Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Аморфизация кремниевых нанонитей при облучении ионами аргона
Переводная версия: 10.21883/TPL.2022.01.52470.18989 
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Аспиранты, 19-32-90174
Кононина А.В.
1, Балакшин Ю.В.
1,2, Гончар К.А.
1, Божьев И.В.1,3, Шемухин А.А.
1,2, Черныш В.С.
1,2
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия 
2Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Центр квантовых технологий Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Центр квантовых технологий Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: anastasiia.kozhemyako@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 27 сентября 2021 г.
Принята к печати: 28 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 15 ноября 2021 г.
Проведено облучение кремниевых нанонитей ионами Ar+ c энергией 250 keV и флюенсами от 1013 до 1016 cm-2. Методом комбинационного рассеяния света исследована зависимость степени разупорядоченности структуры под действием ионного облучения от флюенса. Показано, что аморфизация пористого кремния происходит при больших значениях числа смещений на атом, чем в тонких пленках кремния. Ключевые слова: кремниевые нанонити, комбинационное рассеяние света, дефектообразование.
- R. Smerdov, Yu. Spivak, I. Bizyaev, P. Somov, V. Gerasimov, A. Mustafaev, V. Moshnikov, Electronics, 10 (1), 42 (2021). DOI: 10.3390/electronics10010042
- R. Castro, Y. Spivak, S. Shevchenko, V. Moshnikov, Materials, 14 (10), 2471 (2021). DOI: 10.3390/ma14102471
- M.B. Gongalsky, U.A. Tsurikova, J.V. Samsonova, G.Z. Gvindzhiliiia, K.A. Gonchar, N.Yu. Saushkin, A.A. Kudryavtsev, E.A. Kropotkina, A.S. Gambaryan, L.A. Osminkina, Results Mater. 6, 100084 (2020). DOI: 10.1016/j.rinma.2020.100084
- N. Chartuprayoon, M. Zhang, W. Bosze, Y.-H. Choa, N.V. Myung, Biosens. Bioelectron., 63, 432 (2015). DOI: 10.1016/j.bios.2014.07.043
- А.В. Павликов, О.В. Рахимова, П.К. Кашкаров, Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия, N 2, 77 (2018). [A.V. Pavlikov, O.V. Rakhimova, P.K. Kashkarov, Moscow Univ. Phys. Bull., 73 (2), 199 (2018). DOI: 10.3103/S0027134918020121]
- S. Aziza, A. Ripp, D. Horvitz, Y. Rosenwaks, Mater. Sci. Semicond. Process., 75, 43 (2018). DOI: 10.1016/j.mssp.2017.11.001
- V.S. Vendamani, D. Kanjilal, S. Venugopal Rao, Chem. Phys., 548, 111242 (2021). DOI: 10.1016/j.chemphys.2021.111242
- S. Hoffmann, J. Bauer, C. Ronning, Th. Stelzner, J. Michler, C. Ballif, V. Sivakov, S.H. Christiansen, Nano Lett, 9 (4), 1341 (2009). DOI: 10.1021/nl802977m
- M.G. Shahraki, Z. Zeinali, J. Phys. Chem. Solids, 85, 233 (2015). DOI: 10.1016/j.jpcs.2015.06.001
- А.А. Шемухин, Ю.В. Балакшин, В.С. Черныш, А.С. Патракеев, С.А. Голубков, Н.Н. Егоров, А.И. Сидоров, Б.А. Малюков, В.Н. Стаценко, В.Д. Чумак, Письма в ЖТФ, 38 (19), 83 (2012). [A.A. Shemukhin, Yu.V. Balakshin, V.S. Chernysh, A.S. Patrakeev, S.A. Golubkov, N.N. Egorov, A.I. Sidorov, B.A. Malyukov, V.N. Statsenko, V.D. Chumak, Tech. Phys. Lett., 38 (10), 907 (2012). DOI: 10.1134/S1063785012100112]
