"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Исследование диодов Шоттки на основе массива кремниевых волокон, полученных сухим криогенным травлением
Российский научный фонд, Проведение инициативных исследований молодыми учеными» Президентской программы исследовательских проектов, реализуемых ведущими учеными, в том числе молодыми учеными, 19-79-00338
Баранов А.И.1,2, Кудряшов Д.А.1,2, Уваров А.В.1,2, Морозов И.А.1,2, Шугуров К.Ю.1, Максимова А.А.1,2, Вячеславова Е.А.1,2, Гудовских А.С.1,2
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: baranov_art@spbau.ru, kudryashovda@gmail.com, lumenlight@mail.ru, morivan@mail.ru, shugurov17@mail.ru, deer.blackgreen@yandex.ru, cate.viacheslavova@yandex.ru, gudovskikh@spbau.ru
Поступила в редакцию: 4 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 13 июня 2021 г.
Принята к печати: 16 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 12 июля 2021 г.

Рассмотрены массивы кремниевых вертикально ориентированных волокон, полученных сухим криогенным травлением кремниевых подложек с концентрацией свободных электронов n=1016 и 1017 cm-3, высотой 6 μm и диаметром 1.7 и 1.2 μm соответственно. Продемонстрировано, что напыление золота позволяет сформировать диод Шоттки с коэффициентом идеальности 1.1-1.3 и высотой барьера 0.6-0.7 eV при данных параметрах этих массивов. Показано, что экспериментальные кривые вольт-фарадных характеристик таких структур могут быть проанализированы с помощью модели, учитывающей вклад в емкость от всей поверхности волокон. Это позволило провести численную оценку профиля концентрации свободных носителей заряда именно в массиве волокон, что показало хорошее численное совпадение с уровнем легирования в исходных подложках. Ключевые слова: кремниевые волокна, солнечный элемент, криогенное травление, вольт-фарадное профилирование.
  1. K. Yoshikawa, W. Yoshida, T. Irie, H. Kawasaki, K. Konishi, H. Ishibashi, T. Asatani, D. Adachi, M. Kanematsu, H. Uzu, K. Yamamoto, Solar Energy Mater. Solar Cells, 173, 37 (2017). DOI: 10.1016/j.solmat.2017.06.024
  2. E.A. Vyacheslavova, I.A. Morozov, A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, J. Phys.: Conf. Ser., 1695 (1), 012085 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012085
  3. K. Sato, A. Castaldini, N. Fukata, A. Cavallini, Nano Lett., 12 (6), 3012 (2012). DOI: 10.1021/nl300802x
  4. G. Venturi, A. Castaldini, A. Schleusener, V. Sivakov, A. Cavallini, Nanotechnology, 26 (19), 195705 (2015). DOI: 10.1088/0957-4484/26/19/195705
  5. R. Dussart, T. Tillocher, P. Lefaucheux, M. Boufnichel, J. Phys. D.: Appl. Phys., 47 (12), 123001 (2014). DOI: 10.1088/0022-3727/47/12/123001
  6. A. Smyrnakis, E. Almpanis, V. Constantoudis, N. Papanikolaou, E. Gogolides, Nanotechnology, 26 (8), 085301 (2015). DOI: 10.1088/0957-4484/26/8/085301
  7. I.A. Morozov, A.S. Gudovskikh, A.V. Uvarov, A.I. Baranov, V. Sivakov, D.A. Kudryashov, Phys. Status Solidi A, 217 (4), 1900535 (2020). DOI: 10.1002/pssa.201900535
  8. A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, L.N. Dvoretckaia, I.A. Morozov, A.V. Uvarov, E.A. Vyacheslavova, K.Yu. Shugurov, A.S. Gudovskih, J. Phys.: Conf. Ser., 1695 (1), 012089 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1695/1/012089
  9. A.I. Baranov, D.A. Kudryashov, I.A. Morozov, A.V. Uvarov, K.Yu. Shugurov, A.S. Gudovskih, J. Phys.: Conf. Ser., 1697 (1), 012060 (2020). DOI: 10.1088/1742-6596/1697/1/012060
  10. E.C. Garnett, Y. Tseng, D. Khanal, J. Wu, J. Bokor, P. Yang, Nature Nanotechnol., 4 (5), 311 (2009). DOI: 10.1038/nnano.2009.43
  11. Y. Calahorra, D. Ritter, J. Appl. Phys., 114 (12), 124310 (2013). DOI: 10.1063/1.4823517
  12. Y. Calahorra, E. Yalon, D. Ritter, J. Appl. Phys., 117 (3), 034308 (2015). DOI: 10.1063/1.4906210

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.