. Bermejo, M. Cardona, J. Non-Cryst. Solids, 32 (1-3), 405 (1979). DOI: 10.1016/0022-3093(79)90085-1
  18. Н.Е. Маслова, А.А. Антоновский, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, В.Н. Глебов, В.Н. Семиногов, ФТП, 44 (8), 1074 (2010). [N.E. Maslova, A.A. Antonovsky, D.M. Zhigunov, V.Y. Timoshenko, V.N. Glebov, V.N. Seminogov, Semiconductors, 44 (8), 1040 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610080154]
  19. R.K. Biswas, P. Khan, S. Mukherjee, A.K. Mukhopadhyay, J. Ghosh, K. Muraleedharan, J. Non-Cryst. Solids, 488, 1 (2018). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2018.02.037
  20. К.В. Карабешкин, П.А. Карасёв, А.И. Титов, ФТП, 47 (2), 206 (2013). [K.V. Karabeshkin, P.A. Karaseov, A.I. Titov, Semiconductors, 47 (2), 242 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613020115]
  21. Ю.В. Балакшин, А.В. Кожемяко, А.П. Евсеев, Д.К. Миннебаев, E.M. Elsehly, Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия, N 3, 23 (2020). [Yu.V. Balakshin, A.V. Kozhemiako, A.P. Evseev, D.K. Minnebaev, E.M. Elsehly, Moscow Univ. Phys. Bull., 75 (3), 218 (2020). DOI: 10.3103/S0027134920030030]
  22. А.В. Кожемяко, А.П. Евсеев, Ю.В. Балакшин, А.А. Шемухин, ФТП, 53 (6), 810 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47734.9050 [A.V. Kozhemiako, A.P. Evseev, Yu.V. Balakshin, A.A. Shemukhin, Semiconductors, 53 (6), 800 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619060095]
  23. A. Colli, A. Fasoli, C. Ronning, S. Pisana, S. Piscanec, A.C. Ferrari, Nano Lett., 8 (8), 2188 (2008). DOI: 10.1021/nl080610d

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.