- A.P. Evseev, A.V. Kozhemiako, Yu.V. Kargina, Yu.V. Balakshin, E.A. Zvereva, V.S. Сhernysh, M.B. Gongalsky, A.A. Shemukhin, Rad. Phys. Chem., 176, 109061 (2020). DOI: 10.1016/j.radphyschem.2020.109061
- S.D. Trofimov, S.A. Tarelkin, S.V. Bolshedvorskii, V.S. Bormashov, S.Yu. Troshchiev, A.V. Golovanov, N.V. Luparev, D.D. Prikhodko, K.N. Boldyrev, S.A. Terentiev, A.V. Akimov, N.I. Kargin, N.S. Kukin, A.S. Gusev, A.A. Shemukhin, Yu.V. Balakshin, S.G. Buga, V.D. Blank, Opt. Mater. Express, 10 (1), 198 (2020). DOI: 10.1364/OME.10.000198
- Y.M. Spivak, A.Y. Gagarina, M.O. Portnova, A.V. Zaikina, V.A. Moshnikov, J. Phys.: Conf. Ser., 1697, 012126 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012126
- Yu.M. Spivak, S.V. Myakin, V.A. Moshnikov, M.F. Panov, A.O. Belorus, A.A. Bobkov, J. Nanomater., 2016, 2629582 (2016). DOI: 10.1155/2016/2629582
- Ю.В. Балакшин, А.А. Шемухин, А.В. Назаров, А.В. Кожемяко, В.С. Черныш, ЖТФ, 88 (12), 1900 (2018). DOI: 10.21883/JTF.2018.12.46796.41-18 [Yu.V. Balakshin, A.A. Shemukhin, A.V. Nazarov, A.V. Kozhemiako, V.S. Chernysh, Tech. Phys., 63 (12), 1861 (2018). DOI: 10.1134/S106378421812023X]
- Z. Sui, P.P. Leong, I.P. Herman, G.S. Higashi, H. Temkin, Appl. Phys. Lett., 60 (17), 2086 (1992). DOI: 10.1063/1.107097
- D. Bermejo, M. Cardona, J. Non-Cryst. Solids, 32 (1-3), 405 (1979). DOI: 10.1016/0022-3093(79)90085-1
- Н.Е. Маслова, А.А. Антоновский, Д.М. Жигунов, В.Ю. Тимошенко, В.Н. Глебов, В.Н. Семиногов, ФТП, 44 (8), 1074 (2010). [N.E. Maslova, A.A. Antonovsky, D.M. Zhigunov, V.Y. Timoshenko, V.N. Glebov, V.N. Seminogov, Semiconductors, 44 (8), 1040 (2010). DOI: 10.1134/S1063782610080154]
- R.K. Biswas, P. Khan, S. Mukherjee, A.K. Mukhopadhyay, J. Ghosh, K. Muraleedharan, J. Non-Cryst. Solids, 488, 1 (2018). DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2018.02.037
- К.В. Карабешкин, П.А. Карасёв, А.И. Титов, ФТП, 47 (2), 206 (2013). [K.V. Karabeshkin, P.A. Karaseov, A.I. Titov, Semiconductors, 47 (2), 242 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613020115]
- Ю.В. Балакшин, А.В. Кожемяко, А.П. Евсеев, Д.К. Миннебаев, E.M. Elsehly, Вестн. Моск. ун-та. Сер. 3. Физика. Астрономия, N 3, 23 (2020). [Yu.V. Balakshin, A.V. Kozhemiako, A.P. Evseev, D.K. Minnebaev, E.M. Elsehly, Moscow Univ. Phys. Bull., 75 (3), 218 (2020). DOI: 10.3103/S0027134920030030]
- А.В. Кожемяко, А.П. Евсеев, Ю.В. Балакшин, А.А. Шемухин, ФТП, 53 (6), 810 (2019). DOI: 10.21883/FTP.2019.06.47734.9050 [A.V. Kozhemiako, A.P. Evseev, Yu.V. Balakshin, A.A. Shemukhin, Semiconductors, 53 (6), 800 (2019). DOI: 10.1134/S1063782619060095]
- A. Colli, A. Fasoli, C. Ronning, S. Pisana, S. Piscanec, A.C. Ferrari, Nano Lett., 8 (8), 2188 (2008). DOI: 10.1021/nl080610d
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
