"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Светодиод на основе AlInGaN-гетероструктур, выращенных на подложках SiC/Si и технология его изготовления
Санкт-Петербургский государственный университет, 75746688
Марков Л.К. 1, Кукушкин С.А. 2, Смирнова И.П. 1, Павлюченко А.С. 1, Гращенко А.С. 3, Осипов А.В. 2, Святец Г.В.4, Николаев А.Е.1, Сахаров А.В.1, Лундин В.В.1, Цацульников А.Ф. 1,5
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4OOO "Научно-технический центр "Новые технологии", Санкт-Петербург, Россия
5НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru, sergey.a.kukushkin@gmail.com, irina@quantum.ioffe.ru, alexey.pavluchenko@gmail.com, asgrashchenko@bk.ru, andrey.v.osipov@gmail.com, andrew@beam.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 18 мая 2021 г.
Принята к печати: 1 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 12 июля 2021 г.

Описаны методика и технология изготовления как светодиодных чипов, так и корпусированных светодиодов из AlInGaN/GaN-гетероструктур, выращенных на подложках нового типа SiC/Si, синтезированных методом согласованного замещения атомов. Исследованы вольт-амперные характеристики, спектры излучения, зависимости мощности излучения и внешней квантовой эффективности от величины тока. Показано, что наличие пор в подложке SiC/Si, естественным образом формирующихся в процессе ее роста, приводит к значительному повышению квантовой эффективности светодиодов по сравнению с квантовой эффективностью светодиодов, изготовленных на кремнии без подслоя SiC. Ключевые слова: светодиоды, светодиоды на кремнии, светодиоды на карбиде кремния на кремнии, карбид кремния на кремнии, гетероструктуры AlInGaN/GaN/SiC/Si.
  1. H.Y. Ryu, K.S. Jeon, M.G. Kang, H.K. Yuh, Y.H. Choi, J.S. Lee, Sci. Rep., 7, 1 (2017). DOI: 10.1038/srep44814
  2. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, С.Г. Жуков, Е.Е. Заварин, В.В. Лундин, М.А. Синицын, М.М. Рожавская, А.Ф. Цацульников, С.И. Трошков, Н.А. Феоктистов, Письма в ЖТФ, 38 (6), 90 (2012). [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, S.G. Zhukov, E.E. Zavarin, W.V. Lundin, M.A. Sinitsyn, M.M. Rozhavskaya, A.F. Tsatsulnikov, S.I. Troshkov, N.A. Feoktistov, Tech. Phys. Lett., 38 (3) 297 (2012). DOI: 10.1134/S1063785012030261].
  3. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, Materials, 14 (1), 78 (2021). DOI: 10.3390/ma14010078
  4. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов, ФТТ, 56 (8), 1457 (2014). [S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, Phys. Solid State, 56 (8), 1507 (2014). DOI: 10.1134/S1063783414080137]
  5. Н.А. Черкашин, А.Ф. Цацульников, А.В. Сахаров, А.Е. Николаев, В.В. Лундин, С.О. Усов, А.С. Гращенко, С.А. Кукушкин, А.А. Осипов, Письма в ЖТФ, 47 (15), 15 (2021). DOI: 10.21883/PJTF.2021.15.51227.18827
  6. И.П. Смирнова, Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, ФТП, 46 (3), 384 (2012). [I.P. Smirnova, L.K. Markov, A.S. Pavlyuchenko, M.V. Kukushkin, Semiconductors, 46 (3), 369 (2012). DOI: 10.1134/S1063782612030190]
  7. Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова, С.И. Павлов, ФТП, 52 (10), 1228 (2018). DOI: 10.21883/FTP.2018.10.46466.8853 [L.K. Markov, A.S. Pavluchenko, I.P. Smirnova, S.I. Pavlov, Semiconductors, 52 (10), 1349 (2018). DOI: 10.1134/S106378261810010X].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.