Вышедшие номера
Циркулярно поляризованная электролюминесценция при комнатной температуре в гетероструктурах на основе разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe
РНФ, 18-79-10088
Ведь М.В.1, Дорохин М.В. 1, Лесников В.П.1, Кудрин А.В. 1, Дёмина П.Б.1, Здоровейщев А.В.1, Данилов Ю.А. 1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mikhail28ved@gmail.com, dorokhin@nifti.unn.ru, lesnikov@nifti.unn.ru, kudrin@nifti.unn.ru, Demina@phys.unn.ru, zdorovei@nifti.unn.ru, danilov@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 19 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 июля 2021 г.
Принята к печати: 13 июля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 августа 2021 г.

Показана возможность использования разбавленного магнитного полупроводника GaAs:Fe в качестве ферромагнитного инжектора в спиновом светоизлучающем диоде на основе гетероструктуры с квантовой ямой GaAs/InGaAs. Показано, что в таком приборе возможно наблюдение частично циркулярно поляризованной электролюминесценции при комнатной температуре. Ключевые слова: спиновые светоизлучающие диоды, разбавленные магнитные полупроводники, полупроводники A3B5, спиновая инжекция.