Вышедшие номера
Влияние температуры отжига на кинетику процесса алюминий-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного субоксида кремния
This study was financially supported by the Russian Science Foundation, 19-79-10143
Меркулова И.Е.1,2, Замчий А.О. 1,2, Лунев Н.А.1, Константинов В.О.1, Баранов Е.А.1
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: itpmerkulova@gmail.com, zamchiy@gmail.com, nanochirik9@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2021 г.
Принята к печати: 21 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 27 августа 2021 г.

Поправки к статье опубликованы в ПЖТФ, 48 (15), 46 (2022).
Исследована кинетика процесса алюминий-индуцированной кристаллизации нестехиометрического оксида кремния a-SiO0.25 для температур отжига 370, 385 и 400oC, в результате которого были получены тонкие пленки поликристаллического кремния. Показано, что для низких температур отжига поверхностная морфология кристаллического материала представлена дендрическими структурами, соответствующими модели роста с агрегацией, ограниченной диффузией. Кроме того, с ростом температуры отжига увеличивается плотность зародышеобразования от 3 до 53 mm-2. Из графика Аррениуса впервые получено значение энергии активации процесса алюминий-индуцированной кристаллизации a-SiO0.25, которое составило 3.7± 0.4 eV.