"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Замена туннельных переходов в InP на каналы проводимости с кристаллитами GaP
Маричев А.Е.1, Эполетов В.С.1, Власов А.С.1, Пушный Б.В.1, Лихачев А.И.1, Нащекин А.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: aemarichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 1 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 15 августа 2021 г.
Принята к печати: 18 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 17 сентября 2021 г.

Представлены результаты исследований методом тока, индуцированного электронным зондом, p-n-переходов на основе InP с кристаллитами GaP в области объемного заряда. Показано, что введение кристаллитов в область пространственного заряда приводит к закорачиванию p-n-перехода. Качество материала, выращенного поверх кристаллитов, позволяет создавать фотоактивные области, о чем свидетельствуют измерения спектров фотолюминесценции. Ключевые слова: кристаллиты, туннельный переход, соединительный элемент.
  1. Ж.И. Алфёров, В.М. Андреев, В.Д. Румянцев, ФТП, 38 (8), 937 (2004). [Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, V.D. Rumyantsev, Semiconductors, 38 (8), 899 (2004). DOI: 10.1134/1.1787110]
  2. N.H. Karam, R.A. Sherif, R.R. King, in Concentrator photovoltaics, ed by A.L. Luque, V. Andreev. Springer Ser. in Optical Sciences (Springer, Berlin--Heidelberg, 2007), vol. 130, p. 199-219. DOI: 10.1007/978-3-540-68798-6
  3. V.M. Andreev, E.A. Ionova, V.R. Larionov, V.D. Rumyantsev, M.Z. Shvarts, G. Glenn, in 2006 IEEE 4th World Conf. on photovoltaic energy conversion (IEEE, 2006), vol. 1, p. 799-802. DOI: 10.1109/WCPEC.2006.279577
  4. E.F. Schubert, C.J. Pinzone, M. Geva, Appl. Phys. Lett., 67 (5), 700 (1995)
  5. M.F. Vilela, A. Freundlich, A. Bensaoula, N. Medelci, P. Renaud, in Proc. of the 14th Space Photovoltaic Research and Technology Conf. (SPRAT 14) (NASA Lewis Research Center, Cleveland, OH, 1995), p. 11
  6. V.M. Andreev, V.S. Kalinovsky, R.V. Levin, B.V. Pushniy, V.D. Rumyntsev, in Proc. of the 24th Eur. Photovoltaic Solar Energy Conf. (Hamburg, 2009), p. 740-742. DOI: 10.4229/24thEUPVSEC2009-1DV.5.16
  7. В.С. Калиновский, Р.В. Лёвин, Б.В. Пушный, М.Н. Мизеров, В.Д. Румянцев, В.М. Андреев, ФТП, 47 (12), 1677 (2013). [V.S. Kalinovsky, R.V. Levin, B.V. Pushniy, M.N. Mizerov, V.D. Rumyantsev, V.M. Andreev, Semiconductors, 47 (12), 1652 (2013). DOI: 10.1134/S1063782613120105]
  8. Полупроводниковая многопереходная структура, патент RU106443U1 (опубл. 10.07.2011)
  9. A.E. Marichev, B.V. Pushnyi, R.V. Levin, N.M. Lebedeva, N.D. Prasolov, E.V. Kontrosh, J. Phys.: Conf. Ser., 993, 012036 (2018). DOI: 10.1088/1742-6596/993/1/012036
  10. Р.В. Левин, А.Е. Маричев, Е.В. Контрош, Н.Д. Прасолов, В.С. Калиновский, Б.В. Пушный, Письма в ЖТФ, 44 (24), 25 (2018). DOI: 10.21883/PJTF.2018.24.47026.17458 [R.V. Levin, A.E. Marichev, E.V. Kontrosh, N.D. Prasolov, V.S. Kalinovskii, B.V. Pushnyi, Tech. Phys. Lett., 44 (12), 1130 (2018). DOI: 10.1134/S1063785018120490]
  11. В.С. Эполетов, А.Е. Маричев, Б.В. Пушный, Р.А. Салий, Письма в ЖТФ, 46 (23), 13 (2020). DOI: 10.21883/PJTF.2020.23.50340.18467 [V.S. Epoletov, A.E. Marichev, B.V. Pushnyi, R.A. Salii, Tech. Phys. Lett., 46 (12), 1167 (2020). DOI: 10.1134/S1063785020120056]
  12. Y. Zhao, Z. Dong, J. Appl. Phys., 100 (12), 123519 (2006). DOI: 10.1063/1.2404467
  13. R. Mishra, O.D. Restrepo, A. Kumar, W. Windl, J. Mater. Sci., 47 (21), 7482 (2012). DOI: 10.1007/s10853-012-6595-8

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.