Письма в журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Барьер Шоттки на контакте магнитного 3d-металла с полупроводником
Давыдов С.Ю.1, Посредник О.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Sergei_Davydov@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 9 марта 2021 г.
Принята к печати: 10 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 7 апреля 2021 г.
С помощью модели Фриделя для d-зоны переходного металла и модели локального дефекта для полупроводника получены аналитические выражения для перехода заряда (электронов или дырок) между металлом и полупроводником и высоты барьера Шоттки. Показано, что учет намагниченности металла ведет к увеличению перехода заряда и связанного с этим вклада в высоту барьера Шоттки. Численные оценки представлены для контактов Со и Ni с 6H- и 4H-политипами SiC. Ключевые слова: магнитный металл, полупроводник, локальный дефект, переход заряда, высота барьера Шоттки.
- Ф. Бехштедт, Р. Эндерлайн, Поверхности и границы раздела полупроводников (Мир, М., 1990), гл. 4
- W. Monch, Rep. Prog. Phys., 53, 221 (1990). https://doi.org/10.1088/0034-4885/53/3/001
- R.T. Tung, Appl. Phys. Rev., 1, 011304 (2014). https://doi.org/10.1063/1.4858400
- R. Ludeke, G. Jezequel, A. Taleb-Ibrahimi, Phys. Rev. Lett., 61, 601 (1988). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.61.601
- R. Ludeke, Phys. Rev. B., 40, 1947 (1989). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.40.1947
- С.Ю. Давыдов, С.В. Трошин, ФТТ, 49 (8), 1508 (2007). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/S1063783407080318]
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Элементарное введение в теорию наносистем (Лань, СПб., 2014), гл. 8, 9
- С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, О.В. Посредник, Ю.М. Таиров, ФТП, 35 (12), 1437 (2001). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/1.1427974]
- С.Ю. Давыдов, ФТТ, 46 (12), 2135 (2004). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/1.1841381]
- В.Ю. Ирхин, Ю.П. Ирхин, Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях (УрО РАН, Екатеринбург, 2004), гл. 2
- Дж. Займан, Принципы теории твердого тела (Мир, М., 1974), гл. 10
- У. Харрисон, Электронная структура и свойства твердых тел (Мир, М., 1983), т. 2
- W.A. Harrison, Phys. Rev. B, 27, 3592 (1983). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.27.3592
- G. Bertoni, L. Calmels, A. Altibelli, V. Serin, Phys. Rev. B, 71, 075402 (2004). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.71.075402
- Физические величины. Справочник, под ред. И.С. Григорьева, Е.З. Мейлихова (Энергоатомиздат, М., 1991)
- А.А. Лебедев, ФТП, 33 (7), 769 (1999). [Пер. версия: https://doi.org/10.1134/1.1187764]
- С.Ю. Давыдов, ФТП, 53 (5), 706 (2019). [Пер. версия: 10.1134/S106378261905004X]
- М. Ланно, Ж. Бургуэн, Точечные дефекты в полупроводниках: Теория (Мир, М., 1984), гл. 3
- A. Hirohata, K. Yamada, Y. Nakatani, I.-L. Prejbeanu, B. Dieny, P. Pirro, B. Hillebrands, J. Magn. Magn. Mater., 509, 166711 (2020). https://doi.org/10.1016/j.jmmm.2020.166711
- J. Puebla, J. Kim, K. Kondou, Y. Otani, Commun. Mater., 1, 24 (2020). https://doi.org/10.1038/s43246-020-0022-5
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
