"Письма в журнал технической физики"
Вышедшие номера
Численное моделирование вольт-амперной характеристики биполярного мемристора на основе оксида гафния
Russian Foundation for Basic Research, MK, 19-29-03003
Алёшин А.Н.1, Зенченко Н.В.1, Рубан О.А. 1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
Email: Zenchenko.Nikolay@yandex.ru, myx.05@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 22 марта 2021 г.
Принята к печати: 6 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 4 мая 2021 г.

Разработана конечно-элементная модель, позволяющая рассчитывать вольт-амперную характеристику биполярного мемристора на основе оксида гафния Pt/HfO2/TiN, которая отражает как высокоомное, так и низкоомное состояние мемристора. Математическим базисом модели явились уравнения Максвелла для стационарного случая. Модель позволяет оценивать связь свойств материалов, входящих в конструкцию мемристора, с его рабочим током. Ключевые слова: биполярный мемристор, оксид гафния, метод конечных элементов, моделирование.
  1. G. Bersuker, D.C. Gilmer, D. Veksler, P. Kirsch, L. Vandelli, A. Padovani, L. Larcher, K. McKenna, A. Shluger, V. Iglesias, M. Porti, M. Nafri a, J. Appl. Phys., 110, 124518 (2011). DOI: 10.1063/1.3671565
  2. K.M. Kim, D.S. Jeong, C.S Hwang, Nanotechnology, 22, 254002 (2011). DOI: 10.1088/0957-4484/22/25/254002
  3. L. Goux, Y.-Y. Chen, L. Pantisano, X.-P. Wang, G. Groeseneken, M. Jurczak, D.I. Wouters, Electrochem. Solid-State Lett., 13, G54 (2010). DOI: 10.1149/1.3373529
  4. L. Goux, P. Czarnecki, Y.-Y. Chen, L. Pantisano, X.-P. Wang, R. Degraeve, B. Govorenau, M. Jurczak, D.J. Wouters, L. Altimime, Appl. Phys. Lett., 97, 243509 (2010). DOI: 10.1063/1.3527086
  5. F. Nardi, S. Larentis, S. Balatti, D.C. Gilmer, D. Ielmini, IEEE Trans. Electron Dev., 59, 2461 (2012). DOI: 10.1109/TED.2012.2202319
  6. D.J. Wouters, L. Zhang, A. Fantini, R. Degraeve, L. Goux, Y.-Y. Chen, B. Govorenau, G.S. Kar, IEEE Electron Dev. Lett., 33, 1186 (2012). DOI: 10.1109/LED.2012.2198789
  7. S. Privetera, G. Bersuker, B. Butcher, A. Kalantarian, S. Lombardo, C. Bongiorno, R. Geer, D.C. Gilmer, P.D. Kirsch, Microelectron. Eng., 109, 75 (2013). DOI: 10.1016/j.mee.2013.03.145
  8. V.A. Voronovskii, V.S. Aliev, A.K. Gerasimova, D.R. Islamov, Mater. Res. Express, 6, 076411 (2019). https://doi.org/10.1088/2053-1591/ab11aa
  9. E. Hildebrandt, J. Kurian, M.M. Muller, T. Schroeder, H.-J. Kleebe, A. Lambert, Appl. Phys. Lett., 99, 112902 (2011). DOI: 10.1063/1.3637603
  10. S. Larentis, F. Nardi, S. Balatti, D.C. Gilmer, D. Ielmini, IEEE Trans. Electron Dev., 59, 2468 (2012). DOI: 10.1109/TED.2012.2202320
  11. Э.П. Шурина, М.Ю. Великая, М.П. Федорук, Вычислительные технологии, 5 (6), 99 (2000)
  12. D.S. Jeong, H. Schroeder, U. Breuer, R. Waser, J. Appl. Phys., 104, 123716 (2008). DOI: 10.1063/1.3043879
  13. Б.С. Бокштейн, М.И. Менделев, Краткий курс физической химии (ЧеРо, М., 1999)
  14. M. Noman, W. Jiang, P.A. Salvador, M. Skowronski, J.A. Bain, Appl. Phys. A., 102, 877 (2011). DOI: 10.1007/s00339-011-6270-y
  15. CRC handbook of chemistry and physics, 88th ed, ed. by D.R. Lide (Taylor and Francis Group, Boca Raton, 2008)
  16. C.L. Yaws, The Yaws handbook of physical properties for hydrocarbons and chemicals, 2nd ed. (Gulf Professional Publ., Houston, 2015).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.