Рассмотрены массивы кремниевых вертикально ориентированных волокон, полученных сухим криогенным травлением кремниевых подложек с концентрацией свободных электронов n=10¹⁶ и 10¹⁷ cm^-3, высотой 6 μm и диаметром 1.7 и 1.2 μm соответственно. Продемонстрировано, что напыление золота позволяет сформировать диод Шоттки с коэффициентом идеальности 1.1-1.3 и высотой барьера 0.6-0.7 eV при данных параметрах этих массивов. Показано, что экспериментальные кривые вольт-фарадных характеристик таких структур могут быть проанализированы с помощью модели, учитывающей вклад в емкость от всей поверхности волокон. Это позволило провести численную оценку профиля концентрации свободных носителей заряда именно в массиве волокон, что показало хорошее численное совпадение с уровнем легирования в исходных подложках. Ключевые слова: кремниевые волокна, солнечный элемент, криогенное травление, вольт-фарадное профилирование.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.