Вышедшие номера
Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением
Российский научный фонд, Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 19-79-00338
Баранов А.И.1,2, Кудряшов Д.А.1,2, Уваров А.В.1,2, Морозов И.А.1,2, Шугуров К.Ю.1, Максимова А.А.1,2, Вячеславова Е.А.1,2, Гудовских А.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: baranov_art@spbau.ru, kudryashovda@gmail.com, lumenlight@mail.ru, morivan@mail.ru, shugurov17@mail.ru, deer.blackgreen@yandex.ru, cate.viacheslavova@yandex.ru, gudovskikh@spbau.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 13 июня 2021 г.
Принята к печати: 16 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 12 июля 2021 г.

Рассмотрены массивы кремниевых вертикально ориентированных волокон, полученных сухим криогенным травлением кремниевых подложек с концентрацией свободных электронов n=1016 и 1017 cm-3, высотой 6 μm и диаметром 1.7 и 1.2 μm соответственно. Продемонстрировано, что напыление золота позволяет сформировать диод Шоттки с коэффициентом идеальности 1.1-1.3 и высотой барьера 0.6-0.7 eV при данных параметрах этих массивов. Показано, что экспериментальные кривые вольт-фарадных характеристик таких структур могут быть проанализированы с помощью модели, учитывающей вклад в емкость от всей поверхности волокон. Это позволило провести численную оценку профиля концентрации свободных носителей заряда именно в массиве волокон, что показало хорошее численное совпадение с уровнем легирования в исходных подложках. Ключевые слова: кремниевые волокна, солнечный элемент, криогенное травление, вольт-фарадное профилирование.